(GBPP) Mata Kuliah: Dasar Elektronika

GARIS-GARIS BESAR PROGRAM PERKULIAHAN
(GBPP)
Mata Kuliah: Dasar Elektronika; Kode: TKE 017; T: 2 sks; P: 1 sks
Prasyarat Fisika modern, Matematika teknik, Rangkaian Listrik II, Medan elektromagnetik.
Deskripsi Mata Kuliah: Pada mata kuliah ini dibahas hal-ichwal tentang komponen aktif dimulai dari bahan-bahan pembuatnya,
struktur/sifat fisis, mekanisme arus, analisis statis atau analisis prasikap ( biasing ), karakterristik arus-tegangan, analisis
dinamis/sinyal. Komponen aktif yang dimaksud adalah komponen dari bahan padat (solid state). Adapun macam komponen aktif
yang dibahas hanya diode dan triode khususnya transistor.
Tujuan Instruksional Umum/Tujuan Mata Kuliah: Mahasiswa yang telah selesai mengikuti kuliah Dasar Elektronika diharapkan
dapat mengerti/memahami hal-ichwal tentang diode dan transistor, sehingga mampu menganalisis dan menggunakan komponen
tersebut pada suatu rangkaian elektronik
No
Tujuan Instruksional Khusus
1
1
2
Setelah pokok bahasan ini selasai dibahas, mahasiswa
peserta kuliah ini, dapat menyebutkan jenis-jenis
komponen elektronik, dapat membedakan komponen pasif
dengan komponen aktif, dapat menjelaskan bahan-bahan
pembuat komponen, dan menjelaskan peranan daya hantar
pada komponen elektrunik.
Tingkat kesempurnaan
penguasaan materi
oleh mahasiswa peserta kuliah
diharapkan mencapai 95%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, mahasiswa
peserta kuliah ini dapat menjelaskan struktur fisis diode pn, dapat menghitung beda potensial antara dua titik pada
sambungan/diode p-n, dan dapat mengetahui aras
tenaga(energy level). Tingkat kesempurnaan penguasaan
materi oleh peserta kuliah diharapkan mencapai 90%.
2
Pokok Bahasan
Sub-pokok Bahasan
3
1. Pendahuluan
yang berisi
tentang
pengertian
komponen dan
bahan-bahan
pembuatnya.
4
1.1 Jenis komponen elektronik
1.2 Komponen bahan padat
1.3 Bahan-bahan pembuat komponen
1.4 Daya hantar bahan tersebut
1.5 Modulasi daya hantar
2. Diode p-n
2.1 Semihantar n dan semihantar p
2.2 Potensial pada sermihantar n
2.3 Potensial pada sermihantar p
2.4 Struktur fisis dan aras tenaga
sambungan p-n
1
Estimas
i
Waktu
(menit)
5
2 × 60
2 × 60
Sumber/
Kepustakaan
6
3
4
5
6
7
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, mahasiswa 3. Diode p-n
peserta kuliah ini dapat menjelaskan prasikap (biasing)
diode p-n, dapat menerangkan mekanisme arus yang
terjadi pada diode p-n, dan dapat menyebutkan macammacam diode dengan karakterristik Volt-Amperenya,
dapat menghitung nilai arus dan tegangan pada diode pada
suatu rangkaian. Tingkat kesempurnaan penguasaan materi
oleh peserta kuliah diharapkan sekurang-kurangnya
mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, mahasiswa 4.Rangkaian
diode p-n
peserta kuliah ini dapat menjelaskan fungsi diode Zener
pada suatu rangkaian, dapat menerangkan fungsi diode
pada rangkaian penetak, dan pemegang, dapat mengubah
ragam gelombang suatu sinyal dengan rangkaian diode
penetak. Tingkat kesempurnaan penguasaan materi oleh
peserta kuliah diharapkan sekurang-kurangnya mencapai
90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, mahasiswa 5. Rangkaian
diode
peserta kuliah ini dapat menjelaskan prinsip kerja
rangkaian diode penyarah baik setengah gelombang atau
gelombang penuh, dapat menghitung daya listrik searah
yang dihasilkan. dan dapat menjelaskan pengaruh tapis L
dn C terhadap nilai daya listrik searah tersebut. Tingkat
