PERKEMBANGAN PIRANTI ELEKTRONIK DAN - Digilib

Prosidini! Pertemuan /lmiah Sains Materi 1997
ISSN 1410 -2897
PERKEMBANGAN PIRANTI ELEKTRONIK DAN
OPTO-ELEKTRONIK DI INDONESIA 1
Barmawi2
ABSTRAK
PERKEMBANGAN
PIRANTI ELEKTRONIK
DAN OPTO-ELEKTRONIK
DI INDONESIA. Datam makalah ini
dibahas perkembangan kegiatan penelitian dalam bidang bahan-bahan dan devais-devais elektronik dan optoelektronik. Kegiatan
penelitian tersebut dikelompokkan dalam bidang-bidang teknologi silikon. semikonduktor paduan dan oksida-oksida yang terdiri daTi
bahan-bahan ferroelektrik dan superkonduktor.
Dalam bidang-bidang tersebut tumbuh kegiatan-kegiatan baru berkat dukungan
pemerintah pada penelitihan di perguruan tinggi maupun lembaga-lembaga penelitian pemerintah. Akan tetapi penelitian-penelitian
tersebut terberai dan tidak terpusat seperti penelitian-penelitian yang dilaksanakan di negara-negara industri baru seperti Taiwan.
Nampaknya penelitian yang terarah ini amat diperlukan bagi pengembangan industri elektronik dan opto-elektronik di Indonesia
dimasa yang akan datang.
ABSTRACT
THE DEVELOPMENT OF RESEARCH IN ELECTRONIC AND OPTO ELECTRONIC MATERIALS AND
DEVICES IN INDONESIA. In this review we summarize the development of research in electronic and opto electronic materials and
devices in Indonesia. The subject is classified into silicon technology, compound semiconductors and oxides consisting of
Ferroelectric and Superconductor materials and devices. In these area there are new activities due to the recent support of research
activities in the universities as well as in the government research institutions. However the activities are scattered and is not directed
towards a goals like those activities in the New Industrialized countries, such as Taiwan. It seems that such a concentrated effort is
desirable for the future development of electronic and opto-electronic industry in Indonesia.
KEY WORD
Electronic, Optoelectronic,Ferroelectric,Superconductor.
PENDAtlULUAN
Oleh karena makalah ini disajikan dalam
suatu forum Sains Materi, maka penulis akan
membahasnya lebih dari sudut sains materi. Dengan
demikian yartg akan diutamakan adalah mengenai
material elektronik clan opto-elektronik clan devais
yang akan ditinjau adalah devais-devais yang
sifatnya lebih sederhana. Devais yang lebih rumit,
sep~rti ULSI, barangkali lebih tepat dibahas dalam
ditinjau teknologi semikonduktor paduan, yang
diwakili terutamaolehgollll-V. Dalam fasal4 akan
dibahas dengan singkat tentang penelitian dalam
oksida-oksida khususnya yang menyangkut
sllperkonduktortemperaturtinggi clan bahan-bahan
ferro-electric. Akhimya kita akan mencoba
memproyeksikankegiatan-kegiatankita kedalam
peta global daTi industri semikonduktor clan
membahasbeberapaisyu dalam teknologiabadXXI
yang akandatang.
forum mikro-elektronika.
Dalam judul yang diusulkan kepada kami
yang disebutkan hanya sel surya. Disini kami perluas
menjadi : piranti opto-elektronika, karena pasaran
dunia dari set surya hanya 2 % dari pasaran dunia
piranti opto-elektronika, walaupun di Indonesia
mungkin berbeda keadaannya,yang disebabkan oleh
bidang kebijaksanaan pemerintah tentang listrik
TEKNOLOGI SILIKON
Dalam teknologi silikon dari segi bahan
penyediaankristal silikon merupakan suatu teknik
yang penting. Di Indonesia satu-satunyalab yang
melakukan penelitian dalam bidang ini adalah
Litbang Fisika TerapanLIPI (LFT) di Serpong,yang
dilakukart oleh Sdr. Achyar Oemril) dan kawanmasuk desa.
kawan. Pembuatankristal silikon ini dilakukan
Ditinjau dari segi ilmu bahan, maka kiln
denganprosesCzokralski clanpanjang ingot kristal
dapat membagi piranti-piranti
dalam lingkup
Si yang diperoleh 50 em. Resistivitas yang
teknologi
Silikon
clan lingkup
Teknologi
dicapainya
adalah: 4,5 x 10-2Ocm sampai6,2 atm.
