372 Andi Suhandi / Pengembangan Spincoater untuk Deposisi Lapisan Tipis Semikonduktor dan Penggunaannya dalam Spincoating Film Tipis GaN Pengembangan Spincoater untuk Deposisi Lapisan Tipis Semikonduktor dan Penggunaannya dalam Spincoating Film Tipis GaN Andi Suhandi dan Yuyu R. Tayubi Prodi Fisika FPMIPA Universitas Pendidikan Indonesia Jl. Dr. Setiabudhi No. 229 Bandung 40154 [email protected] Abstrak – Spin coating merupakan sebuah teknik yang mudah dan efisien untuk mendeposisi lapisan tipis semikonduktor yang memiliki kualitas baik dan potensial untuk berbagai aplikasi dalam pembuatan piranti elektronik maupun optoelektronik seperti sensor, fotodetektor dan sel surya. Telah dilakukan desain dan pembuatan alat spincoater di laboratorium kami untuk deposisi film tipis kristal dan amorphous untuk berbagai aplikasi piranti elektronik maupun optoelektronik. Alat spincoater terdiri dari sebuah rotor yang menggunakan motor AC sebagai penggerak dengan laju putaran dapat dikontrol dan divariasikan hingga laju putaran maksimum 3000 rpm. Sebuah dudukan substrat yang berbentuk piringan melingkar dipasang di atas tiang penyangga yang terhubung dengan rotor. Untuk menjaga agar substrat tidak terbang saat piringan diputar, pada bagian tengah piringan dudukan substrat dibuat lubang yang terhubung langsung ke ruang vakum melalui saluran yang dibuat pada tiang penyangga piringan. Ruang vakum dihubungkan dengan sebuah pompa vakum untuk memompa udara dari dalam ruang vakum. Dengan cara seperti itu substrat dapat menempel pada piringan tanpa harus menggunakan bahan perekat. Teknik ini memiliki keuntungan berupa kemudahan dalam pengambilan substrat dari piringan setelah proses pelapisan selesai dilakukan. Berdasarkan hasil uji penggunaan alat spincoater dalam proses deposisi film tipis GaN, menunjukkan bahwa alat spincoater yang dikembangkan telah berfungsi dengan baik, menghasilkan film tipis GaN yang memiliki karakteristik fisis cukup baik, diantaranya memiliki morfologi permukaan yang cukup merata, struktur kristal yang cukup baik, sifat listrik yang memadai, peka terhadap penyinaran dan sifat optik yang baik ditandai dengan puncak intensitas photoluminescence (PL) terjadi pada panjang gelombang 3628 Å, yang setara dengan energy gap GaN sebesar 3,42 eV. Kata kunci : Spincoater, film tipis, semikonduktor, GaN. Abstract – Spin coating is an easy and efficient technique to grow good quality thin film crystals and amorphous films suitable for many applications in science in technology namely sensors, filters and solar cells. The design and manufacture of spincoater and the use it in Gallium Nitride (GaN) thin film deposition on a sapphire substrate have been done. The Spincoater apparatus consists of a rotor that uses the AC motor drive with the rate of rotation can be controlled and varied up to a maximum rotation rate of 3000 rpm. A substrate holder is mounted on a circular disc-shaped pillars are connected to the rotor. To keep the substrate does not fly when the disc is rotating, at the center of the disc substrate holder made the holes are connected directly to the vacuum chamber through a channel created in the disc poles. Vacuum chamber connected to a vacuum pump to pump the air from the vacuum chamber. In this way the substrate can be attached to the disc without having to use adhesive. This technique has the advantage of ease of retrieval of the substrate after the coating process is completed. Based on the test results in the use of spincoater in GaN thin film deposition process, indicating that the spincoater function properly, resulting in GaN thin films have a