PENGUKURAN DAN PERmTUNGAN GRADffiN MEDAN LISTRIK

ProsidingPertemuanIlmiah SainsMateri 1996
PENGUKURAN DAN PERmTUNGAN GRADffiN MEDAN LISTRIK PADA
KRISTAL SILIKON1
Th. Djoko Surono2
ABSTRAK
PENGUKURAN DAN PERlnTUNGAN GRADIEN MEDAN LISTRIK PADA KRISTAL SILIKON.
Penambahanatom fluorine pada pembuatandevais semikonduktor dapat mengakibatkanefek yang menguntungkan,tetapi
mengapafenomenaini bisa terjadi daDapapecanfluorine dalamfenomenaini tidak sepenuhnya
dimengerti. Pengukurangradien
medanlistrik merupakanlangkahawal untuk memahamifenomenatersebutdi atas. Padapenelitian ini dilakukan pengukuran
gradien medan listrik pada posisi yang ditempati oleh fluorine yamg diimplantasikanke kristal silikon. Pengukuraninteraksi
quadrupole nuklir dilakukan menggunakanmetode distribusi sinar-y (TDPAD). Hasil pengukuranmenunjukkanadanya 3
interaksi masing-masingdenganfrekuensi quadrupolevQ=23,2(3); 35,2(3) daD 37,1(5) MHz. Dihitung menggunakanharga
momenquadrupolenuklir QF=O,072(4)barn, gradienmedanlistrik dati masing-masinginteraksi adalahVzz=I,33(8); 2,02(11)
daD2,13(13)xI022V/m2. Perhitunganteoritis menggunakanmetodeHartree-FockdaDDensity Functional Theory memberikan
basil yang konsisten denganpengukuraneksperimental. Dari sini diketahui bahwa atom-atomF terimplantasi pada posisi
antibondingyaitu beradapadajarak 1,81 A sepanjangarab<III> daDpadaposisi intrabondingsedemikiansehinggajarakSi-Si
mengembang1,02A dati hargaawal. Interaksiketigayangteramatidalam eksperimenini kemungkinanberasaldati posisi-posisi
yangadahubungannyadengancacatkristal ataupunimpuritaskristal.
ABSTRACT
MEASUREMENTS AND 11IEORITICAL CALCULAnONS OF ELECTRIC FIELD GRADIENT IN
CRYSTALLINE SILICON. The adding of small amountof fluorine in semiconductordevice fabrication can improve the
performanceof the devices,but how this phenomenaoccur and the role played by fluorine are not fully understood.In this
reseacrh measurements
of electric field gradientwereperformedon the sitesoccupiedby implantedfluorine in crystallinesilicon.
The measurementsof nuclearquadrupoleinteractionswere performedusing y-ray distribution method (mPAD). The results
show 3 interactions with quadrupolefrequenciesof vQ=23,2(3); 35,2(3) and 37,1(5) MHz. Using the value of quadrupole
momentQp=O,072(4)barn, the electric field gradientswere found Vzz=I,33(8); 2,02(11)and 2,13(13)xI022V/m2. Theoretical
calculationsusing Hartree-Fockapproximationand DensityFunctionalTheorygive consistentto the experimentalresults. The
implantedF atomsoccupy antibondingposition, 1.81 A awayfrom a silicon atom in the <III> direction, and in the interstitial
bond center sites so that the Si-Si expands1.02 A from the original position. The third interaction probably originated from
positionsrelatedto defector impurity.
PENDAHULUAN
Penambahanfluorine (F) dalam pembuatan
devais semikonduktor dapat memberikan
beberapa efek positif [1-4].
Keberadaan
fluorine dapat mempengaruhi sifat-sifat
kelistrikan devais yang dihasilkan seperti
meningkatkan efisiensi doping, mengurangi
arus bocoran pada dioda, mempertinggimutu
kapasitor MaS (Metal Oxide Semiconduktor
Capacitance),transistorMaS, dll. Bagaimana
mekanismeyang terjadi daD apa peran atomatomF dalam semikonduktortidak sepenuh-nya
dimengerti. Salah satu langkah untuk
memahamihal tersebutdi atasadalah dengan
mengukur gradien rowan listrik pada posisiposisi yang ditempati oleh atom-atomF dalam
kristal silikon. Pada penelitian ini dilakukan
pengukurangradien medanlistrik pada posisiposisi yang ditempati oleh atom-atomF yang
diimplantasikan ke dalam bahan silikon.
