tugas-paper-material-teknik-listrik-semikonduktor-kelompok-7-1-ira-handayani-hogan-h-2-muhammad-nouval-thahar-h-3-syahrizal-rahmahani-h-4-muhammad-khairani

TUGAS PAPER
MATERIAL TEKNIK LISTRIK
SEMIKONDUKTOR
KELOMPOK 7
1. Ira Handayani Hogan
2. Muhammad Nouval Thahar
3. Syahrizal Rahmahani
4. Muhammad Khairani Hidayat
2013 - 11 - 022
2013 - 11 - 038
2013 - 11 - 086
2013 - 11 - 276
STT PLN JAKARTA
2016
(H)
(H)
(H)
(B)
BAB I
PENDAHULUAN
A. Latar Belakang
Semikonduktor adalah suatu susunan Kristal yang mempunyai sifat kelistrikan
menyerupai konduktor atau menyerupai isolator dalam keadaan tertentu (suhu atau medan
listrik). Sekelompok ahli fisika zat padat, fisika teori, fisika instrumentrasi, fisik-kimia
dan tekhnik elektronika, yaitu Block, Mott, Schottky, Slater, Sommerfeld, VanVelck
Wigner dan Wilson, selama percobaan pada bulan desember 1947, menemukan suatu
komponen elektronika yang terdiri dari Kristal germanium yang pada permukaannya
ditanamkan 2 kawat emas.
Dari hasil pengamatan diketahui, bahwa pada salah satu kawat emas timbul
tegangan keluaran yang lebih besar dibandingkan dengan tegangan masukan pada kawat
emas yang lainnya. Gejala inilah yang selama ini dicari dan ditunggu-tunggu olehBrattain
dan Bardeen. Saat ditemuannya komponen ini disebut sebagai kelahiran komponen zat
padat (semikonduktor), dan komponen ini diberi nama transistor titik kontak (pointkontak transistor). Transistor ini bekerja kurang baik, actor penguatannya rendah, lebar
daerah frekuensinya rendah, sangat bising (noisy) dan parameter antar satu transistor
dengan yang lainnya sangat bervariasi.
Dalam perancangan sebuah sistem elektronika, ada beberapa alat yang harus
diperlukan agar alat tersebut bisa berjalan sesuai yangn diinginkan. Salah satu bentuk alat
tersebut adalah transistor. Alat ini merupakan alat semikonduktor yang dipakai sebagai
peguat atau pemilih, dan mempunyai tiga terminal. Dimana tegangan atau arus yang
dipasang di satu terminalnya mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal
lainnya. Dalam pembahasan makalah ini, akan dibahas mengenai macam-macam atau
jenis-jenis serta fungsi transistor. Selain itu akan dibahas pula tentang bagaimana cara
transistor itu bekerja.
B. Rumusan Masalah
Dalam pembahasan makalah ini, penyusun mempunyai beberapa rumusan masalah,
antara lain :
1. Apa yang dimaksud dengan Transistor?
2. Apa saja komposisi material atau unsur penyusun dari transistor?
3. Bagaimana prinsip kerja dari Transistor?
4. Apa Kegunaan dari Transistor?
5. Apa saja macam-macam atau jenis-jenis dari Transistor?
C. Tujuan Penulisanan
Untuk mengetahui pengertian transistor, komposisi material transistor, prinsip
kerja transistor, keguanaan transistor serta macam macam atau jenis jenis transistor.
D. Ruang Lingkup
Agar penyampaian dapat terarah, maka ruang lingkup dalam penulisan ini antara lain:
1. Pengertian Transistor
2. Komposisi material atau unsur penyusun dari transistor
3. Prinsip kerja dari Transistor
4. Kegunaan dari Transistor
5. Macam-macam atau jenis-jenis dari Transistor
BAB II
PEMBAHASAN
A. Pengertian Transistror
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau
sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan
pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya,
transistor memiliki 3 terminal. Tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya
mengatur arus yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya. Transistor adalah
komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian
analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi
pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaianrangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa
transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate,
memori, dan komponen-komponen lainnya.
B. Komposisi Material Atau Unsur Penyusun Dari Transistor
Semikonduktor murni dapat menghantar listrik, tetapi daya hantarnya buruk
maklumlah karena kosentrasi pembawa muatan sangat kecil. Hal tersebut berbeda
dengan logam yang mempunyai pembawa muatan berlimpah.