good physical characteristics, such as having a fairly homogeneous surface morphology, crystal structure is quite good, adequate electrical properties, sensitive to irradiation and good optical properties are shown by the peak intensity of photoluminescence spectral occurs at a wavelength of 3628 Å, which is equivalent to the energy gap GaN of 3.42 eV. Keywords: Spincoater, Thin Films, semiconductor, GaN I. PENDAHULUAN Galium Nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor yang memiliki celah pita energi lebar (Eg = 3,45 eV pada temperatur ruang) dengan struktur celah pita energi langsung (direct) [1]. GaN dan aloy-nya (seperti AlGaN dan InGaN) telah banyak digunakan untuk fabrikasi piranti elektronik dan optoelektronik berefisiensi tinggi. GaN sangat potensial untuk aplikasi piranti elektronik yang dioperasikan pada suhu dan kondisi daya tinggi maupun untuk piranti optoelektronik yang beroperasi pada daerah spektrum biru dan ultraviolet (UV). Penggunaannya piranti elektronik dan optoelektronik yang dibuat dari bahan berbasis GaN telah sangat luas mulai dari piranti-piranti pada sistem satelit komunikasi hingga piranti-piranti pada sistem peralatan untuk survey kebumian yang tidak dapat diakses, display light emitting diode (LED) berintensitas tinggi, dan unit penyimpan data optik dengan kapasitas penyimpanan jauh lebih tinggi dari yang telah difabrikasi sebelumnya. Selain itu, transistor yang dibuat dari bahan berbasis grup III-nitrida dapat dioperasikan pada temperatur dan kondisi daya yang lebih tinggi dibanding piranti sejenis yang dibuat dari bahan Silikon, bahan paduan II-IV, atau bahan paduan III-V lainnya seperti GaAs, hal ini dikarenakan celah pita energi GaN lebih lebar, ikatan kimia unsurnya lebih kuat, dan adanya sifat relative Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVIII HFI Jateng & DIY, Yogyakarta, 26 April 2014 ISSN : 0853-0823 Andi Suhandi / Pengembangan Spincoater untuk Deposisi Lapisan Tipis Semikonduktor dan Penggunaannya dalam Spincoating Film Tipis GaN chemical inertness dari bahan ini [2−7]. Film tipis GaN berkualitas tinggi telah berhasil dideposisi di atas berbagai substrat dengan menggunakan berbagai teknik deposisi. Beberapa di antaranya adalah teknik metalorganic vapor phase epitaxy di atas substrat GaN [8], teknik plasma-assisted molecular beam epitaxy di atas substrat Al2O3 [9], teknik metalorganic chemical vapor deposition di atas substrat Al2O3 dan substrat Silikon [5, 10, 11], teknik sputtering di atas substrat Al2O3 [12], teknik pulsed laser ablation deposition di atas substrat Al2O3 [7], teknik nebulized spray pyrolysis dan sol-gel spincoating di atas substrat Al2O3 dan Silikon [13]. Meskipun, kualitas film tipis GaN hasil deposisi dengan teknik spincoating tidak bisa dibandingkan dengan hasil deposisi dengan MOCVD and MBE, baik dalam hal morfologi permukaan maupun sifat optiknya, tetapi teknik ini sangat sederhana dan murah biaya operasionalnya. Melalui proses optimalisasi kondisi dan parameter deposisi dimungkinkan untuk mendapatkan film tipis berkualitas baik dengan menggunakan teknik ini. Untuk kepentingan deposisi film tipis semikonduktor di laboratorium kami telah dikembangkan alat spincoating. Alat spincoating yang dibuat telah diujicoba untuk mendeposisi film tipis GaN di atas substrat sapphire. Paper ini memaparkan konstruksi alat spincoating yang telah dikembangkan dan hasil-hasil uji penggunaannya dalam mendeposisi film tipis GaN. II. INSTRUMENTASI UNTUK SPINCOATING Untuk keperluan eksperimen deposisi film tipis bahan semikonduktor telah dikembangkan alat spin coater, yang dirancang dan