Semikonduktor Paduano Bahan-bahan disamping
semikonduktor yang akhir-akhir ini mendapat TungkuCzokralskiyang digunakandibeli dariRRC.
banyak perhatian adalah oksida-oksida, khususnya Sdr. Oemri clankawan-kawanjuga telah mengukur
ciri-ciri dari bahanyang telahdibuamyayaitu : celah
bahan-bahan superkonduktor daD ferroelektrik yang
energinya2)clan umur pasangan dalam kristal
mempunyai penerapan-penerapanyang penting.
tersebuf).
Pelaksanaanpenelitian ini mendapat
Dalam fasal 2 kita akan membahas tentang
duku:lgan
daD
program RUT I. Dari kristal Si ini
teknologi silikon. Kemudian dalam fasal 3 akan
--
--~
1 Dipresentasikan
padaPertemuanIlmiah SainsMateri 1997
2 Lab. Fisika Materia! Elektronik,JurusanFisika -ITB
25
Prosidin
Pertemuan Ilmiah Sains Materi 1997
ISSN 1.410 -2897
telah dibuat detektor foton4) dengan efisiensi
kuantum yang terbaiknya 8,I %. Detektor ini dibuat
berdasarkanatas sifat fotokonduktifnya.
Piranti-piranti
kristal
silikon
telah
dikembangkan pula oleh Puslitbang Telkoma LIPI,
dalam Lab Penelitian Elektronika Dasar clan
Komponen Elektronika. Komponen-komponen yang
telah dikembangkan dalam Lab ini adalah : Dioda,
Logic-gate dengan transistor bipolar, Power
Transistor dengan Frekuensi Rendah maupun
Frekuensi Tinggi.
Disamping itu Telkoma telah berhasil
mengembangkan sel surya dengan menggunakan
kristal silikon. gel surya tersebut telah mencapai
efisiensi 8 %. Salah satu permasalahan yang
dihadapi adalah masalah kontak.
Piranti lain yang telah dikembangkan di
Telkoma adalah sensor-sensor gas clan sensor
temperatur. Sensor gas yang dikembangkan adalah
mos dengan gate dari Paladium, sehingga sifat-sifat
gate berubah dengan adanya absorpsi Hidrogen.
Sensor temperatur dari silikon juga telah dibuat, clan
merupakan suatu "termokopel Si".
Lembaga lain yang mengembangkan
teknologi Si kristal adalah Laboratonum Devais clan
proses IC dari PAU Mikroelektronika. Salah satu
topik
penelitian
unggulannya
adalah
:
"Micromachining on silicon based substrates for
monolithic integration of sensors and processing
circuitry". Dalam penelitian ini akan dikembangkan
micromachining, yaitu berbagai proses etching pada
silikon untuk diterapkan dalam sensor monolitik,
CMOS, piranti clan IC RF. Proyek ini didukung oleh
Hibah Tim dari URGE.
Topik kedua dan PAU Mikroelektronika
dalam bidang Si adalah : Pembuatan Substrat Simox
dengan iml'lantasi ion antara lain untuk pembuatan
transistor MOS. Simox ini dibuat dari substrat Si tipe
p atau n, kemudian ditembaki dengan 0+ dengan
energi sekitar 200 KV, selanjutnya diterapkan
annealing temperatur dengan tungku pemanas
dengan temperatur antara 1000 -1300oC. Proyek ini
dipimpin oleh Sdr. Sukimo. Dengan menggunakan
Simox
dimungkinkan
devais-devais
tersebut
mencapai frekuensi sampai sekitar 2 GHz.
Implantasi ion dilakukan di PT. LEN Industri, yang dewasa ini merupakan satu-satunya
fasilitas implantasi ion yang operasional. PT LEN
sendin melakukan penelitian dalam implantasi ion
sehubungan
dengan
penggunaannya
dalam
pemrosesan devais MaS clan Bipolar. Proses yang
mereka teliti adalah doping Boron dengan implantasi
ion4). Disamping implantasi ion PT LEN juga
melaksanakan penelitian sel surya dengan metoda
screen printing.
