DAFTAR PUSTAKA Agustino, R. dan Rosyid, MF

DAFTAR PUSTAKA
Agustino, R. dan Rosyid, M.F. (2013). Bentuk Fungsional Energi Elektron Bloch
Pada Potensial Periodik Semikonduktor. Jurnal Fisika Indonesia, 17(51),
hlm. 31-34.
Beiser, A. (1999). Konsep Fisika Modern (edisi keempat alih bahasa The Houw
Liong). Jakarta: Erlangga.
Fousse,L.(2007). Acurate Multiple-Precission Gauss-Legendre Quadrature.
Computer Arithmetic, hlm. 150-160.
Hasanah, L., Abdullah, M., Sukirno., Winata, T., dan Khairurrijall. (2008). Model
of a tunneling current in an anisotropic Si/Si1-xGex/Si heterostructure with
a nanometer thick barrier including the effect of parallel-perpendicular
kinetic energy coupling. Semiconductor Science Technology, 23, page.16.
Hasanah, L. dan Khairurrijal. (2008). Perhitungan Arus Terobosan Pada Transistor
Dwikutub Sambungan Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik Dengan
Menggunakan Metode Matriks Transfer. Jurnal Sains Material Indonesia,
hlm. 287-291.
Hasanah, L., Khairurrijall. (2010). Arus Terobosan Pada Transistor Dwikutub
Struktur Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik Melewati Basis Tergradasi
(Graded Base). Berkala Fisika, 13(2), hlm. 67-72.
Indra Irawan, 2015
PERHITUNGAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB BERBASIS Si1-Xgex ANISOTROPIK
PADA MODE OPERASI AKTIF-MAJU DAN AKTIF-MUNDUR MENGGUNAKAN METODE MATRIKS
TRANSFER
Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
48
Ibach, Harald and Luth, Hans. (2009). Solid-State Physics (Fourth eds).Berlin:
Springer.
Kittel, C. (2005). Introduction to Solid State Physics (8th edition). New York : Wiley.
Kwok, K.Ng.(1994). Complete Guide to Semiconductor Devices (Second Edition).
New Jersey: McGraw-Hill,Inc.
Lovelady,
K.
(t.t).
Anisotropic
Materials.[Online].
Diakses
dari
http://sivirt.utsa.edu/Documents/Kayla%20Lovelady.pdf.
Monsoriu, J.A., Villatoro, F. R., Mar´ın, M. J. Urchuegu´ıa, J. F., and de C´ ordoba,
P. F. (2005). A Transfer Matrix Method for The Analysis of Fractal
Quantum Potensials. Europan Journal of Physics, 26, page. 603-610.
Paul, D. J. (2004). Si/Sige heterostructures:From material and physics to devices
and circuits. Semiconductor Science Technology, 19.
Rahman A., Lundstrom, M. S., and Ghosh, A. W. (2005). Generalized Effectivemass Approach For n-type Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect
Transistor on Arbitrarily Oriented Wafers. Journal of Applied Physics, 97.
Rieh, J.S., Cai, J., Ning, T., Stricker, A., and Freeman, G. (2005). Reverse Active
Mode Current Characteristics of SiGe HBTs. IEEE Transactions On
Electron Devices, 52(6), page. 1219-1222.
Rio, IR. S.R., dan Iida, Dr. M. (1999). Fisika dan teknologi semikonduktor. Jakarta:
PT Pradnya Paramita.
Suhendi, E., Noor, F.A., Kurniasih, N., dan Khairurrijal. (2013). Pemodelan Efek
Medan Listrik Terhadap Rapat Arus Terobosan Pada Sambungan p-n
Indra Irawan, 2015
PERHITUNGAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB BERBASIS Si1-Xgex ANISOTROPIK
PADA MODE OPERASI AKTIF-MAJU DAN AKTIF-MUNDUR MENGGUNAKAN METODE MATRIKS
TRANSFER
Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
49
Armchair Graphene Nanoribbon. Seminar Nasional Material, hlm. 101104.
Sutrisno. (1986). Elektronika Teori dan Penerapannya (Jilid 1). Bandung: Institut
Teknologi Bandung.
Sze, S.M. and Kwok, K.Ng. (2007). Semiconductor Devices Physics and
Technology (Third Edition.). New York:Wiley.
Zeghbroeck, B.V. (2011). Principles of Semiconductor Devices. [Online]. Diakses
dari http://ecee.colorado.edu/~bart/book/.
Zuhal dan Zhanggischan. (2004). Prinsip Dasar Elektronika. Jakarta: PT. Gramedia
Pustaka Umum.
Indra Irawan, 2015
PERHITUNGAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB BERBASIS Si1-Xgex ANISOTROPIK
PADA MODE OPERASI AKTIF-MAJU DAN AKTIF-MUNDUR MENGGUNAKAN METODE MATRIKS
TRANSFER
Universitas Pendidikan Indonesia | repository.upi.edu | perpustakaan.upi.edu
50