IEEE Paper Template in A4 (V1)

LAPORAN
PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA
Nama Mahasiswa :
NPM
:
Kelas
: Pagi/Sore
Tgl. Praktikum
:
PRODI TEKNIK ELEKTRO
UNIVERSITAS 17 AGUSTUS 1945 CIREBON
Jalan Perjuangan No.17 Cirebon
2016
1. JUDUL PRAKTIKUM
Berisi judul praktikum. DIKETIK. Misalkan: Karakteristik Transistor Bipolar.
2. TUJUAN
Berisi
tujuan
dari
praktikum.
DIKETIK.
Harus
berhubungan
dengan
KESIMPULAN. Misalkan: Tujuan dari Praktikum Karakteristik Transistor
Bipolar ini adalah :
a. Mempelajari karakteristik input Ib-Vbe pada transistor jenis NPN dan PNP.
b. Mempelajari karakteristik output Ic-Vcc pada transistor jenis NPN dan PNP.
3. ALAT DAN BAHAN
Berisi alat dan bahan yang dipergunakan. DIKETIK. Misalkan: Alat dan bahan
yang digunakan adalah:
a. Panel Karakteristik Transistor Bipolar.
b. Multimeter.
c. Kabel penghubung.
4. DASAR TEORI
Berisi ringkasan penting dari dasar teori praktikum. DIKETIK Contohnya
Transistor terbagi menjadi 2 jenis, yaitu :
a.
Transistor jenis NPN :
C (kolektor)
B (basis)
E (emitor)
b.
Transistor jenis PNP :
E (emitor)
B (basis)
C (kolektor)
4.1. Karakteristik Input Ib-Vbe (Contoh sub-judul)
Gambar 3.1. di bawah menunjukkan karakteristik input Ib-Vbe pada transistor
jenis NPN. Pada rangkaian input, tegangan Vbe adalah tegangan antara basis dan
emitor. Tegangan ini terbentuk karena adanya barier antara E dan B. Besarnya
tegangan Vbe ini tergantung dari jenis/ bahan semikonduktor. Untuk jenis
germanium besarnya Vbe sekitar 0.3 V sedang untuk jenis silicon (NPN) Vbe =
±0.7 V.
A
C
B
E
V
V
Gambar 3.1 Karakteristik Input Ib-Vbe
Tegangan 0.3 V dan 0.7 V adalah batas terendah dimana transistor dapat aktif. Di
bawah tegangan ini transistor tidak akan bekerja. Transistor yang tidak aktif atau
tidak bekerja dinamai cut off. Adapun batas tegangan terendah 0.3V dan 0.7V
dinamai tegangan cut in atau Vɤ (V gamma).
Pada gmbar 3.1 di atas dapat ditentukan besarnya Ib dan Vbe, dari percobaan ini
dapat diketahui perubahan arus basis Ib bila tegangan antara basis dan emitornya
diubah-ubah. Titik-titik yang terbentuk dari hasil perubahan arus basis dan
tegangan emitor akan berbentuk garis melengkung. Garis yang terbentuk dari titik
–titik ini adalah garis tegangan Vce yang konstan di sini diusahakan Vce 0 Volt.
Pada gambar 3.2 diperlihatkan grafik karakteristik transistor NPN Ib-Vbe. Sumbu
yang mendatar ke arah kanan Vbe, sedangkan sumbu tegak ke atas Ib.
5. SKEMATIKA
Berisi gambar rangkaian/penampang alat/prosedur pengkabelan//jendela (window)
program. Dapat diberi penomoran untuk membantu memberi keterangan.
DIKETIK. Misalkan: Rangkaian Uji Coba
A
A
C
L
F
D G
E
I
K
J
B
M
V
V
Gambar 4.1 Rangkaian Karakteristik Input IB- VBE Transistor Bipolar
6. LANGKAH KERJA
Berisi tahapan yang dilakukan. DIKETIK. Misalkan: Tahapan kerja yang
dilakukan adalah:
a. Titik A dan C pada Gambar 4.1 dihubungkan dengan kabel.
b. Tegangan di titik C-B diukur menggunakan multimeter.
c. Arus di titik K dan J diukur menggunakan multimeter.
7. HASIL DAN ANALISIS DATA
Berisi hasil pengamatan/pengukuran. Dapat berupa tabel dan grafik. DIKETIK.
Misalkan:
Tabel 3.1. karakteristik IB- VBE Transistor Bipolar (NPN)
VR1
VBE
IB
8. PEMBAHASAN
Berisi pembahasan dari data/hasil pengamatan. Dapat berupa perbandingan
teori/hitungan dengan hasil pengukuran/pengamatan, atau hubungan sebab-akibat.
Juga membahas hal yang telah ditugaskan asisten/instruktur pada saat praktikum.
DITULIS TANGAN. Bagian ini memiliki bobot penilaian laporan paling tinggi.
9. KESIMPULAN
Berisi kesimpulan, berhubungan dengan TUJUAN. DITULIS TANGAN. Jika
tujuan Anda mengukur nilai A, maka munculkanlah nilai A di kesimpulan. Jika
antara KESIMPULAN dan TUJUAN tidak nyambung, maka nilai laporan tidak
akan bagus. Bagian ini memiliki bobot penilaian laporan paling tinggi.
SERTAKAN LAPORAN SEMENTARA SEBAGAI LAMPIRAN