Dengan
melakukan
optimasi
sambungan p-n5), diharapkan efisiensi gel surya
dapat meningkat dari 7 % menjadi 13 %. Penelitianpenelitian ini di PT LEN dipimpin oleh Ibu Ika
Ismet.
Topik yang ketiga sehubungan dengan
teknologi silikon PAU Mikroelektronika telah
memilih studi tentang pemrosesandenganplasma
dalatnmikro elektronika,berupaetsa kering. Topik
ini merupakansatu topik dalam pemrosesandalam
mikroelektronika.
Disamping teknologi Si-kristal, mulai th
1970an telah diketemukan orang silikon amorf.
Silikon amorf ini temyata mempunyai semacam
"gap" yaitu mobility gap, sehingga Si amorf
mempunyai sifat sebagai semikonduktor. Bahanbahanini sekarangmetnegangperananyang penting
dalam berbagaibidang diantaranyadalam sel surra
clanThin Film Transistoryang diterapkanpada Flat
Plate Display, yaitu monitor dari komputer NoteBook.
Mereka yang menaruh minat dalam bidang
ini adalah Lab Fisika Material Elektronik ITB dan
Kelompok Rosari Saleh dari Jurusan Fisika UI. Lab
Fisika Material Elektronik Jurusan Fisika ITB
perhatiannya terutama pada pembuatan Sel Surra
Amorf. Pelaksanaan pembuatan reaktor Plasma
CVD ini dijalankan sejak th 1990an. Tapi dana yang
ada terlalu kecil, yaitu berasal dari Grant Penelitian
dari Torray Foundation. Baru setelah mendapat dana
RUT I, reaktor tersebut dapat dibangun dan deposisi
yang pertama dilakukan di bawah pimpinan Sdr.
Sukirno. Set Surra Si-amorf barn dapat mencapai 6
% pada akhir Proyek RUT angkatan I. Sekarang
penelitian ini dilanjutkan dalam RUT IV dibawah
pimpinan Sdr. Toto Winata6). Sasaran penelitian ini
adalah sel surra yang dibuat dapat mencapai 10 %.
Sdr. Wilson Wenas dari Lab yang sarna melakukan
penelitian dalam TCO dan pengembangan TF LED
a-SiC?). Kegiatan sehubungan TCO, tercliri dari
pemodelan dari TCO bergerigi dalam set surya8)dan
penerapan ZnO9) dalam set surra yang merupakan
kelanjutan kegiatannya, selama belajar dalam
program Doktor di Jepang. Pembuatan ZnO dengan
foto CVD, juga akan dilanjutkan di ITB.
Di dalam Hibah Tim Batch III, Sdr. Rosari
Saleh mengembangkan peralatan untuk Deposisi
dari SiC, deilgan menggunakan proses plasma CVD
dalam suatu Vacuum Chamber dari Leybold. Yang
ditelaah adalah campuran Si-C dalam rasa amorf clan
rasa microcrystaline (Jlc). Transisi dari keadaan
amorf ke I1C dengan menggunakan annealing
temperatut. Tujuan penelitiannya adalah mencari
26
Pros;d;nf!Pertemuanllm;ah Sa;nsMater; 1997
korelasi antara parameter plasma dengan sifat-sifat
film yang dideposisikan.
SEMIKONDUKTORPADUAN
/SSN /410 -2897
Metoda MOCVD sedang dikembangkan di Lab
Fisika material Elektronik di Jurusan Fisika ITB oleh
penulis dan sdr. R.A. SaniI3). Pengembangan
MOCVD
ini dimulai dari perancangan reaktor
dengan menggunakan Simulasi Fluid Dynamic. Dari
simulasi ini dibuat prediksi tentang kerataan
deposisi. Dengan simulasi ini beberapa parameter
reaktor untuk pengaturan aliran daD kondisi operasi
seperti aliran gas, temperatur daD tekanan
diramalkan. Mula-mula untuk mensedeherhanakan
persoalan kita pelajari MOCVD dari TiOz. Sekarang
pengetesan menunjukkan kerataan deposisi dapat
mencapai sekitar I %14). Dalam tahap berikutnya
akan dicoba deposisi dari III-V berupa GaN.
