Strukturnano

NANOSAINS:
STRUKTURNANO SEMIKONDUKTOR
Rustam E. Siregar
Dept. Fisika FMIPA Universitas Padjadjaran
1
Fisika Terapan adalah bidang studi yang mempelajari kombinasi
disiplin fisika, matematika dan teknik. Fokus pada metoda saintifik
sebagai basis yang kuat, fisika terapan mencari cara untuk
menggunakan, mendesain dan mengembangkan solusi-solusi baru
untuk teknologi baru.
Pada tingkat undergraduate kurikulum diisi dengan matakuliahmatakuliah metematika, fisika, kimia, biologi, elektronik dan
komputasi. Selain itu kurikulum diperlengkapi dengan pilihanpilihan khusus antara lain: optik, zat padat, material, nanosains,
nanoteknologi dan fotonik.
2
ABSTRAK
Nanosains adalah suatu ilmu multidisiplin yang muncul di awal
1980. Dalam suatu material berukuran hanya beberapa
nanometer, muncul sifat-sifat fisis baru sebagai akibat dari efek
fisika kuantum.
Dalam kuliah ini akan dikemukakan strukturnano dari bahan
semikonduktor khususnya heterostruktur Alx Ag1-x As/AgAs/
Alx Ag1-x As untuk membentuk berbagai sumur kuantum.
Mula-mula dikemukakan konsep “perangkap” elektron
menggunakan sumur potensial berukuran nanometer. Kemudian
konsep itu dipakai untuk membangun tiga macam sumur
kuantum: Quantum Well, Quantum Wire dan Quantum Dot.
Sifat-sifat sumur kuantum itu akan dibahas satu-persatu.
Akhirnya dikemukakan beberapa aplikasi teknologi.
3
Outline
Abstrak
1 Pendahuluan
1.1 Teori Pita
1.2 Heterostruktur
1.3 Strukturnano
2. Perangkap Elektron
2.1 Sumur Potensial Tak terhingga
2.2 Sumur Potensial Terhingga
3. Sumur Kuantum
3.1 Quantum Well
3.2 Quantum Wire
3.3 Quantum Dot
4. Aplikasi
4
1. PENDAHULUAN
1.1 Teori Pita semikonduktor (bulk)
Pita konduksi
Pita konduksi
elektron
𝐸𝐶
foton
𝐸𝑔
𝐸𝑉
hole
Pita Valensi
Pita Valensi
5
Energi gap beberapa bahan semikonduktor
Bahan
Eg (eV)
Si
1,12
Ge
0,67
GaN
3,44
GaAs
1,44
Ga1-xAlxAs
1.44+1.247x
1.9+0.125x+0.143x2
x<0,45
x>0,45
Ga1-xInxAs
1,44-1,415x
1,077-1,195x
x<0,2
0,25<x<0,45
6
Massa efektif elektron dan hole
Si
Ge
GaAs
InP
CdS
CdSe
m∗e /m0
0,26
0,12
0,068
0,077
0,21
0,13
m∗𝐡h /m0
0,49
0,28
0,45
0,4
0,7
0,45
m∗𝐥h /m0
0,16
0,044
0,082
m0=9,110-31kg
m∗𝐡h : massa efektif heavy hole
m∗𝐥h : massa efektif light hole
7
Kerapatan keadaan
E
4 3
V

k
Volume ruang k: k
3
bulk
 (e )
PK
2 
3
Volume satu modus: Vmod  k x k y k z 
EC
Lx L y Lz
Vk
k3

Lx L y Lz
Jumlah modus: N  2
2
Vmod
3
3
(E)
EV
PV
 (h )
N
k



Jumlah keadaan pervolume:
L x L y L z 3 2
k
2 m e* E
2

1  2 me* E 



2 
2 
3   
Rapat keadaan:  ( e )
3/ 2
 (e) ( E ) 
d
d  k3 




2 

dE dE  3 
3/ 2
1 

2 
2  
2 me*
2




*


2
m
1
(h)
h 

 (E) 
2 2   2 
3/ 2
E  EC
3/ 2
EV  E
1  2 me* 
(e)


