PENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In

PENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In)
TERHADAP TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS
Uminingsih
Fakultas Sains Terapan IST “AKPRIND”
Yunanto, dan Darsono
Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan BATAN - Yogyakarta.
ABSTRAK
PENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In) TERHADAP
TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS. Telah dilakukan variasi kandungan In
pada lapisan tipis TCO (ZnO:In) pada substrat gelas dan multi lapisan tipis AgCu/CIS/ZnO
menggunakan teknik DC sputering. Tujuan utama penelitian ini untuk mengetahui pengaruh
kandungan In terhadap tegangan fotovoltaik sel surya CIS. Sedangkan penerlitian tersendiri
TCO pada subtrat gelas untuk mendapatkan data transmitasi dan resistansi sebagai fungsi
kandungan In. Pada penelitian ini TCO dibentuk dari target utama ZnO dan target pin-hole In
yang ditumbuki dengan ion Ar, sehingga atom target terpercik melapisi substrat kaca dan multi
lapisan tipis membentuk lapisan tipis ZnO:In. Untuk mengukur resistansi, tegangan fotovoltaik
digunakan multi meter digital, transmitansi digunakan UV-Vis, struktur kristal digunakan
XRD, struktur mikro dan ketebalan lapisan tipis digunakan SEM. Pengukuran TCO
menunjukkan bahwa nilai transmitansi terbesar sekitar 90 % pada panjang gelombang 700-900
nm, dan nilai resistansi terkecil 2 Ω. Hasil penelitian menunjukkan bahwa kandungan In pada
ZnO mempengaruhi tengangan foto voltaik sel surya CIS. Pada kandungan In 7,8 %
bersesuaian dengan nilai resistansi 8 Ω diperoleh tegangan foto voltaik terbesar 600 mV.
Sedangkan struktur kristal lapisan tipis ZnO terorientasi pada bidang (100); (002), (200), (202),
lapisan tipis In (110), lapisan tipis CuInSe2 (200), (202), (211), (220). Morfologi permukaan
ZnO:In terdistribusi cukup homogen dan ketebalan masing masing lapisan tipis yaitu ZnO:In
0,5 μm, ZnO 0,7 μm, CuInSe2 2,5 μm, AgCu 0,7 μm.
ABSTRACT
THE EFFECT OF In CONTENT IN TCO (ZnO:In) TO PHOTOVOLTAIC VOLTAGE OF
CIS SOLAR CELLS. The variation of In contents in TCO (ZnO:In) has been deposited on
glass substrat and on multi layer thin films of AgCuCuInSe2 /ZnO by using DC sputtering
technique. The main objective of this research is to study the effect of In contents of TCO on
the photovoltaic voltage of AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In. The preparation of TCO on the glass
substart was in order to get its transmission and resistance data. In this research the TCO was
made by ZnO main target and In pinhole target which were bombarded by Ar ion in DC
sputtering machine, so that the target atoms were sputtered and formed thin film of ZnO:In on
glass substrate and also on multi layer thin film of AgCu/CuInSe2/ZnO.. The resistance and
photovoltaic voltage were measured by using multi meter digital, the transmitance were
measured by using UV-Vis, micro structure and thickness were measured by using SEM and
the crystal structure were measured by using XRD. The measurement data of TCO showed that
1
the minimum resistance is 2 Ω, and the maximum transmitance is 90 % at the wave length in
the range of 700-900 nm. The experiment results showed that the In content in TCO effected to
photovoltaic voltage of CIS solar cell. At the experiment conditions of the resistance of 8 Ω
related to 7.8 % of In content in TCO, the experimental results showed that the photovoltaic
voltage was maximum at 600 mV, while the crystal structure of ZnO thin film were oriented at
the plane (100); (002), (200), (202), In thin film (110). CuInSe2 thin film (200), (202), (211),
(220). The surface morphology TCO was distributed homogenously and the thickness of the
each thin films of CIS were in order of 0,5 μm for ZnO:In, of 0,7 μm for ZnO, of 2,5 μm for
CuInSe2, and of 0,7 μm for AgCu.