Penelitian ini didukung oleh program Hibah Tim
Semikonduktor paduan yang terkenal
adalah dari golongan III-V,
yang terkenal
diantaranya GaAs clan Info Semikonduktor paduan
ini digunakan karena mempunyai konduktivitas
lebih tinggi clan memberikan waktu tanggap yang
lebih pendek, oleh karena itu mampu menangani
frekuensi sampai seratusan GHz. Pemakaian
semikonduktor paduan adalah untuk membuat
devais-devais frekuensi tinggi seperti piranti
gelombang mikro clan dalam opto-elektronika.
dari Proyek URGE.
Dalam opto~elektronika ada 2 jenis bahan yang
Kegiatan lain dalam bidang Compound
digunakan yaitu yang berlandaskan : GaAs clanInP.
GaAs digunakan untuk gelombang -800 nm clan Semiconductor adalah pembuatan lapisan-lapisan
tipis untuk sel surra. Semikonduktor paduan yang
InPuntuk panjang gelombang 1300 clan 1500 nm.
berkaitan dengan ini adalah ikatan-ikatan Se daD Te.
Temyata penelitian dalam semikonduktor
paduan di Indonesia telah dimulai dari sintesa bahan Paduan-paduan tersebut misalnya CdSI5), lng,
sampai dengan pembuatan LED. Dalam proses InSe16) daD GazSe316),PbTeI7). Kesemuanya ini
dilaksanakan dengan metoda Close Space Vapor
pembuatan piranti, yang penting untuk dilakukan
Transport.
Group ini terutama dipimpin oleh A.
adalah menumbuhkan kristal dalam lapisan-lapisan
Mustofan daD didukung oleh F. Guastavino. Metoda
tip is yang dikenal sebagai epitaxial growth. Epitaxial
ini
mempunyai keuntungan bahwa metode
growth yang dipilih oleh Puslitbang Terapan LIPI
pembuatannya
sangat sederhana daD murah.
adalah menggunakan Liquid Phase Epitaxy (LPE)IO).
Percobaan ini dapat dilakukan dalam skala
Peralatan epitaxy yang digunakan dibeli dari RRC.
Substrat yang dipilih adalah InP clan bahan~bahan laboratorium.
Kelompok
lain
yang
melaksanakan
paduannya berupa paduan dari : GaAs, InAs, InP
clan In. Dalam LPE, bahan yang akan dipadu pembuatan CIS (Copper Indium Diselecnide) berada
LFT,
menggunakan metoda Bridgeman.
dilelehkan clan dicampur di atas permukaan substrat. di
Misalnya : Ga,.In1-.AsyPI-ydengan melebur dalam Kelompok ini dipimpin oleh Sdr. Masno Ginting,
dalam rangka proyek RUT.
lelehan dari GaAs, InAsdan InP di atas waver InP.
Lelehan tersebut dialirkan dengan kecepatan tertentu
BAHAN-BAHAN ELEKTRONIK LAINNY A
clan pada temperatur tertentu. LPE ini pertama kali
diusulkan oleh Nelson dalam th 1963. Penelitian di
Diantara bahan elektronik lainnya yang
LFT ini dipimpin oleh Sdr. Masbah Siregar1O)
penting adalah oksida-oksida, dapat berupa
dengan dana RUT I sampai dengan III. Dalam
penelitian tersebut juga telah dipelajari perancangan superkonduktor clan bahan ferro-electric. Disamping
bahan dengan bandgap engineering 11.12).Misalnya
itu untuk optoelektronik devais yang penting adalah
: polimer conjugated untuk bahan optik non linier,
untuk ~ = 1,3 nm diperlukan x = 0,28 clan y = 0,60.
Hasil pertumbuhannya telah dikarakterisasi dengan hal ini di luar lingkup pembahasanini.
Bidang superkonduktor diteliti lembagaSEM.
Dengan
melakukan
pengukuran
lembaga. Sebagai material ditelaah oleh Jurusan
elektroluminisensi didapat panjang gelombang yang
Fisika VI, BAT AN clan Jurusan Fisika ITB. Di VI
dipancarkan
mempunyai panjang gelombang
penelitian ini dilakukan oleh kelompok Sdr. Suharjo
berturut-turut 0.9 ; 1.17 ; 1.3 clan 1.55 Ilm. Metoda
LPE ini mempunyai kelemahan bahwa ketebalan Purtadi clan membatasi pada superkonduktor dalam
bentuk padatan. Kelompok dari BA TAN di bawah
basil deposisi lebih sulit untuk dikendalikan untuk
pimpinan Sdr. Wuryanto clan kelompok Sdr. Tjia
ketebalan kurang dati 60 nm.