 (E) 
E
2 
2 
2   
Jumlah keadaan per selang energi per satuan volume (1/eVnm3 )
8
1.2 Heterostruktur
Heterostruktur adalah struktur dengan heterojunction dari dua
material semikonduktor berbeda.
GaAlAs
(1)
GaAs
(2)
Δ𝐸𝐶 =0,3 eV
Eg1=1,94 eV
Eg2=1,44 eV
Δ𝐸𝑉 =0,2 eV
9
1.3 Strukturnano
Strukturnano: material berukuran panjang 1-100 nm.
Di dalam strukturnano semikonduktor elektron dan hole
terkurung (confined), tetapi bebas bergerak dalam dimensi
lainnya.
Efek kuantum menghadirkan sifat-sifat elektronik baru di dalam
strukturnano, berbeda dengan sifat-sifat sampel besar (bulk)
dari mana strukturnano itu dibuat.
10
2. KURUNGAN KUANTUM
Elektron dipandang sebagai gelombang (de Broglie).
Persamaan Schrödinger
d 2
dx
2

2 m0

2
E  V    0
V : energi potensial
 ( x ) : fungsi gelombang elektron
E : energi elektron
m0  9,1  10 31 kg massa elektron
  1,05  10 -34 Js konstanta Planck/2 
Solusi : E dan  ( x )
11
2.1 Elektron Bebas
V 0
d 
2
dx
2
E

2
k x
 0;
2
kx

2 m0

2
E
2 2
 kx
2 m0
 ( x )  e ik x x
12
2.2 Sumur Potensial tak terhingga
0;
V ( x)  
 ;
V=
a  xa
x   a; x  a
Di –a<x<a
d 2
dx
-a
0
a
x
Di xa, =0
2
 k 2  0; k 2 
2 m0

2
E
 A sin kx
 ( x)  
 A cos kx
n
sin ka  0  k 
; n  2, 4....
2a
n
cos ka  0  k 
; n  1, 3,...
2a
13
V=
Energi elektron di dalam sumur
  2 2 
; n  1, 2, 3, ....
En  n
2
 8m a 
 0 
n=3
2
2

1
-a
0
a
x
a  1,5 nm
n
E(eV)
1
0,07
2
0,28
n2
a2
( 0,15 eVnm 2 )
sin
1
𝜑𝑛 = ൞
𝑎
cos
𝑛𝜋𝑥
2𝑎
𝑛𝜋𝑥
2𝑎
; 𝑛 = 2,4 …
; 𝑛 = 1,3. .
∆𝐸21 =0,21 eV
kT=0,026 eV pada 300K
14
2.3 Sumur Potensial Terhingga
V  V0
0;
V ( x)  
V0 ;
a xa
x   a; x  a
Di –a<x<a
-a
0 a
x
Syarat kontinuitas di x=a
 A cos ka  Be  Ka

 Ka
 ka tan ka  Ka (1)
  kA sin a   KBe

 Ka
 A sin ka  Be

 Ka
kA
cos
ka


KBe
 ka cot ka   Ka ( 2 )

( ka ) 2  ( Ka ) 2 
2m0
2
d 2
dx
2
 k 2  0; k 2 
2 m0

2
E
 A cos kx
 ( x)  
 A sin kx
Di x>a
d 2
dx
2
 K 2  0; K 2 
2 m0

2
(V  E )
 ( x )  B e  Kx
Va 2 (3)
15
Vo=0,3 eV,
a=1,5 nm
V0=0,3 eV
a=1,5 nm
1.2
n=1
n=1
1
2
2
0.8
n
ka/
E
(eV)
1
0,28
0.02
2
0,63
0,10
3
1,03
0,27
∆𝐸21 =0,08 eV
Ka/pi
kT=0,026 eV pada 300K
3
0.6
V=V0
0.4
n=3
3
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
ka/pi
0.8
1
1.2
2
1
-a
0
a
x
16
3. SUMUR KUANTUM
Lapisan tipis
Batang halus
2D
1D
Quatum Well
Quantum Wire
Elektron bebas bergerak
pada bidang (y,z),
terperangkap dalam
sumbu-x
Elektron bebas bergerak
pada sumbu-z,
terperangkap dalam
bidang (x,y)
Kotak kecil
0D
Quantum Dot
Elektron terperangkap
dalam volume (x,y,z).
17
3.1 Quantum Well
Quantum well adalah lapisan tipis bahan semikonduktor di antara dua lapisan
semikonduktor lain yang bandgapnya lebih lebar. Dalam quantum well elektronelektron terperangkap dalam satu arah (sumbu-x), dan bebas bergerak dalam dua
arah yang lain (sumbu-y dan sumbu-z). Karena elektron bebas bergerak dalam
dua arah, maka quantum well dikatakan berdimensi dua (2D).
y
2a
AlGaAs
AlGaAs
GaAs
2D
C0,3 eV
EC 2
Eg1=1,94 eV
Eg2=1,44 eV
x
y
z
x
EV 2
V 0,2 eV
z
GaAs
AlGaAs
-a
a
18
Elektron di pita konduksi
Sepanjang sb-y dan sb-z elektron bebas bergerak. Energi kinetik elektron
dalam kedua arah adalah:
 (yze )
Total energi: E