kesempurnaan penguasaan materi oleh peserta kuliah
diharapkan sekurang-kurangnya mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, 6.Rangkaian
diode
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menjelaskan
prinsip keja rangkaian pengganda/pelipat
tegangan, dapat membuat rangkaian pelipat
tegangan sampai ke nilai tegangan yang
dinginkan. Tingkat kesempurnaan penguasaan
materi oleh peserta kuliah diharapkan sekurangkurangnya mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, 7. Transistor
bipolar
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menjelaskan
struktur
fisis
transistor
bipolar,
dapat
menerangkan mekanisme arus yang terjadi
2
3.1 Prasikap diode
3.2 Mekanisme arus
3.3 Karakterristik Volt-Ampere
3.4 Macam-macam diode p-n
2 × 60
4.1 Analisis diode zener
4.2 Analisis diode penetak (clipping)
4.3 Analisis diode pemegang
2 × 60
5.1 Analisis diode penyearah setengsh
gelombang
5.2 Analisis diode penyearah setengah
gelombang dengan tapis
5.3 Analisis diode penyearah
gelombang penuh
2 X 60
6.1 Analisis diode penyearah
gelombang penuh dengan tapis
6.2 Analisis diode pengganda tegangan
6.3 Analisis diode pelipat tegangan
2 × 60
7.1 Struktur fisis, aras tenaga, dan jenis
7.2 Mekanisme arus
7.3 Prasikap (biasing) dan Daerah kerja
transistor
2 × 60
8
9
10
11
dalam transistor, dan dapat mengetahui daerah
kerja transistor dan dapat menentukan nilai-nilai
prasikap yang sesuai. Tingkat kesempurnaan
penguasaan materi oleh peserta kuliah
diharapkan sekurang-kurangnya mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas,
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menjelaskan
rangkaian prasikap dan dapat menentukan titik
kerja yang diinginkan pada daerah kerja yang
tertentu. Tingkat kesempurnaan penguasaan
materi oleh peserta kuliah diharapkan sekurangkurangnya mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas,
mahasiswa peserta kuliah ini dapat mengetahui
stabilitas titik kerja transistor, dan dapat
mengusahakan/membuat rangkaian agar titik
kerja stabil. Tingkat kesempurnaan penguasaan
materi oleh peserta kuliah diharapkan sekurangkurangnya mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas,
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menjelaskan
konfiguarsi transistor dalam suatu rangkaian,
dapat mengetahui karakteristik transistor, dan
dapat membedakan sinyal besar dan sinyal kecil.
Tingkat kesempurnaan penguasaan materi oleh
peserta kuliah diharapkan sekurang-kurangnya
mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas,
mahasiswa peserta kuliah ini dapat mengetahui
karakteristik transistor terhadap sinyal kecil
berfrekuensi rendah dan dapat membuat untai
setara yang sesuai.
Tingkat kesempurnaan
penguasaan materi oleh peserta kuliah
8. Transistor
bipolar
( Analisis
statis/DC
8.1 Analisis rangkaian prasikap
8.2 Analisis daerah kerja transistor
8.3 Analisis titik kerja transistor
2 × 60
9. Transistor
bipolar
( Analisis
statis/DC
9.1 Analisis stabilitas titik kerja
9.2 Analisis kompensasi pengaruh suhu
terhadap stabilitas titik kerja
9.3 Analisis kompensasi pengaruh VBE
terhadap stabilitas titik kerja
2 × 60
10. Transistor
bipolar
( analisis
dinamis/AC )
10.1 Konfigurasi transistor
10.2 Karakteristik transistor
10.3 Pengertian sinyal besar dan sinyal
kecil
2 × 60
2 × 60
11. Transistor
bipolar
( analisis
dinamis/AC )
3
11.1 Transistor pada frekuensi rendah
11.2 Untara hybride untuk rangkaian
transistor
.