PENDAHULUAN
Sel surya adalah komponen elektronik yang terbuat dari semikonduktor yang mampu
mengubah cahaya matahari menjadi tenaga listrik yang disebut efek foto voltaik. Sel surya
biasanya terdiri dari beberapa bagian yaitu sambungan P-N, elektroda depan dan belakang.
Ada beberaa jenis sel surya diantaranya sel surya CIS (CuInSe2) yang terdiri dari beberapa
lapisan tipis misalnya Mo/CuInSe2/ZnO/ZnO:In. Disini lapisan Mo sebagai elektroda
belakang, lapisan CuInSe2/ZnO sebagai sambungan P-N, dan lapisan ZnO:In.sebagai
elektroda depan. Pada sel surya tegangan foto voltaik yang timbul pada sambungan P-N
kemudian disalurkan ke beban melalui elekroda depan dan belakang. Timbulnya tegangan
foto volataik karena pada sambungan P-N dikenai cahaya matahari, sehingga timbul pasangan
elekron hole pada lapisan deplesi. Cahaya matahari merupakan foton yang mempunyai energi
dengan panjang gelombang 300 nm sampai 1.000 nm. Dengan energi foton ini atom pada
lapisan deplesi terionisasi membentuk pasangan elektron hole (Lim, J.W.,dkk, 1997).
Untuk elektroda depan biasanya digunakan bahan dari logam yang mempunyai
konduktansi tinggi misalnya dari bahan Cu. Bahan ini dibuat berupa larik larik yang sangat
tipis supaya cahaya matahari dapat masuk ke sambungan P-N. Larik larik yang tipis ini masih
mengurangi cahaya juga yang masuk ke sambungan P-N. Larik-larik untuk elektrode depan
ini juga dapat dibuat dengan jumlah yang lebih sedikit, tetapi untuk pengambilan arus tidak
akan efektip di seluruh permukaan sambungan P-N.(Takahashi, K and Konagai, M., 1986).
Masalah tersebut dapat diatasi dengan menggunakan elektroda depan transparan. TCO
(transparent conducting oxide). Elektroda transparan mempunyai konduktansi maupun
transmitansi tinggi.
Elektroda transparan dibuat berupa lapisan tipis dari bahan
semikonduktor yang diberi tak murnian dengan bahan konduktor. Bahan semikonduktor yang
digunakan diantaranya ZnO dengan tak murnian In. Dengan demikian lapisan tipis tersebut
akan mempunyai nilai konduktansi tinggi yang mendekati konduktor dan juga mempunyai
nilai transmitansi tinggi.
Dengan menggunakan lapisan tipis TCO, maka sebagian besar cahaya masuk dan arus
dari sambugan P-N akan dapat diambil di seluruh permukaan, sehingga akan meningkatkan
efisiensi dari sel surya. Disamping mempunyai kelebihan tersebut di atas, juga ada
kekurangannya yaitu cahaya matahari tidak seluruhnya diteruskan, karena lapisan tipis TCO
mempunyai transparansi di bawah 100 %. Walaupun mempunyai transparansi di bawah 100
%, tetapi mempunyai konduktansi yang tinggi dan dapat mengambil arus dari seluruh
permukaan sambungan P-N. Dengan demikian sel surya yang menggunakan elektroda depan
2
dengan lapisan tipis TCO masih lebih baik bila dibandingkan dengan sel surya yang
menggunakan elektroda dari bahan logam yang dibuat larik-larik (Nunes, P., 2002).
Bahan ZnO merupakan bahan semikonduktor yang memunyai tipe konduksi tipe-N
dan mempunyai konduktansi cukup tinggi, demikian juga transmitansi tinggi, sehingga bahan
ZnO banyak digunakan untuk lapisan tipis jendela pada sel surya. Untuk dapat dibuat
elektroda depan untuk sel surya, maka lapisan tipis harus mempunyai konduktansi dan
transmitansi tinggi, dengan cara meningkatkan konduktansi dengan menambah tak murnian
dari bahan koduktor misalnya In. Dengan diberi tak murnian, maka akan meningkatkan
konduktansi, walaupun akan menurunkan transmitansi dari lapisan tipis yang dihasilkan.