Pengukuran gradien medan listrik dilakukan
menggunakanmetode TDPAD [5-7]. Teknik
pengukuran lainnya
seperti Mosbauer daD
Resonansi Quadrupole Listrik tidak dapat
digunakanuntuk atomF karenadalam keadaan
dasar
(ground state) inti atom 19Fmempunyai
spinV2.
Hasil pengukuraneksperimentalkemudian
dibandingkan dengan perhitungan teoritis
menggunakanprogram Gaussian92 [8]. Dari
perbandinganini akan diketahui posisi-posisi
yang kemungkinanditempatioleh atom-atomF
yangdiimplantasikan.
Pengukuran illP AD sulit dibandingkan
denganperhitunganteoritis karena kompleksnya perhitungan yang melibatkan banyak
elektron. Namun, seperti dilaporkan Bonde
Nielson dkk. [9], pengukuranillPAD perlu
dilengkapi dengan perhitungan teoritis agar
posisi-posisiyang ditempati oleh atom yang
diimplantasikandapatdiketahui. Dalam sepuluh tahun terakhir ini kemajuantelah banyak
dicapai dalam hal perangkatkeras (komputer)
maupunperangkatlunak sehinggaperhitungan
I Dipresentasikan pada Pertemiuan Ilmiah gains Materi, Serpong, 1996
2 Pusat Penelitan gains Materi, Batan, PUSPIPTEK Serpong, 15310
405
.N!)1/21
gradien medan listrik relatif mudah dilakukan.
Sulaeman dkk. [10] melakukan perhitungan
gradien medan listrik pada posisisi-posisi yang
ditempati oleh atom-atom F dalam Silikon
menggunakan metode Unrestricted Hartree
F ock. Hasil perhitungannya sesuai dengan
pengukuran Bonde Nielson dkk. [9] namun
mereka tidak sependapat tentang posisi yang
ditempati oleh atom-atom F.
Dalam makalah ini dilaporkan basil pengukuran TDP AD dan perhitungan numerik. Tiga
metode digunakan dalam perhitungan numerik
yaitu
Restricted Hartree
Fock (RHF),
Unrestricted Hartree Fock (UHF) dan Density
Functional Theory (DFT). Dua yang pertama
(RHF dan UHF) berdasarkan pada teori HatreeFock di mana keadaan elektron digambarkan
daD posisi atom tetangga ke-k sedangkanR
dapatdinyatakansebagaiR2=X)2+X!+X+X32.
Rapat muatan dapat dihitung jika fungsi
gelombang elektron I'I'} diketahui. Secara
teoritis I'P} dapat ditentukan daTi persamaan
SchiidingerH I'P}=E I'P}. Persamaantersebut
sangatsulit untuk diselesaikansecaraanalitik,
biasanyadilakukan aproksimasidaDdiselesaikan secaranumerik. Metode yang sering digunakan antara lain Hartree-Fock Approxiamation (HF) daD Density Functional Theory
(DFf) [11-15].
Aproksimasi Hartree-Fock menggunakan
fungsi gelombang yang ditentukan oleh
determinanSlater[12],
'P(X)'X2""'Xn)=
menggunakan
fungsi
gelombang
yang
ditentukan oleh determinan Slater. Perhitungan
DFT dilakukan menggunakan fungsional rapat
elektron
p(r) tanpa menghitung fungsi
'Xi(X\)
Xj(X\)."Xk.(X\)
~i(X2)
Xj(X2)"'Xk.(X2
(3)
gelombang 'P(r).
IAi(Xn)
TEORI
Gradien medan listrik adalah turunan kedua
dari skalar potensial,
V jj=d2V IdXjdXj, yang
merupakan sebuah tensor. Sifat fisis ini berasal
dari adanya distribusi
muatan yang tidak
simetri-bola.
Sebagai contoh, adanya distribusi
elektron di sekitar inti atom yang tidak simetribola dapat menimbulkan gradien medan listrik
pada inti atom.