May
On dari JurusanFisika ITB mempelajari bahanPendekatan Epitaxi yang lain yang
bahan
padatan clan film tebal dengan menggunakan
digunakan dalam semikonduktor paduan adalah
metoda Sol Gel. Kelompok Sdr. Tjia May On
MOCVD
(Metal
Organic
Chemical Vapor
terutama menelaah superkonduktor BSCCO clan
Deposition) clan MBE (Molecular Beam Epitaxy).
Prosidin PertemuanI/miah SainsMateri 1997
ISSN1410 -2897
mengarah kepada pembuatan dari tape BSCCO yang
digabung dengan bahan Ag. Kelompok Wuryanto Tjia May On melakukan penelitiannya dalam RUT I
sid III.
Penelitian dari Kelompok BATAN
dilanjutkan dalam RUT IV dan seterusnya bersamasarna team Sdr. Chunaeni Latief meneliti Lapisan
Tipis Superkonduktor.
Untuk
keperluan
penerapan dalam
elektronika untUk pembuatan devais-devais yang
diperlukan adalah Film Tipis dari Superkonduktor.
Penelitian Film Tipis YBCO dirintis di Jurusan
Fisika di Lab penulis sejak th 1992 dengan bantuan
Proyek Basic Science. Metoda yang digunakan
adalah Unballanced Magnetron Sputtering. Baru
berhasil dengan baik dalam tho 199518).Selanjutnya
dalam tho 1996 telah dibuat piranti-piranti berupa
Josephson Junction 19) dan Superconducting Field
Effect TransistorO) (SUFET). Karakteristik I-V dari
Sufet dan JosephsonJunction telah diukur.
SuatU bidang pemakaian superkonduktor
yang
penting
adalah pemakaiannya dalam
gelombang mikro. Dengan menggunakan microstrip
dan strip line technology, dimungkinkan membuat
resonator yang mempunyai nilai Q yang lebih besar
daripada resonator-resonator yang dibuat dengan
teknik yang konvensional (tabung resonator dan
sebagainya). Sampai sekarang penelitian ini belum
dapat dilaksanakan karena kesulitan-kesulitan dalam
pengetesandari resonator-resonator tersebut.
Oksida lain yang menarik adalah bahan
Ferro-electric. Bahan ferroelectric ini merupakan
suatU sub kelompok dari bahan piro-elektrik oleh
karena itU ia juga mempunyai sifat pizo-elektrik
disamping sifat ferro-electric.
Penerapannyaantara lain:
.Dari
sifat histeresis dari bahan tersebut
memungkinkan untuk digunakan untUk memori
disamping itU konstanta dielektriknya sangat
tinggi.
.Sifat piezo-elektriknya telah digunakan untuk
sensordan aktUator elektromekanik.
.Sifat piezo-elektriknya dapat digunakan untUk
detektor IR.
.Film Tipis ferro-electric mempunyai sifat-sifat
optik non linier, karena itu juga digunakan dalam
piranti elektronik sebagai modulator dan switch
optik.
.Penerapannya yang terpenting dalam elektronika
ini adalah pemakaian dalam memori dengan
kapasitas tinggi yaitu dengan kapasitas 16 Mbit
sampai 256 Mbit. Contoh-contoh bahan ferroelectric adalah PZT (PbZ4O3dan PbTi03) LPZT
(PZT + (2-18) % La) berturut-tUrut mempunyai
permitivitas relatipnya : 700-1200 dan 1000.~
Bahan-bahan ini dapat dibuat dengan proses
MOCVD dan Sputtering. Penelitian tentang ini
akan dimulai dalam Lab Fisika
Material
Elektronik, oleh karena sistem-sistem peralatannya
sudah tersedia.