Penurunan transmitansi ini akan mengurangi cahaya yang masuk ke sambungan P-N. Untuk
itu tak murnian yang diberikan sekitar 10 % dari jumlah molekul dari bahan yang dibuat.
(Minami, T., dkk. 1995).
Lapisan tipis yang dihasilkan untuk sel surya CIS harus mempunyai karakteristik yang
serupa dengan target yang digunakan untuk membuat multi lapisan tipis sel surya. Karakteristik
tersebut meliputi resistansi, transmiitansi. struktur kristal, struktur mikro. Target yang
digunakan adalah ZnO, In, CuInSe2, AgCu. Selain karakteristiknya yang serupa juga ketebalan
masing masing lapisan tipis harus tertentu. Lapisan tipis elektroda depan dan lapisan tipis tipe
N sebagai lapisan jendela ketebalannya cukup tipis saja sekitar 0,3 μm, lapisan tipis tipe P
sebagai lapisan penyerap harus cukup tebal sekitar 2,5 μm, sedangkan lapisan tipis elektroda
belakang juga cukup tipis asalkan konduktivitasnya cukup besar (Sterner, J., 2004).
Untuk membuat lapisan tipis ZnO:In dan multi lapisan tipis AgCu/CuInSe2/ZnO
digunakan teknik DC suttering. Dalam teknik DC sputtering target (bahan pelapis) ditumbuki
ion Ar dalam ruang vakum, sehingga atom target terpercik melapisi substrat (bahan yang
dilapisi). Jumlah percikan yang terdeposisi pada substrat tergantung dari waktu deposisi,
tegangan elektroda, tekanan gas Ar, suhu substrat. Untuk membuat lapisan tipis paduan ZnO:In
digunakan dua target yaitu target utama (ZnO) dan pin hole (In), sehingga atom dari dua target
terpercik berpadu menjadi satu paduan pada substrat Dengan melakukan variasi kandungan In
pada lapisan tipis TCO diharapkan akan diperoleh tegangan foto voltaik yang optimal (Wasa,
K., dan Hayakawa, S., 1991).
TATA KERJA
Bahan serbuk AgCu, ZnO, In dan, serbuk paduan CuInSe2 dibuat pelet dengan cara di
press pada tekanan tertentu. Serbuk paduan CuInSe2 dibuat menggunakan metode Bridgman
(Darsono dkk., 2006). Bahan serbuk kimia AgCu, ZnO, In, Cu, Se mempunyai kemurnian
diatas 99.98 %. Untuk mendapatkan data transmitansi dan koduktansi dari ZnO:In maka
dilakukan penelitian tersenderi dari lapisan tipis ini sebelum dilapiskan menjadi sel surya multi
lapisan tipis AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In. Untuk itu dibuat lapisan tipis ZnO:In pada substrat
kaca preparat berukuran 10 mm x 20 mm. Sedangkan untuk membuat multi lapisan tipis dibuat
substrat kaca dengan ukuran 20 mm x 60 mm. Substrat ini sebelumnya dicuci bersih
menggunakan aseton yang ditempatkan pada pencuci ultrasonik. Untuk membuat lapisan tipis
ZnO:In pada substrat kecil, substrat ditempatkan pada anoda dari alat DC suttering , sedangkan
target utama ZnO dan pinhole In ditempatkan pada katoda dalam alat DC suttering. Gas Ar
dialirkan ke dalam tabung sputtering dan diionisasikan menggunakan tegangan tinggi DC. Ion
3
Ar menumbuki atom-atom pada permukaan target dari bahan ZnO dan In. Kedua atom ZnO
dan In terpercik membentuk paduan ZnO:In melapisi substrat kaca.
Proses deposisi lapisan tipis ZnO:In kedua pada substrat besar dilakukan sebagai berikut:
pertama deposisi lapisan tipis elektroda belakang dari bahan AgCu, kedua deposisi lapisan
tipis tipe P dari paduan bahan CuInSe2, ketiga lapisan tipis tipe N dari bahan ZnO, keempat
lapisan tipis TCO dari paduan bahan ZnO:In. Multi lapisan tipis ini digunakan untuk
pengamatan menggunakan SEM, XRD dan tegangan foto voltaik dengan melakukan variasi
kandungan In dengan megatur jumlah pin hole In di atas target utama ZnO. Untuk deposisi
multi lapisan tipis AgCu/CuInSe2/ZnO menggunakan parameter yang optimal pada penelitian
sebelumnya.