Pada atom be-bas, elektronelektron
yang tidak berpasangan merupakan
penyebab utarna timbulnya
gradien medan
listrik.
Kulit
atom yang penuh membe-ri
konstribusi negatif melalui proses Stemhei-mer
Screening,
Vzz =V:{I-y(r)}
(I).
Pada atom yang terikat pada molekul atau zat
mampat maka atom tetangga juga memberi
kontribusi
terhadap besar kecilnya
gradien
medan listrik pada inti atom yang sedang
dipelajari.
Keberadaan atom-atom tetangga
tersebut
dapat
menyebabkan
terjadinya
polarisasi muatan pada kulit atom yang sedang
dipelajari.
Terjadinya
polarisasi ini menimbulkan efek yang disebut anti screening yakni
memperbesar gradien medan listrik.
Secara
umum gradien medan listrik pada inti yang
dikelilingi
oleh elektron
dengan
muatan p(r) dapat ditulis sebagai
Vii = J p(r)(3x;x
j -S;72
}:Z1(3Xj1X;
kerapatan
)r-s d3r-
-SjjRi)R1-s
(2).
k
Suku ke dua merupakan kontribusi atom-atom
tetangga. Simbol 4 dan Xjk menyatakan muatan
40(\
Xj(Xn)...Xk(Xn
di mana (N!y/2 merupakan faktor normalisasi
daD Xl(XJ adalah fungsi gelombang satu
elektron. Persamaan (3) biasanya ditulis lebih
sederhanasebagai
'P(Xl,X2,"',Xn)=
(N!y/2IX;(Xl),Xj(X21}"Xt(xn)}
(4)
Pada persamaan (4) hanya elektron yang
mempunyai spin paralel terkorelasi, elektron
dengan spin antiparalel tidak terkorelasi daD
dapat mempunyai fungsi gelombang orbital
yang sarna.
Dalam teori fungsional densitas sistem
banyak elektron diselesaikan tanpa perhitu-ngan
fungsi gelombang elektron I'P) [14,15]. Sifatsifat elektronik bahan ditentukan dengan
densitas elektron p(r) daD densitas spin Po'
Energi dari sistem dinyatakan sebagai
E(p) = V(r)p(r)d3r+
e2
J P(r)p(r/).13 r d 3r I +
-""2 I; :-;;I-a
~(21t2)3/2 f p(r)S/2d3r
(5).
Suku pertama menyatakan energi yang berasal
dari sistem elektron dengan densitas p(r) yang
berada pada potensial V(r), suku kedua
menyatakan energi interaksi Coulomb antar
elektron clan yang terakhir merupakan energi
kinetik dari elektron gas. Densitas muatan p(r)
tidak dihitung dari fungsi gelombang I'JIo}
namun langsung dari persamaan
r-r
(5)
disebut Time Differential Perturbed Angu-lar
DistributionsffiPAD [7].
Lagrange.
parameter
adalah
11
mana
di
,
d3r}
p(r')
1
l
(2m)3/2
2 {1l-V(r)-eJ3n
p(r) =
CARA 'KERJA
Atom-atom fluorine diimplantasikan ke
dalam silikon wafer dengan cara menembaki
lapisan tipis CaPl dengan berkas proton.
Lapisan tipis tersebut dibuat pada substrat
silikon wafer dengan ketebalan 30 JLglcml atau
kurang lebih 1 JJ.In. Calcium fluoride digunakan sebagai bahan pemasok atom F. Bahan ini
dipilih karena mempunyai struktur kubik
sehingga gradien medan listrik pada titik-titik
kisinya nolo Cuplikan tersebut kemudian dipasang pada pemegang cuplikan (gambar 1) daD
ditembaki
dengan berkas proton yang
dihasilkan dari sebuah akselerator. Atom-atom
F yang terkena tembakan akan mengalami
reaksi nuklir 19p(p,p'Y9p* daD isomer basil
reaksinya 19p* dalam keadaan tereksitasi
terpental masuk ke dalam substrat silikon.
Isomer ini memancarkan sinar-y dengan waktu
paruh T 112=85.5DaDOdetik, internal spin 1=5/2
daD momen quadrupole nuklir Q=O.072(4) barn
[16].