POLA INDUSTRI ELEKTRONIKA
OPTOELEKTRONIKA MASA KINI
DAN
Untuk menentukan arab penelitian yang
berorientasi pada globalisasi, hendaknya kita dapat
melihat pola pasaran elektronika clan optoelektronika. Sebagai gambaran dalam gambar I kita
kutip : pola industri semikonduktor dalam tho
199321).Dari $ 85.6 B, hanya 3.5 % yang termasuk
optoelektronika. Perhatikan pula bahwa 28.5 % dari
pasaran ini bernpa IC memori. Oleh karena itu
banyak negara-negara industri barn beriomba-lomba
memasuki bidang ini. Dalam tho 1993, kapasitas
memori telah mencapai 64 Mbit. Peningkatan
kapasitas ini disamping memerlukan bahan dengan
permitivitas yang tinggi seperti diuraikan di atas,
juga
perlu diusahakan lithographinya
harns
diturnnkan. Misalnya untuk 1 Mbit RAM.
Litografinya perlu 0.8 11mclan untuk 16 Mb perlu
diperkecillagi sampai 0.4 11m.
Gambar
lndustri semikonduktor1993
Dalam
IC
elektronik,
perbandingan
penggunaan MOSFET,
Bipolar
daD III-V
diperlihatkan dalam gambar 2. Perkiraan pemakaian
IC, dari GaAs, adalah sekitar 4 % IC dari GaAs,
digunakan dalam peralatan militer yang memerlukan
IC yang mempunyai kecepatan yang sangat tinggi,
misalnya dalam radar atau memerlukan daya rendah,
seperti daiam komunikasi selular, sehubungan
dengan berkembangnya tilpun genggam. Dalam
28
Prosidinf!Pertemuanllmiah Sa;nsMater; /997
/SSN/4/0 -2897
bidang inj nampak kenaikan dalam pemakaian
devais-devais golongan III-V. Temyata yang paling
hemal
energi
adalah justru
devais-devais
superkonduktor. Dalam teknologi satelit misalnya
orang telah menunjuki,<anbahwa ia dapat mereduksi
berat satelit. Disamping itu di alas sudah dijelaskan
bahwa
resonator-resonator
superkonduktor
mempunyai nilai Q yang jauh lebih besar daripada
yang konvensional. Dalam majalah the Industrial
Physicist Maret
1997, dinyatakan prospek
penggunaan superkonduktor temperatur tinggi dalam
komunikasi seluler sangat baik, karena noise dalam
peralatan tersebut kecil sehingga jangkauannya akan
Gambar 3. Optoelektronika
lebih jauh lagi.
~
i
I
Garnbar 2. Pasaran IC 1980 -2000
Ruang lingkup
dari
optoelektronik22)
diperlihatkan dalam gambar 3.. Pasarandunia dalam
tho 1995 diperlihatkan dalam gambar 423)dimana
pasarantotalnya US $ 6.5 milyard, setelah dikurangi
CCD, sedangkan pasaran dari sel surya hanya 2 %.
Gambar4. Pasarankomponenoptoelektronika1995
Pemakaian komponen-komponen opto-elektronik
tidak hanya dalam komunikasi fiber optik, tapi juga
dalam optical recording, dalam laser printer.
Menurut proses pembuatan komponen-komponen
optoelektronika ini grafiknya diperlihatkan dalam
gambar 4. Kita melihat trend penggunaan MOCVD
LIE
13%
oMVPE
25%
dalam
piranti-elektronika
pun
meningkat.
Sebelumnya kita telah melihat bahwa semua
peralatan
opto-elektronika
menggunakan
semikonduktor campuran, karena belum ada sumber
cahaya yang dapat dibuat dari silikon. Kami sejak
0%
2000
,.,
Gambar
5. lndustri
awal menyebutkan komponen-komponenoptoelektronika dalam makalah ini, karena dalam waktu
yang dekat Indonesia akan memasuki sistem
multimedia dimana komunikasi fiber optik clan
optoelektronika akan memegang peranan yang
penting.
Kami melihat seperti halnya kebijaksanaan
listrik masuk desa memicu perkembangan sel surya,
sistem jaringan multi media dapat dimanfaatkan
untuk
mendorong
perkembangan
industri
optoelektronik.
komponen
optoelektronika
menurut
proses
PENUTUP
Dalam penutup ini kita ingin membahas
beberapa jauh kemajuan kita dan bagaimana
penelitian kita ini dibandingkan dengan penelitianpenelitian di negara-negara industri barn.
Dari
uraian
tentang
perkembangan
penelitian
dalam
bidang
elektronika
dan
optoelektronika di Indonesia, kita mengamati adanya
29
Prosidin PertemuanJ/miahSainsMateri /997
/SSN/4/0- 2897
kemajuan dalam berbagai bidang yang relatif barn.