(e)
 2k 2
2 me*2
; k 2  k y2  k z2
 EC 2   ( e )   (yze )
AlGaAs
AlGaAs
-a<x<a (GaAs)
GaAs
d  ( x) 2m
(e)


 ( x)  0
dx 2

2
*
e2
2
 ( x)  A cos k x x  ( x )  A sin k x x
kx 
2 me*2 ( e )
2
C
EC 2
Eg1
Eg2
EV 2
V
-a
a
19
x  a (GaAlAs )
d 2 ( x ) 2 me*1 ( e )
 2 (  EC ) ( x )  0
2
dx

Ce K x ( x  a ) ; x   a
 ( x)    K ( xa )
Ce x
; xa
 ( e )  EC
Kx 
2 me*1 (  EC   ( e ) )
2
Syarat kontinuitas di x=a
A cos k x a  C
1
1
 * k x A sin k x a   * K x C
me 2
me1
A sin k x a  C
1
1
k
A
cos
k
a


K xC
x
x
*
*
me 2
me1
1
1
k
a
tg
k
a

K xa
x
x
*
*
me 2
me1
(1)
1
1
k x a ctg ka   * K x a ( 2)
*
me 2
me1
me*1
2 me*1
2
2
2




k
a

K
a


E
a
(3)
x
x
C
*
2
me 2

20
Hasil perhitungan untuk elektron di pita konduksi dengan EC=0.3 eV, a=2,5
nm me1=0,092 m0 dan me2=0,067 m0..
Kxa/
EC2
kxa/
1( e )  0,033 eV
 2( e )  0,278 eV
di atas EC2
21
Hole di pita valensi
 (yzh )

 2k 2
2 mh* 2
; k 2  k y2  k z2
Total energi: E
(h)
 EV 2   ( h )   (yzh )
–a<x<a (GaAs)
d 2 ( x ) 2 mh* 2
(h)

E


 ( x)  0
V2
2
2
dx


 ( x)  A cos k x x

 ( x)  A sin k x x
 ( h )  EV 2
k hx 

2 mh* 2
(h)
E


V2
2

x  a (GaAlAs)
d 2 ( x ) 2 mh*1
(h)
(h)

 EV 1
 2 ( EV 1   ) ( x )  0
2
dx

*
Ce K hx ( x  a / 2 ) x   a
2
m
(h)
h1
 ( x )    K ( xa / 2 )
K

(

 EV 1 )
hx
2
Ce hx
xa

22
Syarat kontinuitas di x=a
1
mh* 2
k x a tg ka 
1
mh*1
1
0.9
K xa
0.8
0.7
mh* 2
k x a ctg ka  
1
mh*1
K xa
mh* 2 2 2
2 mh* 2 EV a 2
2 2
k hx a  K hx a 
*
mh1
2
0.6
Ka/pi
1
0.5
0.4
EV2
0.3
0.2
0.1
Hasil perhitungan untuk hole di pita
valensi dengan EV=0.2 eV a=2,5
nm, mh2=0,092 m0 dan mh1=0,125 m0.
0
0
0.1
0.2
0.3
 1( h )  30 meV
0.4
0.5
ka/pi
0.6
0.7
0.8
0.9
1
 2( h )  190 meV
di bawah EV2
23
Kerapatan keadaan
Luas lingkaran dalam bidang k adalah Ak=k2
Luas satu modus: Amod
( 2 ) 2
 k ykz 
L y Lz
Ak
k2
Jumlah modus: N  2

L y Lz
Amod 2
k2
Jumlah keadaan persatuan luas  
2
k2 
2 me*
2
E
Kerapatan keadaan: 
(e)
me*
 2
E
me*
d

 2
dE 
Jumlah keadaan per selang energi
per satuan luas(1/eV nm2 )
Kerapatan keadaan dalam (ky,kz) harus
disertai oleh keadaan yang berkaitan dengan
setiap nilai kx. Sedangkan setiap nilai kx
menggambarkan energi elektron (subband)
Ex. Jadi, secara lengkap kerapatn keadaan
adalah
 (e) 
me*2
 2
(e)
H
(
E


)

n
H ( E   (e ) ) Fungsi heavyside
(e)