Gambar 2: Skema pengukuran gradien medan
listrik menggunakanmetode illPAD
RASIL DAN PEMBAHASAN
Hasil pengukuran TDP AD dapat dilihat pacta
gambar 3. Gambm:3a memperlihatkan interaksi
quadrupole listrik pacta domain waktu, R(t),
yang didefinisikan sebagai
R( t) =
N(O°,t)-N(90°,t)
1
2N(O
0
(5)
0
,1) + N(90 ,1)
Fungsi R(t) menyimpan semua parameter yang
diperlukan dalam perhitungan gradien medan
listrik.
Dari gambar grafik R(t) dapat dilakukan fitting [7] sehingga kita dapat mendapatkan energi interaksi quadrupole ~=hVQ' di
mana VQ adalah frekuensi quadrupole. Energi
interaksi dapat dilihat denganjelas pactagambar
3b yang merupakan transformasi Fourier daTi
gambar 3a. Atom-atom F yang terimplantasi
pacta kristal silikon akan menem-pati posisiposisi
tertentu sehingga dipengaru-hi oleh
gradien medan listrik yang berbeda. Misalnya,
suatu atom yang teimplantasi pacta posisi A
akan dipengaruhi oleh gradien medan listrik
v~ daD
menghasilkan
energi
interaksi
Gambar1: Pemegangcuplikanyangdipasang
padatabung pemanduberkas
proton.
Dalam kristal silikon. momen quadrupole
dari isomer 19p* akan berinteraksi dengan
gradien medan listrik lokal V zz. lnteraksi quadrupole nuklir ini dapat diamati dengan tara
mendeteksi sinar-y yang dipancarkan sebagai
fungsi waktu t daD sudut 9 di mana t menyatakan selang waktu antara terjadinya reaksi nuklir
sampai dengan tertangkapnya sinar-y pada
detektor daD 9 menyatakan sudut antara herkas
proton dengan sinar-y yang dipan-carkan
(gambar 2).
Metode pengukuran terse-but
E~=V~Q'
Isomer 19F* mempunyai spin 5/2 maka
untuk setiap harga V zz akan terdapat tiga frekuensi interaksi, namun biasanya hanya dua
yang teramati. Pactagambar 3b terlihat 3 interaksi. Ke tiga interaksi tersebut dapat ditulis
sebagai (VII, VI2), (V21, V22) dan (V31, V12) di
mana angka yang pertama menyatakan nomor
interaksi dan angka yang ke dua menyatakan
nomor frekuensi.
Parameter frekuensi tersebut digunakan
sebagai harga awal perhitungan fitting. Hasil
akhir fitting tampak sebagai garis malar pacta
gambar 3a sedangkan parameter yang dicari
dapat dilihat pactatabel 1
407
1M}
-;;ah
silikon (lihat gambar4). Studi lebih lanjut yang
melibatkan terobosandeuterium pacta silikon
[17] menyebabkanposisi antibondingdianggap
lebih sesuai. lnteraksi denganfrekuensivQ=23
MHz yang muncul baik pacta kristal maupun
pactaamorphoussilikon mungkin disebabkan
adanya cacat
atau
fluorine
yang
terimplantasipada
posisiacak.
0.06
(8)
0.04
0.02
s:
~
0.00
-0.02
-0.04
200
400
600
800
arab<111>
""
Waktu (DanOdetik)
arabanti
bonding
30
~
'c
(b)
~
20
~
t
I
'-'
(AB)
, ,
IBC'
\
I
,-'
"
VII
bonding
10
0
a.
\N
0
0
5
10
15
20
25
30
Frekuensi (MHz)
.Garnbar 4: Hasil pengukuran interaksi
quadrupole nuklir menggunakan metode
TDPAD. Garnbar(a) disebutspektrumwaktu,
garis malar merupkanhasil fitting. Garnbar(b)
adalahtransformasiFourierdari (a).
Tabel Hasil pengukuran gradien roedan
listrik Dada!\ilikon.
No.
Persentasi
VQ
Ivzzi
Int.
