BAB VIII KRISTAL SEMIKONDUKTOR TIK : (1) Dapat Membedakan Jenis Semikonduktor (2) Dapat Menghitung Konsentrasi Elektron dan Konsentrasi Hole Semikonduktor (3) Dapat Membedakan Antara Elektron dan Hole SEMIKONDUKTOR (1) Intrinsik Contoh : Semikonduktor murni (tanpa pengotoran) : Gol IV A (Si; Ge) (2) Ekstrinsik : Semikonduktor tidak murni (karena suda disisipi atom-atom lain) Gol III A dan V A dapat digunakan untuk mengotori semikonduktor murni Si Si Celah Mengukur Celah Energi (Eg) (1) Penyerapan Langsung (2) Penyerapan tak Langsung (1) Penyerapan Langsung Si memiliki sel primitif berbentuk kubus. 1 buah e yang dipakai bersama E h Eg (2) Penyerapan Tak Langsung = phonon = Foton Eg ± = Untuk Eg + = berarti phonon dibangkitkan atau = berarti fonon diserap dipancarkan Untuk Eg - Penyerapan langsung Penyerapan tidak langsung Persamaan Gerak Elektron Dalam Pita Energi Kecepatan kelompok untuk beberapa fungsi gelombang yang di bungkus dalam sebuah paket gelombang dengan vektor gelombang : k adalah : V g Frekuensi sudut : d dk E E = energi 6,63 10 34 J .s 2 3,24 h 2 d dk Maka: V g d E dk 1 d E dk 1 Ek Atau V g (1) Usaha yang dilakukan oleh medan listrik pada elektron adalah: E F .x eE.Vg . t (2) Dengan : E = medan listrik Juga tahu bahwa E dapat ditulis : E dE k dk Dari persamaan (1) kita dapatkan: dE dk Vg Maka : E V g k Dengan membandingkan persamaan (2) dan (3) kita peroleh: E E Jadi : eE.Vg t Vg . k k eE t (3) Atau F k t eE dk dt merupakan persamaan gerak e dalam semikonduktor Massa Efektif (m*) Apabila kita turunan vg terhadap waktu, maka kita akan memperoleh : dvg dt d2 dkdt 1 1 Dari persamaan gerak kita tahu bahwa dk / dt F / Ingat ! bahwa . Oleh karena : dan Maka : F = Gaya pada persamaan (4) akan sama dengan Dengan m* sering disebut dengan massa efektif. Perbedaan Antara Hole dan Elektron d 2 dk dk 2 dt (1) (2) (3) (4) (5) Konsentrasi elektron (pembawa) dalam semikonduktor murni (intrinsik) terhadap celah energi (Eg) Distribusi Fermi-Dirac Untuk maka : Bila energi sebuah elektron dalam pita konduksi adalah : Dari bab VI kita tahu bahwa : rapat keadaan (density of state) dapat ditulis sebagai berikut Jumlah elektron dalam pita konduksi adalah : N De g fe d V 2me 2 2 Eg 2 3/ 2 Maka konsentrasi elektronnya adalah : EK 1 2 ( e E) kBT d ne Eg ne ne 2 2 1 2 2 3/ 2 2me 2 1 2 me 2 mkT 2 e b2 2 1 2 EK ( kBT 3/ 2 kBT e E) e EK 1 2 e E d kBT d Eg 3 2 E K / k bT e .................................... (6) Pers (6) merupakan persamaan yang menyatakan konsentrasi dalam pita konsuksi tetapi belum merupakan fungsi Eg. Untuk menjadikan persamaan 6 sebagai fungsi Eg terlebih dahulu kita hitung konsentrasi hole dalam pita valensi. Distribusi Fermi-Dirac untuk hole adalah : fh + fe = 1 fh = 1- fe fh fh fh fh eE eE e e / K BT E E 1 / K BT 1 e E / K BT / K BT / K BT 1 1 1 1 1 1 e E / K BT 1 1 e E / K BT Untuk (є - µ) >> kB T, maka: f h Rapat keadaan untuk hole adalah : e E / K BT 1 e E / K BT 1 E P.K EK EV P.V Konsentrasi hole adalah : EV np np np 1 2 1 2 2 2 3/ 2 2me 2 2me 2 m kT 2 h b2 2 1 2 EV 3/ 2 EV e 3 2 e kBT EV (E e ) kBT 1 EK 2 e d E kBT d / kbT Untuk semikonduktor intrinsik : ne = np Konsentrasi hole ne n p mkT 2 e b2 2 ne n p kT 4 b 2 2 ne n p Ce 3 e ne nh mkT 2 h b2 2 me mh 3 2 e 4 e EK EV / kbT Eg / kbT maka : ne2 maka ne EK / kbT 3 Jika ne = np ne n p 2 n 2p np Ce Ce K T 2 B2 2 Eg / kbT E g / k bT 3 2 me .mh 3 Eg 2 K BT 3 2 e EV / kbT