Kristal silikon murni (disebut semikonduktor intrinsik) yang sedikit menghantar
listrik ini akan meningkat hantaran listriknya dengan cukup berarti apabila diberi
bahan pengotor. Penambahan bahan pengotor ini hanya perlu dalam jumlah yang
amat sedikit. Namun hal tersebut telah mengubah sifat asli dari semikonduktor yang
bersangkutan (hantaran listriknya jauh lebih besar dari sebelumnya). Semikonduktor
berpengotor ini disebut semikonduktor ekstrinsik. Selanjutnya penambahan bahan
pengotor ini kita sebut doping. Kita mengenal dua jenis semikonduktor ekstrinsik
yaitu :
A. Semikonduktor jenis N
B. Semikonduktor jenis P.
Umumnya kita tidak menyukai ketidak murnian. Pada semikonduktor doping
justru diperlukan. Doping sangat berguna menjadikan semikonduktor tersebut lebih
mudah menghantar listrik.
Atom-atom silicon saling mengikat satu sama lain membentuk kristal padat.
Ikatan pada atom silikon disebut ikatan kovalen. Atom silikon mempunyai 4 elektron
terluar. Ikatan kovalen terbentuk dengan cara setiap atom terluar berpasangan dengan
elektron terluar atom tetangga. Ikatan kovalen atom silikon yang pada kenyataanya
berbentuk 3 Dimensi.
A. Semikonduktor Jenis N
Semikonduktor jenis N terbentuk dengan menambah unsur doping berupa Phosfor
(P), Arsenik (As) atau Atimon (Sb). Atom pada unsur-unsur tersebut mempunyai
elektron terluar sebanyak 5 buah. Elektron kelima dari atom sisipan ini tidak
mempunyai ikatan, sehingga elektron ini berlaku sebagai elektron bebas. Semi
konduktor jenis N dapat menghantar listrik karena adanya elektron bebas tersebut.
Elektron bermuatan negatif, karena itu semikonduktor jenis ini disebut semikonduktor
jenis N.
Tidak seperti semikonduktor murni yang sulit menghantar listrik, semikonduktor
jenis N dapat menghantar listrik dengan mudah. Tak mengherankan karena
semikonduktor N kaya dengan elektron bebas. Pembawa muatan utama
pada
semikonduktor N adalah elektron bebas.
Pada semikonduktor N, lubang ikut pula membawa muatan, tetapi jumlahnya
sangat kecil dibandingkan dengan elektron bebas. Lubang merupakan pembawa
muatan minoritas. Mekanisme terbentuknya lubang sama seperti yang terjadi pada
semikondutor murni.
B. Semikonduktor Jenis P
Untuk membentuk semikonduktor jenis P, kali ini digunakan unsur doping
Boron(B), Alumunium (Al), Indium(In) atau galium (Ga). Atom-atom tersebut
mempunyai elektron terluar sebanyak 3 buah. Penyisipan ini akan mengakibatkan
lubang dimana elektron terluar silikon tidak mempunyai teman untuk menbentuk
ikatan
Tidak seperti semikonduktor murni yang sulit menghantar listrik, semikonduktor
jenis P dapat menghantar listrik dengan mudah. Tak mengherankan karena
semikonduktor P kaya dengan lubang. Pembawa muatan utama pada semikonduktor P
adalah lubang. Elektron bebas merupakan pembawa muatan minoritas
C. Prinsip Kerja Transistor
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,
bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor
(FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda. Transistor bipolar dinamakan
demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa
muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik
utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan
ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut. FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya
menggunakan satu jenis pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe
FET). Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit
dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar
dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah
perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk
mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut.
D. Kegunaan Transistor
Transistor sangat berpengaruh besar di dalam kinerja rangkaian elektronika. Karena
di dalam sirkuit elektronik, komponen transistor berfungsi sebagai jangkar rangkaian.
Transistor adalah komponen semi konduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu
Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E). Dengan adanya 3 kaki elektroda tersebut,
tegangan atau arus yang mengalir pada satu kaki akan mengatur arus yang lebih besar
untuk melalui 2 terminal lainnya.
KegunaanTransistor Lainnya :
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Sebagai penguat amplifier.
Sebagai pemutus dan penyambung (switching).
Sebagai pengatur stabilitas tegangan.
Sebagai peratas arus.
Dapat menahan sebagian arus yang mengalir.
Menguatkan arus dalam rangkaian.
Sebagai pembangkit frekuensi rendah ataupun tinggi.
E. Jenis - Jenis Transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide

Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC,

dan lain-lain
Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET,
MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated



Circuit) dan lain-lain.
Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor,

Microwave, dan lain-lain
Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lainlain.