(%)
(MHz)
1022V/m2
2
31(2)
60(3}
9(3}
23,2(3)
35,2(3)
37,1(5)
1,33(8)
2,02(11)
2,13(13)
3
Hasil tersebut sesuai dengan basil yang
dilaporkan oleh Bonde Nielsen dkk. yaitu
adanya 2 interaksi utama dengan frekuensi
quadrupole sekitar 23 daD 35 MHz daD
mempunyai parameter asimetri 11 mendekati
Dol. Pactaeksperimenini juga terlihat adanya
suatu interaksi yang tidak begitu signifikan
dengankontribusi 9% daDfrekuensi37MHz.
lnteraksi yang mempunyai konstribusi
terbesar mempunyai frekuensi quadrupole
vQ=35MHz. Berdasarkanpactasimetri axial
<Ill>
Nielsen dkk. menyimpulkan bahwa
posisiyang di tempatioleh atom-atomF adalah
posisi bonding atau antibonding pactakristal
408
Gambar5: Gambardua deminsistruktur
kristal silikon. Dua posisiyang
mungkinditempatioleh atomF
digambarkandengangarispatah.
Sulaiman dkk. [10] melakukan perhitungan
teoritis gradien medan listrik pada kumpulan
atom3 FSi11H18clan FSi8H18(gambar 6). Atom
F diletakan pada posisi intrabond (ffi) clan
antibonding (AB). Hasil perhitungannya tidak
jauh berbeda dengan pengukuran eksperimental yaitu v~= 25,3 MHz clan v~=35,7 MHz
namun kesimpulannya berbeda sebab menurut
Nielsen interaksi dengan frekuensi 35 MHz
bersesuaian dengan posisi
anti-bonding
sedangkan menurut Sulaiman interaksi ini
berasal dati atom-atom F yang terimplantasi
pada posisi intra-bonding yakni di antara dua
atom silikon.
Perhitungan numerik pada penelitian ini
menggunakan ke dua konfigurasi pada gambar
6. Atom fluorine diletakkan pada bond-center
(lihat juga gambar 5) clan pada posisi antibonding. Untuk menutup ikatan yang terbuka
(danggling bonds) pada atom-atom silikon
digunakan hidrogen sedemikian sehingga
muatan netto dati konfigurasi tersebut Dol.
Hidrogen dipilih karena mempunyai struktur
elektronik yang sederhana daD diharapkan
3 Rumus kimia pada kumpulan atom ini tidak
merupakam senyawa kimia tetapi hanya
merupakan rekayasa matematik yang digunakan
dalam perhitungan numerik.
keberadaan atom-atom hidrogen ini tidak
mempengaruhibesarnyagradien medanlistrik
padapsosisiF.
atomyang lebihbesarsepertiMg danNa. Atom
Mg yang bervalensidua dapat mengisi dua
ikatan terbukasehinggadapat diletakkanpada
sisi kubus menggantikanatom silikon. Atom
Na yang bervalensisatu menutup satu ikatan
terbuka. Dengan cara ini konfigurasi antibonding dapat ditulis sebagai FS~Mg~a3'
jurnlah atom total yang terlibat dalam
perhitunganberkurangdaTi26 buah menjadi 14
buah. Basil perhitungannumerik dapatdilihat
padalabel3.
(b)
Gambar 6: (a) konfigurasi FSisHts daD (b)
FSittHts yang digunakan dalam perhitungan
numerik. Atom-atom H tidak diperlihatkan.
Pada konfigurasi simetrik FSisHts ato F
beradadi tengah-tengahdua atom silikon Si*.
Panjang ikatan Si*-Si* merupakanparameter
bebasketika dilakukan minimisasienergi total
dari sistem. Ikatan ini temyatamengembang
dari 2,35 A pada keadaannormal menjadi3,38
A. Perhitungannumerik gradienmedanlistrik
tergantungpada metodependekatandaD fungsi
gelombangyang digunakansepertiyang dapat
dilihat padatabel2. Rata-ratabasil perhi-tungan
(V~)=2,15xl022 V/m2 bersesuaian dengan
frekuensiquadrupolev~c =35,2(3)MHz. Dari
basil eksperimendaDperhitunganteoritis dapat
disimpulkan bahwa interaksi utama dengan
konstribusi60% berasaldari atom-atomF yang
terimplantasipada posisi BC. Dari tabel 2
dapat juga disimpulkan bah-wa perhitungan
numerik menggunakan fungsi yang lebih
kompleks seperti 3-21G daD 6-31G [8]
memberi basil yang lebih mendekati
perhitunganteoritis.