Ada dua faktor yang menyebabkan hal ini yaitu
pertama tersedianya anggaran penelitian di
lingkungan perguruan tinggi maupun berasal dari
pemerintah mela.lui dana RUT. Sebenarnya dana ini
sudah memperlihatkan hasil-hasilnya. Mudahmudahan dana-dana oleh pemerintah untuk
penelitian ini, yang sekurang-kurangnya 2 % dari
pendapatanpemerintah dapat dipertahankan.
Dari sekitar 20 tahunan yang lalu investasi
yang terbesar hanya disalurkanke lembaga-lembaga
penelitian. Barn 10th terakhir ini mulai disalurkan
ke Perguruan-perguruan tinggi. Apabila sepuluh
tahunan yang lalu dana tersebut mengalir ke "PusatPusat Antar Universitas" maka dalam 3 tahun
terakhir ini dana-dana tersebut dialirkan lewat
Center Grant, dengan referee yang terdiri dari
ilmuwan-ilmuwan Nasional dan tokoh-tokoh dari
luar negeri. Sistem referee yang demikian barn
pertama kali dilakukan di Indonesia.
Dalam globalisasi kita harus bersaing dan
meningkatkan negara kita ke dalam negara-negara
industri barn. Negara-negara industri barn ini seperti
Taiwan dan Korea, mempunyai kemampuan yang
unik untuk memasukkan teknologi-teknologi yang
relatif canggih yang memberikan prospek pasaran
yang balk. Teknologi serupa ini yang diraih oleh :
negara-negara industri barn adalah teknologi
submikron dan pengembangan flat panel display.
Keduanya mempunyai prospek pasaranyang cerah.
Marilah kita simak suatu contoh proyek
pengembangan teknologi di negara industri barn,
yaitu yang dikenal sebagai "submicron project" di
Taiwan24)."Submicron project" ini dilontarkan untuk
merebut sebagian dari pasaran memori yang
merupakan 28.5 % dari seluruh penjualan IC.
Taiwan melontar proyek tersebut dalam
tahun 1990, dengan anggaran pemerintah sebesar: $
250 juta dari Kementerian Urusan Ekonomi ! Hasil
pengembangan mereka dalam tahun 1997 dibangun
10 industri barn dalam DRAM.
Suatu pola pengembangan R & 0 yang
dianut oleh Taiwan adalah sistem Science Based
Industrial Park yang dibangun di Hsinchu dan
dimodelkan pada Silicon Valey di California. Luas
daerah ini 658 ha. Investasi pemerintah untuk ini
adalah $ 1.2 milyard. Di daerah ini didirikan
sejumlah industri IC.
Uraian di atas hanya digunakan untuk
memberikan suatu itustrasi dari apa yang disebut
negara Industri barn dan merupakan gambaran
mengenai tantangan yang kita hadapi dalam
pengembangan
industrielektronik.
30
Dalam penelitian di Indonesia yang
diuraikan di alas, masih banyak yang harus dibenahi
sebelum dapat mencapai lahar industrialisasi. Dalam
industri penelitian tidak cukup sampai menunjukkan
terciptanya suatu produk barn, tapi kehandalannya
pun perlu diuji. Selanjutnya SDM untuk industri ini
masih jauh terbelakang. Masalah SDM untuk
industri elektronika dari lapisan rendah menengah
sampai tingkat R & D hams ditangani secara khusus.
Memang
konsolidasi
penelitian-penelitian
di
Indonesia belum dapat dilakukan seperti di Taiwan,
tapi dari segi anggaran pun kita masih jauh di
belakang negeri kecil itu, sehingga timbul
pertanyaan dengan investasi ala kadamya, dapatkah
kita memasuki persaingan global? Mudah-mudahan
pembahasan ini dapat mempakan bahan renungan
untuk mengembangkan industri elektronika kita daD
berapa jauh R & D kita hams dipicu untuk
menghadapi saingan global ini.
Akhimya, penulis ingin menyampaikan
terimakasih sebesar-besamyapada Sdr. Dr. Anung
Kusnowo, Dr. Masbah Siregar, Dr. Toto Sugandi
daD Dr. Basuki Sugeng alas segala keteranganketerangannya yang mempakan bahan dari makalah
ini.