11.3 Untara Eber-Moll untuk rangkaian
transistor
12
13
14
penguasaan materi oleh peserta kuliah
diharapkan sekurang-kurangnya mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, 12. Transistor
bipolar
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menghitung
( analisis
nilai-nilai parameter penguat dan penguat
dinamis/AC )
bertingkat yaitu impedans masukan, impedans
keluaran, peroleh arus (current gain), dan peroleh
tegangan
(voltage
gain)
untuk
ketiga
konfigurasi.transistor bipolar(CE,CB,dan CC),
Tingkat kesempurnaan penguasaan materi oleh
peserta kuliah diharapkan sekurang-kurangnya
mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, 13. Transistor
unipolar/
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menjelaskan
Transistor
struktur fisis transistor unipolar, dapat
efek medan
menerangkan mekanisme arus yang terjadi
( FET=Field
dalam transistor unipolar, dan dapat mengetahui
Effect
Transistor )
pemrasikapan transistor unipolar sesuai dengan
daerah kerja yang diinginkan.. Tingkat
kesempurnaan penguasaan materi oleh peserta
kuliah diharapkan sekurang-kurangnya mencapai
9%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, 14 Transistor
unipolar
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menjelaskan
/Transistor efek
titik dan daerah kerja yang diinginkan untuk
medan
ketiga konfigurasi transistor unipolar, yaitu
(FET=Field
Sumber bersama, Drain bersama, dan Gate
Effect
Transistor)
bersama. Tingkat kesempurnaan penguasaan
(
analisis statis )
materi oleh peserta kuliah diharapkan sekurangkurangnya mencapai 90%.
4
12.1 Analisis penguat transistor dengan
untara hybride
12.2 Analisis penguat transistor dengan
pendekatan.
12.3 Analisis penguat transistor
bertingkat
2 × 60
13.1 Struktur fisis, aras tenaga, dan jenis
13.2 Mekanisme arus
13.3 Prasikap (biasing) dan Daerah
kerja transistor
2 × 60
14.1 Analisis daerah kerja transistor
14.2 Analisis titik kerja transistor
14.3 Konfigurasi transistor
2x60
15
16
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, 15. Analisis statis
transistor
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menjelaskan
unipolar
karakteristik transistor unipolar, dapat membuat
unatai setara yang sesuai. Tingkat kesempurnaan
penguasaan materi oleh peserta kuliah
diharapkan sekurang-kurangnya mencapai 90%.
Setelah pokok bahasan ini selesai dibahas, 16.Analisis
dinamis
mahasiswa peserta kuliah ini dapat menghitung
transistor
nilai-nilai parameter penguat dan penguat
unipolar
bertingkat yaitu impedans masukan, impedans
keluaran, peroleh arus (current gain), dan peroleh
tegangan
(voltage
gain)
untuk
ketiga
konfigurasi.transistor unipolar (CS,CD,dan CG),
Tingkat kesempurnaan penguasaan materi oleh
peserta kuliah diharapkan sekurang-kurangnya
mencapai 90%.
17
15.1 Karakteristik transistor unipolar
15.2 Transistor unipolar pada frekuensi
renadah
15.3 Untai setara pada frekuensi rendah.
2x60
16.1 Analisis penguat transistor
unipolar sederhana
16.2 Analisis penguat FET dengan
pendekatan
16.3 Analisis penguat transistor
unipolar bertingkat
2x60
Semua butir
pokok bahasan.
TENTAMEN
Kepustakaan
[1] Milman - Halkias , 1972, Integrated Electronic’s, Mc. Graw Hill, New York
[2] Jacob Milman, 1982, Microelectronic’s, Mc. Graw-Hill, New York
[3]
5
2x60