Pada konfigurasi anti-bondingFSitoHt5di
manaatomF terikat pada atom silikon (gambar
6b). Selainatom hidrogen,untuk mengisiikatan
yang terbuka (dangling bond) juga digunakan
Rata-rata gradien rowan
konfigurasi
FSitoHt5
adalah
listrik
untuk
(V z~B)
=
1,45xlO22 V/m2 (v~25.3 MHz) clan untuk
FSi4Mg~a3 1,29xlO22 V/m2 (vQ=22.5 MHz).
Hasil perhitungan ini tidak jauh berbeda dengan
hasil eksperimen yaitu interaksi dengan IVzzl =
1.33xlO22 V/m2 (vQ=23,2 MHz).
Yang
mempunyai konstribusi 31 %. Dari tabe13 juga
dapat dilihat bahwa perhitungan menggunakan
fungsi gelombang 6-31G memberikan hasil
yang paling dekat dengan eksperimen yaitu
(V~B) = 1.34xlO22V/m2 (vQ=23,2 MHz).
Penggunaanatom bukan hidrogen untuk
menutup ikatan terbuka jarang dilakukan narnun
hasil perhitungan dalarn penelitian
ini
menunjukkan bahwa hal tersebut dapat dilakutan. Penggantian hidrogen dengan atom lain
yang bervalensi lebih dari satu dapat menyederhanakan konfigurasi clan jurnlah atom-atom
409
yang terlibat dalam perhitungan. Tidak berubahnya harga gradien medan listrik secara
menyolok menunjukkan bahwa kontribusi terbesar berasal daTi elektron-elektron pada kulit
atom daD atom tetangga terdekat, sedangkan
atom-atom yang lebih jauh sedikit sekali mempengaruhi besarnya gradien medan listrik. Jadi
gradien medan listrik merupakan efek lokal.
Hal ini dapat menerangkan mengapa interaksi
quadrupole nuklir teramati baik pada kristal
maupun pada amorphous silikon
KESIMPULAN
Gradien medan listrik pada isomer 19p*yang
diimplantasikan pada kristal silikon telab
ditentukan secara eksperimental menggunakan
metode distrubusi sinar-y TDPAD.
Hasil
eksperimen dibandingkan dengan perhitungan
teoritis menggunakan metode pendekatan
Hartree-Fock clan teori Density Functional.
Perhitungan numerik dilakukan dengan program
Gaussian92.
Hasil eksperimen menunjukkan adanya 3
interaksi quadrupole. lnteraksi utama mempu-
nyai
konstribusi 60% dengan frekuensi
vQ=3S,2 MHz bersesuaian dengan perhitungan
numerik yang menempatkan atom F di tengabtengah ikatan Si-Si (interstitial center bond).
lnteraksi ke 2 memberikan konstribusi 31 % clan
mempunyai frekuensi quadrupole 23.2 MHz.
lnteraksi ini bersesuaiandengan interaksi
quadrupole nuklir daTi isomer 19p* yang
terimplantasi pada arab <111> anti-bonding
1.81 A daTi atom silikon. lnteraksi ke- 3 tidak
begitu signifikan, hanya memberi konstribusi
9%. lni kemungkinan berasal daTi atom-atom F
yang menempati posisi yang ada hubungannya
dengan cacat kristal atu pun ketidak mumian.
UCAPAN TERIMAKASIH
Penulis sangat menghargai dukungan daTi
rekan-rekan di Pusat Penelitian Sains Materi,
BAT AN, khususnya star Balai Teknofisika,
sehingga makalah ini dapat diselesaikan. Untuk
Prof. Dr. P. W. Martin, Dr. F. -J. Hambsch, Dr.
A. Crametz dan para operator akselerator Van
de Graaff di Gell, Belgia penulis dengan tulus
mengucapkan terimakasih atas bantuannya
dalam pengambilan data.
DAFTARPUSTAKA
1.
2.