Hasil dari deposisi lapisan tipis ZnO:In pada substrat kaca diukur resistansinya digunakan
ohm meter digital, sedangkan transmitansinya digunakan UV-Vis. Hasil deposisi lapisan tipis
ZnO:In dengan parameter yang sama tetapi dideposisikan pada multi lapisan tipis
AgCu/CuInSe2/ZnO diukur struktur mikro permukaan dan ketebalan lapisan tipis menggunakan
SEM, strukutr kristal multi lapisan menggunakan XRD dan tegangan fotovoltaik menggunakan
volt meter digital dan cahaya lampu pijar yang dikalibrasi dengan daya 100 mW/cm2.
HASIL DAN PEMBAHASAN
Hasil percobaan pembuatan dan pengukuran lapisan tipis ZnO:In pada substrat kaca
dan lapisan tipis ZnO:In pada multi lapisan tipis AgCu/CuInSe2/ZnO disajikan pada Gambar 1
dan 2 (untuk sampel kecil) dan Gambar 3 sampai dengan 6 (untuk sampel besar)
Resistansi (Ohm)
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Kandungan indium (%)
Gambar 1: Grafik hubungan antara kandungan In
dengan resistansi lapisan tipis ZnO:In
Bahan ZnO merupakan bahan semi konduktor yang mempunyai celah energi 3,2 eV,
sehingga nilai reisitansinya tinggi, sedangkan bahan In merupakan bahan konduktor dengan
celah energi nol, sehingga nilai reistansinya juga nol. Bahan ZnO bila dibuat lapisan tipis nilai
4
resistansinya semakin tinggi, tetapi mempunyai sifat transparan. Untuk menurunkan nilai
resistansi lapisan tipis ZnO supaya dapat digunakan untuk elektroda transparan ialah dengan
memberi tak murnian bahan In. Semakin tinggi kandungan In resistansi lapisan tipis ZnO:In
semakin menurun, hal ini disebabkan karena bahan ZnO mempunyai celah energi tinggi,
sedangkan In mempunyai celah energinya nol. Dengan meningkatnya kandungan In maka
lebar pita akan mengecil yang akhirnya elektron akan lebih mudah melompat ke pita konduksi,
dengan demikian lapisan tipis ZnO:In reistansinya menurun.
In 2.8 %
In 5.6 %
In 11.2 %
In 14 %
In 8.4 %
T ran sm itan si (% )
100
80
60
40
20
0
400
500
600
700
800
Panjang Gelombang (nm)
900
Gambar 2: Grafik hubungan antara panjang gelombang
dengan prosentase transmitansi lapisan tipis ZnO:In
Gambar 2 menyajikan hubungan antara panjang gelombang dengan prosentase transmitansi
lapisan tipis ZnO:In dengan prosentase kandungan In yang berbeda. Dari grafik dapat dilihat
dengan meningkatnya prosentase kandungan In, maka prosentase transmitansi semakin
menurun. Hal ini disebabkan karena lapisan tipis ZnO mempunyai sifat transparansi yang
tinggi, sedangkan bahan In merupakan bahan konduktor yang mempunyai sifat memantulkan
atau menyerap. Dengan demikian semakin tinggi kandungan In, maka semakin sulit cahaya
menembus lapisan tipis ZnO:In. Pada kandungan In yang tinggi penurunan prosentase
transmitansi juga tinggi, walaupun resistansinya menurun, sehingga untuk lapisan TCO yang
dibuat dari lapisan tipis ZnO:In yang digunakan adalah mempunyai resistansi cukup kecil
tetapi dengan transmitansi yang masih cukup besar. Gambar 3 menyajikan grafik hubungan
antara
kandungan
In
dengan
tegangan
fotovoltaik
multi
lapisan
tipis
AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In. Pada kandunagan In 2,8 % memghasilkan tegangan foto voltaik
300 mV. Untuk kandungan In 5,6 % sampai 7,4 % tegangan foto voltaik naik terus sampai
maksimum 600 mV. Hal ini disebabkan karena dengan naiknya kandungan In resistansi
elektroda menurun, sehingga kerugian tegangan pada elektroda depan semakin kecil. Tetapi
untuk kandungan In 11,8 % dan 14 % tegangan foto voltaik menurun lagi mencapai 200 mV.