1. Transistor pertemuan tunggal
Transistor pertemuan tunggal (UJT) adalah sebuah peranti semikonduktor
elektronik yang hanya mempunyai satu pertemuan.
a. Konstruksi
UJT mempunyai tiga saluran, sebuah emitor (E) dan dua basis (B1 dan B2). Basis
dibentuk oleh batang silikon tipe-n yang terkotori ringan. Dua sambungan ohmik
B1 dan B2 ditambahkan pada kedua ujung batang silikon. Resistansi diantara B1
dan B2 ketika emitor dalam keadaan rangkaian terbuka dinamakan resistensi
antarbasis (interbase resistance).
b. Tipe
Ada dua tipe dari transistor pertemuan tunggal, yaitu:
• Transistor pertemuan tunggal dasar, atau UJT, adalah sebuah peranti sederhana
yang pada dasarnya adalah sebuah batangan semikonduktor tipe-n yang
ditambahkan difusi bahan tipe-p di suatu tempat sepanjang batangan, menentukan
parameter η dari peranti. Peranti 2N2646 adalah versi yang paling sering
digunakan.
• Transistor pertemuan tunggal dapat diprogram, atau PUT, sebenarnya adalah
saudara dekat tiristor. Seperti tiristor, ini terbentuk dari empat lapisan P-N dan
mempunyai sebuah anoda dan sebuah katoda yang tersambung ke lapisan pertama
dan lapisan terakhir, dan sebuah gerbang yang disambungkan ke salah satu lapisan
tengah. Penggunaan PUT tidak dapat secara langsung dipertukarkan dengan
penggunaan UJT, tetapi menunjukkan fungsi yang mirip. Pada konfigurasi sirkuit
konvensional, digunakan dua resistor pemrogram untuk mengeset parameter η
dari PUT, pada konfigurasi ini, UJT berlaku seperti UJT konvensional. Peranti
2N6027 adalah contoh dari peranti ini.
c. Cara kerja
UJT dipanjar dengan tegangan positif diantara kedua basis. Ini menyebabkan
penurunan tegangan disepanjang peranti. Ketika tegangan emitor dinaikkan kirakira 0,7V diatas tegangan difusi P (emitor), arus mulai mengalir dari emitor ke
daerah basis. Karena daerah basis dikotori sangat ringan, arus tambahan
(sebenarnya muatan pada daerah basis) menyebabkan modulasi konduktifitas
yang mengurangi resistansi basis diantara pertemuan emitor dan saluran B2.
Pengurangan resistansi berarti pertemuan emitor lebih dipanjar maju, dan bahkan
ketika lebih banyak arus diinjeksikam. Secara keseluruhan, efeknya adalah
resistansi negatif pada saluran emitor. Inilah alasan mengapa UJT sangat berguna,
terutama untuk sirkuit osilator sederhana.
d. Penggunaan
Selain penggunaan pada osilator relaksasi, salah satu penggunaan UJT dan PUT
yang paling penting adalah untuk menyulut tiristor (seperti SCR, TRIAC, dll).
Faktanya, tegangan DC dapat digunakan untuk mengendalikan sirkuit UJT dan
PUT karena waktu hidup peranti meningkat sesuai dengan peningkatan tegangan
kendali DC. Penggunaan ini penting untuk pengendalian AC arus tinggi.
2. BJT
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor. Cara
kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau
negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah
emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).
Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan
perubahan arus listrik dalam jumlah besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah
yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara
arus pada koletor dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau
hFE. β biasanya berkisar sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
3. FET
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate FET
(IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor)
FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk
sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain).
Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state
dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara grid dan katode.
Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode",
keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus
listrik dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion mode.
Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source saat
FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET sebagai contoh: dalam
depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan
dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan
gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat.
Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET
adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion
mode.
4. Transistor dwikutub gerbang-terisolasi
Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor)
adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan
sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar
untuk aplikasi daya ini muncul sejak tahun 1980-an.
a. Karakteristik IGBT
Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan
struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan
MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan
keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT,
sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator)
sebagaimana pada MOSFET.
Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET, sedang terminal
Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian,
arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena
besarnya resistansi masukan dari MOSFET, maka terminal masukan IGBT hanya
akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus cerat sebagai arus
keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan
jenuh. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku
yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak
terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar
bagi beban listrik yang dikendalikannya.
Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi, sehingga
tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian
logika. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak
dari IGBT.
Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan
peranti BJT, meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. Di lain
pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal
keluaran (kolektor-emitor) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar,
nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil, menyerupai Ron pada BJT.
Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan
menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk
dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan Ampere, tanpa terjadi kerugian
daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter
maupun Kendali Motor Listrik (Drive).
b. Sifat-sifat IGBT
Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar
peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor
dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun Thyristor. Sebuah saklar
ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai
berikut:
1. Pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang
besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor
struktur saklar sangat kecil
2.Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan
menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan
jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula
dengan besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang
tinggi.
• Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis
peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor
komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil.
• Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh
pada terminal kolektor-emitor, VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat
sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh.
• Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran,
MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan
aliran pembawa muatan mayoritas, pada MOSFET tidak dijumpai arus
penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran, yang
cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut.
5. Penyearah terkendali silikon
SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai
fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga
semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai
pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya
dari bahan campuran P dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif
Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda.
Guna SCR:
• Sebagai rangkaian Saklar (switch control)
• Sebagai rangkaian pengendali (remote control)
Ada tiga kelompok besar untuk semikonduktor ini yang sama-sama dapat
berfungsi sebagai Saklar (Switching) pada tegangan 120 volt sampai 240 volt.
Ketiga kelompok tersebut adalah SCR ini sendiri, DIAC dan TRIAC.
6. Sirkuit terpadu
Sirkuit terpadu (bahasa Inggris: integrated circuit atau IC) adalah komponen dasar
yang terdiri dari resistor, transistor dan lain-lain. IC adalah komponen yang
dipakai sebagai otak peralatan elektronika.
Pada komputer, IC yang dipakai adalah mikroprosesor. Dalam sebuah
mikroprosesor Intel Pentium 4 dengan ferkuensi 1,8 trilyun getaran per detik
terdapat 16 juta transistor, belum termasuk komponen lain. Fabrikasi yang dipakai
oleh mikroprosesor adalah 60nm.
Sirkuit terpadu dimungkinkan oleh teknologi pertengahan abad ke-20 dalam
fabrikasi alat semikonduktor dan penemuan eksperimen yang menunjukkan
bahwa alat semikonduktor dapat melakukan fungsi yang dilakukan oleh tabung
vakum. Pengintegrasian transistor kecil yang banyak jumlahnya ke dalam sebuah
chip yang kecil merupakan peningkatan yang sangat besar bagi perakitan tubevakum sebesar-jari. Ukuran IC yang kecil, tepercaya, kecepatan "switch",
konsumsi listrik rendah, produksi massal, dan kemudahan dalam menambahkan
jumlahnya dengan cepat menyingkirkan tube vakum.
Hanya setengah abad setelah penemuannya, IC telah digunakan dimana-mana.
Radio, televisi, komputer, telepon selular, dan peralatan digital lainnya yang
merupakan bagian penting dari masyarakat modern. Contohnya, sistem
transportasi, internet, dll tergantung dari keberadaan alat ini. Banyak skolar
percaya bahwa revolusi digital yang dibawa oleh sirkuit terpadu merupakan salah
satu kejadian penting dalam sejarah umat manusia.
IC mempunyai ukuran seukuran tutup pena sampai ukuran ibu jari dan dapat diisi
sampai 250 kali dan digunakan pada alat elektronika seperti:
• Telepon
• Kalkulator
• Handphone
• Radio
Contoh-contoh IC
• 555 multivibrator
• IC seri 7400
• Intel 4004
• Intel seri x86
BAB III
PENUTUP
A. Kesimpulan
Dari hasil penyampaian makalah diatas, dapat diambil kesimpulan antara lain :
1. Transistor merupakan alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya.
2. Material penyusun Transistor di klasifikasikan menjadi 2 yaitu, Semikonduktor
Jenis P dan Semikonduktor jenis N
3. Semikonduktor jenis N terbentuk dengan menambah unsur doping berupa
Phosfor (P), Arsenik (As) atau Atimon (Sb).
4. Untuk membentuk semikonduktor jenis P, kali ini digunakan unsur doping
Boron(B), Alumunium (Al), Indium(In) atau galium (Ga)
5. Pada awalnya resistor terbagi atas 2 tipe atau jenis, yaitu bipolar junction
transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET).
6. Cara kerja dari resistorpun berbeda-beda, tergantung dari tipe atau jenisnya.
7. Transistor adalah komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik
modern.
8. Cara kerja Bipolar Junction Transistor adalah menggunakan dua polaritas
pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik.Sedangkan
Field-Effect Transistor adalah hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan
(elektron atau hole, tergantung dari tipe FET).
DAFTAR PUSTAKA
Owen Bishop, Dasar-Dasar Elektronika. Jakarta: Erlangga, 2004.
http://serbamakalah.blogspot.co.id/2013/02/semikonduktor-dan-dioda.html
http://ichanahmad.blogspot.co.id/2011/05/mengenai-transistor.html
http://viana-chuby.blogspot.co.id/2009/11/transistor-semikonduktor.html