410
Y. BYOUNG-GON, N. KONUMA
dan E. ARAI, J. App. Physics, 70
(1991)2408.
P.J.WRIGHT
DAN
K.C.SARASWAT, IEEE Trans. Electron
DevicesEd.36 (1989)879.
3.
Y. NASIOKA, K. OHYU, Y.OHn,
N.NATSUAKI danT.P. MA, J. App.
Physics,66 (1989)3909.
4,
K.
OHYU, T.
ITOGA Y.
NASmOKA dan N. NATSUAKI,
Jpn.J. App. Phys.28 (1989) 1401
5
H.H. RlNNEBERG, Atomic Energy
Review,17 (1983)275.
6. ALBERTO LOPEZ GARCIA, Mag.
Res.Rev.,15 (1990)119.
7,
P. W. MARTIN, J.W. BICHARD
dan C. BUD1Z-JORGENSEN, J.
Chern.Phys.,93 (1990)6092.
8
FRISCH,G. W. TRUCKS,M. HEADGORDON, P. M. W. GILL, M. W.
WONG, J. B. FORESMAN, B. G.
JOHNSON,H. B. SCHLEGEL, M. A.
ROBB, E. S. REPLOGLE, R.
GOMPERTS, J. L. ANDRES, K.
RAGHAVACHARI, J. S. BINKLEY,
C. GONZALES, R. L. MARTIN, D. J.
FOX, D. J. DEFREES,J. BAKER, J. J.
P. STEWART and J. A. POPLE,
Gaussian 92, Revision C (Gaussian
Inc. Pitsburgh,FA, 1992).
9. K.
BONDE-NIELSEN,
H.K.
SCHOU, T. LAURITSEN, G.
WEYER, I. STENSGAARD, J.W.
PETERSENDAN S. DAMGAARD,
J. Phys.C. 17 (1984)3519.
10. S.B. SULAlMAN, N. SAHOO, K.C.
MISHRA, T.P. DAS DAN K.
BONDE NIELSEN, Proc. VIII Int.
Conf. On Hyp. Int., Prague 1989,
eds. M. Finger, B. Sediak dan K.
Zaweta, published in Hyp. Int. 60 (1990)861.
11 E. S. KRYACHKO dan E. V.
LUDENA,
Density Functional
Theory of Many-Electron System.
Kluwer, 1989.
12. ATTlLA SZABO dan NEIL S.
OSTLUND, Modern Quantum
Chemistry,McGraw Hill Publishing
Co., New York, 1989.
13. C. PISSANI, R. DOVESI dan C.
ROETI, Hartree-Fock Ab Initio
Treatment Of Crystalline System.
Springer-Verlag,Berlin, 1988.
14. ROBERT G. PARR and WEITAO
YANG, DensityFunctional Theories
of Atoms and Molecules, Oxford
UniversityPress,New York, 1986.
15, R. M. DREIZLER dan E.K.U.
GROSS,Density Functional Theory,
Springer-Verlag,Berlin, 1990.
16. K.C. MISHRA, K.J. DUFF daDT.P.
17.
DAS, Phys.Rev. B2S (1982)3389.
S.T. PICRAUX daD P.L. VOOK,
Phys.Rev. B18 (1978)2066.
DISKUSI
Ridwan:
1. Apakahpercobaandapatdilakukanuntuk
semuaelemen
2. Apakah 'broading' adalahakibatposisi
atomyangdiimplantasikantidak merupakan
posisiyangdiharapkan.
Djoko Surono:
1. Tidak, hanyaatom-atomtertentuyang
digunakansebagaiprobenuclei.
2. Betul. Atom F yangadadi pinggir butiran,
di dekatkekosongan,cacat,dU. Akan
mengakibatkan
broadening.
YatemanArryanto:
.Apakah suduttetrahedraldalam Si-Siakan
berubahdenganadanyaF.
.Jika diasumsikanbahwasudutSi-Si tidak
berubah.apakahini tepat?
Djoko Surono:
.DaIarn modelperhitungananti bondingini
sudutSi-Sitidak berubahhanyajarak F-Si
yangdivariasikan.
.Pada modelperhitungan,
jarak Si-F-Si
berubah(variabelbebas)olehkarenasudut
Si-Sijuga berubah.
411