Hal ini disebabkan karena semakin tinggi kandungan In resistansi lapisan tipis ZnO:In
5
Tegangan fotovoltaik (mV)
menurun, tetapi transmitansi lapisan tipis ZnO:In juga menurun tajam sehingga cahaya yang
masuk sambungan P-N menurun juga. Penurunan cahaya yang masuk pada sambungan P-N
akan mengurangi pasangan hole dan elektron yang terbentuk.
700
600
500
400
300
200
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Kandungan Indium (%)
Gambar 3 Grafik hubungan antara kandungan In
dengan tegangan fotovoltaik
Gambar 4 Foto morfologi laisan tipis ZnO:In di atas
multi lapisan tipis menggunakan SEM
Lapisan tipis elektroda depan yang terbuat dari lapisan tipis ZnO:In berfungsi untuk
mengambil arus dari lapisan tipis tipe N. Lapisan tipis ini harus mempunyai resistansi kecil
dan transmitansi tinggi, tetapi juga harus mempunyai homogenitas yang cukup baik. Dengan
demikian pengambilan arus dari lapisan tipis tipe N dapat diambil dari setiap titik secara baik.
Foto morfologi permukaan lapisan tipis ZnO:In di atas multi lapisan tipis
6
AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In disajikan pada Gambar 4. Pada gambar terlihat butiran dengan
ukuran besar dan kecil yang tersusun cukup homogen.
Gambar 5 Foto melintang multi lapisan tipis
AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In pada substrat kaca
Multi lapisan tipis AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In terdiri dari lapisan tipis elektroda
depan yang harus dapat meneruskan cahaya sampai ke sambungan P-N, sehingga ketebalan
nya cukup tipis saja 0,5 μm, tetapi kalau terlalu tipis resistansinya masih tinggi, sehingga
ketebalannya harus mencukupi untuk mendapat resistansi rendah. Untuk lapisan tipis tipe N
juga harus dapat meneruskan cahaya sampai lapisan tipe P, sehingga ketebalannya juga cukup
tipis saja sekitar 0,2 μm. Berbeda dengan lapisan tipis tipe P ketebalannya harus 2 μm yang
cukup untuk menyerap cahaya yang melewati lapisan elektroda depan dan lapisan tipe N.
Demikian juga lapisan elektroda belakang ketebalannya cukup 0,5 μm dan pada lapisan ini
tidak mempengaruhi cahaya yang lewat, sehingga dengan ketebalan tidak mempengaruhi
proses pembentukan elektron dan hole. Pada Gambar 5 disajikan foto tampang lintang yang
menunjukkan ketebalan masing masing lapisan tipis. Bagian gelap sebelah kiri adalah bagian
pemegang sampel, kemudian lapisan tipis ZnO:In 0,5 μm, lapisan tipis ZnO 0,7 μm, lapisan
tipis CuInSe2 2,5 μm, ketebalan lapisan tipis AgCu 0,7 μm. Multi lapisan tipis yang dibuat
ketebalan masing masing lapisan tipis hampir menyamai ketebalan multi lapisan tipis pada
literatur.
7
AgCu ± 0,89
CuInSe2 ± 2,5 substrat
ZnO ± 0,71 μm
ZnO:In ± 0,53 μm
kosong
.