dibuat di laboratoroum kami. Alat spincoater yang dibuat terdiri dari sebuah rotor yang menggunakan motor AC sebagai penggerak dengan laju putaran dapat dikontrol dan divariasikan hingga laju putaran maksimum 3000 rpm. Sebuah dudukan substrat yang berbentuk piringan melingkar dipasang diatas tiang penyangga yang terhubung dengan rotor. Untuk menjaga agar substrat tidak terbang saat piringan diputar, pada bagian tengah piringan dudukan substrat dibuat lubang yang terhubung langsung ke ruang vakum melalui saluran yang dibuat pada tiang penyangga piringan. Ruang vakum dihubungkan dengan sebuah pompa vakum untuk memompa udara dari dalam ruang vakum. Dengan cara seperti itu substrat dapat menempel pada piringan tanpa harus menggunakan bahan perekat. Teknik ini memiliki keuntungan berupa kemudahan dalam pengambilan substrat dari piringan setelah proses pelapisan selesai dilakukan. Rancangan dan alat spincoating hasil pengembangan ditunjukkan pada Gambar 1. III. METODE PENELITIAN Dalam penelitian ini film tipis GaN dideposisi dengan teknik spin-coating menggunakan gel gallium-citrateamine dan gas Nitrogen. Kristal gallium-citrate-amine memiliki formula kimia (NH4)3[Ga(C6H5O7)2] 4H2O. Kristal ini dipreparasi dengan cara yang sama seperti yang telah dilakukan oleh Sardar [13]. Serbuk kristal dilarutkan dalam ethylenediamine (1:3, w/v) untuk mendapatkan larutan bening, yang dapat bertahan hingga lebih dari 200 hari. Larutan ini digunakan untuk deposisi 373 film tipis GaN dengan teknik spin-coating di atas substrat kristal tunggal Al2O3 (0001). Substrat sapphire (Al2O3) diletakkan di atas spincoater. Satu hingga dua tetes larutan ditempatkan di atas substrat sapphire dan kemudian substrat diputar pada laju putaran 1500 rpm selama 2 menit. Lapisan gel yang terbentuk kemudian dikeringkan pada suhu 373-423 K di atas hot plate, setelah itu dilakukan proses dekomposisi pada 673 K untuk mengeliminasi komponen-komponen organik pada lapisan. (a) (b) Gambar 1. (a) Rancangan alat spincoating; (b) Alat spincoating hasil pengembangan. Film hasil dekomposisi kemudian ditempatkan pada programmable furnace untuk proses deposisi. Temperatur furnace dinaikkan secara perlahan hingga mencapai 1223 K dari suhu ruang dengan laju peningkatan suhu 10 K/min, selama proses peningkatan suhu furnace kedalamnya dialirkan nitrogen ultra high purity (UHP) dengan laju aliran yang konstan. Suhu furnace ditahan 1223 K selama 3 jam untuk deposisi film tipis GaN. Setelah itu suhu furnace diturunkan kembali hingga mencapai suhu ruang untuk mendapatkan film tipis zat padat Galium Nitrida (GaN). Struktur kristal film tipis GaN dikarakterisasi dengan X-ray diffraction (XRD), morfologi permukaan film dicitra dengan menggunakan scanning electron microscope (SEM), sifat listrik film tipis GaN diinvestigasi menggunakan efek Hall Van der Pauw semi-otomatis pada temperatur ruang untuk menentukan tipe semikonduktor, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan, dan sifat optik film GaN diinvestigasi dengan spektroskopi transmitansi UV-Vis dan Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVIII HFI Jateng & DIY, Yogyakarta, 26 April 2014 ISSN : 0853-0823 Andi Suhandi / Pengembangan Spincoater untuk Deposisi Lapisan Tipis Semikonduktor dan Penggunaannya dalam Spincoating Film Tipis GaN Photoluminescence (PL) pada temperatur ruang untuk menentukan celah pita energi (Eg) film GaN hasil deposisi. IV. HASIL DAN PEMBAHASAN Gambar 2 menunjukkan pola difraksi sinar-X dari film GaN hasil deposisi spincoating pada temperatur 1223 K. Dari Gambar 2 dapat dilihat bahwa film tipis GaN hasil deposisi memiliki orientasi polikristalin, pada arah-arah bidang orientasi (1010), (0002), dan (1011). Namun demikian orientasi bidang kristal yang muncul dominan pada arah (0002) sejajar dengan orientasi bidang kristal substrat sapphire, hal ini ditunjukkan oleh puncak intensitas pola difraksi untuk bidang (0002) jauh lebih tinggi dari puncak intensitas pola difraksi untuk bidangbidang lainnya (1010) dan (1011). 