DAFTAR PUSTAKA
[I] OEMRI, A., GINTING, M., ROSYID, R. M.,
RUSNAENI, N., BUDJARTO, SYAHFANDJ,
ALIDA, ARLINAH, SUMARYADJ, P.,
BUCHORI, Laporan RUT I, Penelitian
PembuatanKristal Silikon.
[2] RASHID, M., OEMRI A., GINTING M.,
ProsidingSeminarIlmiah LP3FT (1994)259.
[3] OEMRI A., GINTING M., RASYID dan
MUCHIAR, Prosiding SeminarIlmiah LP3FT
(1994)73.
[4] ISMET, 1., SUDARMINTO, SHOBIH,
SUMARDI, D. dan RAHMAT, Proc. 16th
National Symposium on Physics 12-14 Dec
(1996)327.
[5] SULAEMAN,E., ISMET, I." ERLYTA, S.R.
dan SIMBOLON A., Proc. 16th National
Symposiumon Physics12-14Dec (1996)279.
[6] SUKIRNO, WINATA, T., LATIEF, C.,
BARMA WI, M., Proc. 16th National
Symposiumon Physics12-14Dec (1996)221.
[7) WENAS, W. dan TRIWIYONO, Proc. 16th
National Symposium on Physics 12-14 Dec
(1996)317.
[8) WENAS, W., Proc. 16thNational Symposium
on Physics12-14Dec (1996)322.
Pros;d;nf!
Pertemuaft I/m;ah Sa;ns Mater;
J997
ISSN J 4 J 0 -2897
National Symposiumon Physics 12-14 Dec
(1996)256.
[17]NUGRAHA, SULARDJO dan GUSTAVINO,
F., Proc. 16thNational Symposiumon Physics
12-14Dec (1996)269.
[I 8] BARMAWI, M., LATIEF, C., NAINGGOLAN,
Lingkungan (1995)/(1996).
J., Proc. 16thNational Symposiumon Physics
[ll}SfREGAR, M.T., YUMIN, S. E., BAYUWATI,
12-14Dec (1996)339.
D. dan WALUYA, T.B., Seminar Nasional hasil
[19]LATIEF, C., FAUZIA, V. dan BARMAWI, M.,
Penelitian dan pengembanganFisika Terapan &
Proc. 16thNational Symposiumon Physics 12Lingkungan (1994)/( 1995).
14Dec (1996)345.
[12}SIREGAR,
M.T.,
BAYUWATI,
D. dan
[20]LATIEF, C., FAUZIA, V. dan BARMAWI, M.,
WALUY A, T.B., Seminar Nasional hasil
Proc. 16thNational Symposiumon Physics 12Penelitian dan PengembanganFisika Terapan &
14Dec (1996)350.
Lingkungan (1994)/(1995).
[21] CHANG, C.Y.,
dan SZE, S.M., ULSI
[13} BARMA WI,
M.
dan
SANI,
R.A.,
Technology,Mc Graw Hill, (1996).
Proc.lnt.Conference on Micro-electronics 1996,
[22]SUEMATSU, Y.
dan ADAMS, A.R.,
16-17 Jan 1996,50
handbookof SemiconductorLaserand Photonic
[14}BARMAW1, M. dan SANI, R.A., International
IntegratedCircuit, Chapman& Hall (1994).
Conference on Thin Film Physics and
[23] MOON, R.L., Journalof Crystal Growth l1Q.,
Application, 15-17 April (1997)
[15] MUSTOVAN, A., Am, R., RUSNAENI, N.
(1977).
[24] HAA VIND, R., Solid State Technology Nov
dan GUST A VINO, F., Proc. 16th National
(1994),Supplement,S23.
Symposium on Physics 12-14 Dec (1996) 265.
[25] KORCZYNSKI, E.D., Solid State Technology
[16] MUSTOVAN, A., Am, R., RUSNAENI, N.,
Feb(1994),Supplement,
S14.
SUDJONO, H.K., GUSTAVINO, E., Proc. 16th
[9] WENAS, W., Proc. 16th National Symposiutn
on Physics 12-14 Dec (1996) 312.
[IO]SIREGAR,
M.T., BAYUWATI,
D. dan
WALUYA,
T.B., Seminar Nasional hasil
Penelitian dan pengembanganFisika Terapan &
31