Gambar 6 Spektrum XRD multti lapisan tipis AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In
Untuk mendapatkan tegangan foto voltaik yang maksimal lapisan tipis yang terbentuk
pada substrat kaca harus berbentuk kristal seperti bentuk kristal target. Gambar 6 menyajikan
gambar spektrum XRD multi lapisan tipis AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In yang dideposisikan
pada substrat kaca. Pada gambar muncul puncak yang menunjukkan pertumbuhan kristal
paduan ZnO pada sudut 32,340, 34,840, 64,970, 77,900 masing masing menunjukkan
pertumbuhan kristal dengan bidang (100), (002), (200), (202). Lapisan tipis paling atas adalah
ZnO:In, sedangkan lapisan tipis di bawahnya lapisan tipis ZnO. Dengan demikian selain
menunjukkan pertumbuhan kristal ZnO juga terlihat pertumbuhan kristal In pada sudut 38,630
dengan bidang (110). Lapisan tipis ketiga adalah lapisan tipis CuInSe2 dan pada spektrum
muncul pada sudut 31,440, 33,290, 36,640, 44,870. Masing masing dengan bidang (200), (202),
(211), (220). Lapisan tipis AgCu paling bawah tidak menunjukkan pertumbuhan kristal, hal ini
karena letaknya paling bawah sehingga pantulan sinar X sangat sedikit terdeteksi.
KESIMPULAN
Berdasarkan hasil karakterisasi sifat listrik, sifat optik, struktur kristal dan struktur mikro
dari deposisi lapisan tipis ZnO:In, maka dapat diambil beberapa kesimpulan sebagai berikut:
1. Bahan dari ZnO:In dapat dibuat lapisan tipis sebagai TCO menggunakan teknik DC
sputtering dengan target utama ZnO dan target pinhole In.
2. Kandungan In mempengaruhi nilai resistansi, transmitansi lapisan tipis ZnO:dan tegangan
fotovoltaik
3. Semakin tinggi kandungan In konduktansi meningkat tetapi transmitansi menurun,
sehingga tegangan fotovoltaik akan naik, karena kerugian tegangan pada elektorda depan
menurun, tetapi tegangan foto voltaik turun lagi, karena transmitansi menurun
4. Hasil karakterisasi struktur kristal lapisan dengan XRD diperoleh puncak puncak yang
menunjukkan pertumbuhan polikristal pada lapisan tipis ZnO:In, lapisan tipis ZnO, lapisan
tipis CuInSe2.
5. Hasil karakterisasi struktur mikro lapisan tipis ZnO:In dengan SEM memperlihatkan
bahwa butiran-butiran yang terbentuk terdistribusi cukup homogen.
8
6. Ketebalan
masing
masing
lapisan
tipis
pada
multi
lapisan
tipis
AgCu/CuInSe2/ZnO/ZnO:In ditentukan dari elektroda depan adalah 0,5 μm, 0,7 μm, 2,5
μm dan 0,7 μm
UCAPAN TERIMA KASIH
Pada kesempatan ini Penulis mengucapkan terima kasih kepada Sdri.Marheni dan Sdr.
J. Karmadi yang telah membantu pelaksanaan penelitian ini.
DAFTAR PUSTAKA
Darsono, Yunanto, dan Ariswan (2006), ”Pembuatan Paduan CuInSe2 Menggunakan Metode
Bridgman untuk Bahan Sel Surya”, Prosiding Seminar Nasional Tenaga Listrik dan Mekatronik,
LIPI Press, Jakarta, Indonesia.
Lim, J. W, Choi, J. H, Choi, I. W (1997), "Characteristics of CuInSe2 thin film prepared by
sputtering of Cu2Se-In2Se3 target", Journal of Korean Physical Society, Vol 2, No. 30.
Minami, T., Sonohara, H., Takata, S., and Fukuda, I (1995), "Low Temperature Formation
of Textured ZnO Transparent Electrodes by Magnetron Sputtering", J. Vac. Sci, Technol, A
13 (3).
Nunes, P., Furtunato, E., Tunelo, P., Fernando, F. B., Vilarino, P (2002), ”Effect of Defferent
Dopant Element on The Properties of ZnO Thin Film”, Pergamon, Elseiver Science Ltd.
Sterner, J (2004), ”ALD Buffer Layer Growth and Interface Formation on Cu(In,Ga)Se2
Solar Cell Absorbers”, Acta Universitatis Upsaliensis, Uppsala..
Takahashi, K. and Konagai, M (1986), "Amorphous Silicon Solar Cells", North Oxford
Academic Publishers Ltd, Tokyo.
Wasa, K., Hayakawa, S (1991), “Handbook of Sputter Deposition Technology”, Principles,
Technology and Applications, Noyes Publications, Park Ridge, USA.
9