2.5e+15 #C 2.0e+15 1.5e+15 1.0e+15 5.0e+14 300 200 Eg = 3,46 eV 0.0 1 0 35 40 3 4 Gambar 4. Spektrum transmisi dari film tipis GaN. 100 30 2 hv (eV) 45 50 55 60 65 70 2-Theta (derajat) Gambar 2. Pola difraksi sinar-X film tipis GaN hasil deposisi. Gambar 3 menunjukkan morfologi permukaan film tipis Gan yang dideposisi di atas substrat sapphire. Dapat dilihat bahwa kualitas morfologi permukaan film tipis GaN masih relatif rendah, permukaan film tipis masih tampak kasar. Namun demikian film tipis GaN yang terbentuk sudah cukup homogen menutupi seluruh area substrat dengan cukup merata. Gambar 5 menunjukkan spektrum PL dari film tipis GaN hasil pengukuran photoluminescence pada temperatur ruang. Tampak bahwa puncak spektrum PL terjadi pada panjang gelombang 3628 Å. Panjang gelombang ini bersesuaian dengan energi sebesar 3,42 eV. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis GaN hasil deposisi memiliki lebar celah pita energi sebesar 3,42 eV, cukup dekat dengan nilai celah pita energi hasil pengukuran dengan spektroskopi UV-Vis. 1,4 3628 Å 1,2 Intensitas PL (a.u) GaN (1010) 400 GaN (0002) GaN (1011) 500 Sapphire (0002) 600 (Intensitas ) a.u) tersebut dapat ditentukan nilai celah pita energi film tipis GaN dengan metode Tauch-Plot. Dengan metode ini diperoleh bahwa film tipis GaN hasil deposisi memiliki lebar celah pita energi sebesar 3,46 eV, sesuai dengan nilai celah pita energi untuk bahan GaN yang tertera dalam buku-buku referensi. (hvα)2 374 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 3300 3400 3500 3600 3700 3800 3900 Panjang Gelombang (Å) Gambar 5. Spektrum photoluminiscence (PL) film tipis GaN. Gambar 3. Morfologi permukaan film tipis GaN. Gambar 4 menunjukkan spektrum transmisi cahaya tampak-ultraviolet pada film tipis GaN hasil pengukuran spektroskopi UV-Vis. Berdasarkan data spektrum Gambar 6 menunjukkan karakteristik I-V dari sistem kontak GaN-Alumunium. Kelinieran dari kurva I-V menunjukkan bahwa kontak antara metal alumunium dan semikonductor GaN membentuk kontak ohmik, sebagaimana yang diinginkan. Berdasarkan hasil pengukuran efek Hall van der Pauw, diperoleh bahwa film tipis GaN hasil deposisi merupakan semikonduktor bertipe-p. Semikonduktor tipe-p ini terbentuk akibat terjadinya kekosongan nitrogen (nitrogen vacancy) pada kristal GaN. Mobilitas dan rapat pembewa muatan pada Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVIII HFI Jateng & DIY, Yogyakarta, 26 April 2014 ISSN : 0853-0823 Andi Suhandi / Pengembangan Spincoater untuk Deposisi Lapisan Tipis Semikonduktor dan Penggunaannya dalam Spincoating Film Tipis GaN film tipis GaN hasil deposisi berturut-turut sebesar 38 cm2/V.s dan 1×1019 cm-3. 0.08 0.06 Current (A) 0.04 0.02 0.00 -0.02 375 [6] M. A. Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, D. T. Olson, High electron mobility transistor based on a GaN AlxGa1−xN heterojunction Appl. Phys. Lett., 9 (1993) 1214. [7] D. Rusdiana, A. Suhandi, S. Karim, Sukirno, M. Budiman, M. Barmawi, Growth of GaN thin films by pulsed laser deposition and its application on ultraviolet detectors, ISTEC Journal, VI (2004) 35-44. [8] T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki, 1991, The homoepitaxy of GaN by metalorganic vapor phase epitaxy using GaN substrate, J. Cryst. Growth, 137 (1991) 171 [9] S. Yoshida, S. Misawa, S. Gonda, Improvements on the electrical and luminescent properties of reactive molecular beam epitaxially grown GaN films by using AlN coated sapphire substrates, Appl. Phys. Lett., 42 (1983) 427. [10] Sugianto, R. A. Sani, P. Arifin, M. Budiman, M. Barmawi, 2000, Growth of GaN films on a-plane sapphire substrate by plasma assisted MOCVD, J. Cryst. Growth, 221 (2000) 311. [11] T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki, 1991, Growth of single crystalline GaN film on Si substrate using 3C-SiC as an intermediate layer, J. Cryst. Growth, 115 (1991) 634. [12] H. Okano, N. Tanaka, Y. Takahashi, T. Tanaka, K. Shiabata, S. Nakano, Preparation of aluminum nitride thin films by reactive sputtering and their applications to GHzband surface acoustic wave devices, Appl. Phys. Lett., 64 (1994)166 [13] K. Sardar, A. R. Raju, G. N. Subbanna, Epitaxial GaN films deposited on sapphire substrates prepared by the solgel method, Solid states communications, 125 (2003) 355358. ‐ ‐ -0.04 -0.06 -10x10-6 -5x10-6 0 5x10-6 10x10-6 Voltage (V) Gambar 6. Kurva I-V dari sistem kontak ohmik GaN/Al. Terbentuknya kristal padat lapisan tipis GaN dari hasil deposisi spincoating dan sifat-sifat fisisnya yang memadai menunjukkan bahwa temperatur deposisi sebesar 1223 K telah cukup optimal untuk mendekomposisi molekul gas N2 menjadi atom-atom Nitrogen (N) yang reaktif. Semakin banyak atom-atom Nitrogen reaktif terbentuk maka akan lebih banyak terbentuk ikatan Ga-N. Sebagai hasilnya, kekosongan Nitrogen dalam kristal GaN dapat direduksi. Temperatur deposisi yang optimal juga dapat mensuplai energi untuk proses-proses ikatan Ga-N dan ikatan GaN-substrat. Sehingga pembentukan kristal film tipis GaN dapat terjadi secara lebih baik. V. KESIMPULAN Telah berhasil dikembangkan alat spincoating dengan sistem pemegang substrat pada spincoater menggunakan sistem vakum. Hasil uji penggunaan alat spincoater dalam proses deposisi film tipis GaN, menunjukkan bahwa alat spincoater yang dikembangkan telah berfungsi dengan baik, menghasilkan film tipis GaN yang memiliki karakteristik fisis cukup baik, diantaranya memiliki morfologi permukaan yang cukup merata, struktur kristal yang cukup baik, sifat listrik yang memadai, peka terhadap penyinaran dan sifat optik yang baik ditandai dengan puncak intensitas photoluminescence (PL) terjadi pada panjang gelombang 3628 Å, yang setara dengan energy gap GaN sebesar 3,42 eV. . PUSTAKA TANYA JAWAB Anonim ? Berapa harga subtrat sapphire (Al2O3) di pasaran? Di mana membelinya? Andi Suhandi (UPI) @ Tergantung ukuran diameternya, harganya biasanya dalam dolar amerika. Bisa dibeli di beberapa supplier, cek saja internet. Biasanya order dari USA, China, atau yang lain. Yang pernah dibeli 170 USD/10 keping ukuran diameternya 2,5 inchi, suppliernya nanocs. [1] O. Madelung, Semiconductor Basic Data, 2nd edition, 1996. [2] S. Nakamura, M. Senoh, T. Mukai, 1991, High-Power GaN P-N Junction Blue-Light-Emitting Diodes, Jpn. J. Appl. Phys., 30 (1991) L1998. [3] M. Razeghi and Rogalski, Seniconductor ultraviolet detectors, A., J. Appl. Phys. 79 (1996) 10. [4] E. Monroy, F. Calle, F, J. L. Pau, E. Munoz, F. Omnes, B. Beaumont, P. Gibart, Application and performance of GaN based UV detector, Phys. Stat. Sol. (a),185 (2001) 91. [5] S. Nakamura, Y. Harada, M. Senoh, Novel metalorganic chemical vapor deposition system for GaN growth Appl. Phys. Lett., 58(18) (1997) 2021. Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVIII HFI Jateng & DIY, Yogyakarta, 26 April 2014 ISSN : 0853-0823