1
jika
E



H ( E   (e) )  
0 jika E   ( e )
24
E
QW
bulk
EC 2   2( e )
EC2
EV2
EC 2  1( e )
k
 (e) ( E )
EV 2  1( h )
EV 2   2( e )
Subband-subband dan kerapatan keadaan pada quantum well.
25
3.2 Quantum Wire
Quantum wire (kabel kuantum) adalah semikonduktor berbentuk kabel,
dibungkus dengan semikonduktor lain yang bandgap-nya lebih lebar. Elektron
teperangkap dalam bidang-xy dan bebas bergerak sepanjang sb-z. Karena bebas
bergerak sepanjang kabel, sistem dikatakan berdimensi satu (1D).
𝐸𝐶1
y
r
𝐸𝐶2
ϕ
𝑅0
z
x
𝑬𝑪𝟏
𝑬𝑪𝟐
𝑬𝑪𝟏
𝑬𝑽𝟐
𝑬𝑽𝟏
26
Elektron di pita konduksi
Energi kinetik elektron sepanjang sb-z
 z( e ) 
 2 k z2
2 me*
Energi total elektron dalam pita konduksi:
E ( e )  EC 2   r(e )   z( e )
 r 
 2k 2
2 me*
Persamaan Schrodinger dalam koordinat silinder
 r   m 
k  k m
k m
qm


R0
2 me*

2
 m
 m
 qm 



* 
2 me  R0 

2
2
qm adalah akar  akar fungsi Bessel J m ( km r )
27
ℓ=1
ℓ=2
ℓ=3
ℓ=4
m=0
2,405
5,520
8,654
11.792
m=1
3,832
7,016
10,174
13.324
m=2
5,136
8,417
11.620
14.796
m=3
6.380
9.761
13.015
16.224
 01  0,13 eV
11  0,33 eV
 21  0,59 eV
28
Kerapatan keadaan
Jika panjang quantum wire adalah Lz, maka bilangan gelombang sepanjang sb-z
adalah
2 me*
2 me*

(e)
kz 
z 
( E   nxn y )  N z
2
2
Lz


Jumlah keadaan persatuan panjang adalah
2N z 2


Lz

2 me*
2
E   n( ex n) y
Rapat keadaan adalah
d 1
 (e) ( E ) 

dE 
2 me*
1
2
E   n( ex n) y
(e )
Jika E   n x n y maka  (e ) menuju . Oleh sebab itu, secara umum, untuk
suatu energi E diperoleh jumlah keadaan
 (E) 
1

2 me*
2

nxn y
1
E   n( ex n) y
H ( E   n( ex n) y )
29
E
E
EC 2   2( e )
EC2
EV2
EC 2  1( e )
k
 (E )
EV 2  1( h )
EV 2   2( e )
Subband-subband kerapatan muatan quantum wire
30
Konduktans Quantum Wire *)
Reservoir-1
𝜇1
Reservoir-2
Quantum wire
𝜇2
Perbedaan potensial kimia 𝜇1 − 𝜇2 =eV sebagai energi elektron yang mengalir
sesuai dengan sub-bandnya dengan vektor gelombang k. Besar arus dari elektron
yang di subband-n:
Jika energi Fermi di bawah
0
e
f  n   F    ambang subband
I n  ( eV ) f  n   F 
h
1 Jika energi Fermi di atas
Konduktans:
Gn 
I n 2e

V
h
2
2e 2
Untuk N subband: G 
N
h
ambang subband
Angka 2 datang dari spin elektron berdegenerasi 2
(up dan down)
G terkuantisasi, besarnya tidak bergantung pada
panjang. N bergantung pada diameter dan massa
efektif.
*) Mukunda P Das and Frederick Green (2017), Conductance anomalies in quantum
point contacts and 1D wires, Adv. Nat. Sci: Nanosci. Nanotechnol. 8, 02300
31
3.3 Quantum Dot
Quantum dot adalah bahan semikonduktor berbentuk bola atau kubus kecil
sekali, yang dibungkus dengan semikonduktor lain yang band gapnya lebih
besar.
Elektron dan hole terkurung di dalam quatum dot, tak bebas dalam semua
arah (tanpa kinetik). Itu sebabnya quantum dot dikatakan berdimensi nol
(0D). Karena ini adalah sifat atom, maka quantum dot disebut juga artificial
atom.
𝑬𝑪𝟏
𝑬𝑪𝟏
𝑬𝑪𝟐
𝑬𝑪𝟐
𝑅0
𝑬𝑽𝟐
𝑬𝑽𝟏
Tinjaulah sebuah bola berjari-jari R0. Potensial adalah
 EC 2 jika r  R0
V (r)  
 EC 1 jika r  R0
32
   k   0; k 
2
Misalkan 𝐸𝐶1 ≫ 𝐸𝐶2
2
2
2 me*
E (e)
2
 n ( r,  ,  )  N n j ( kn r )Ym ( ,  )
E (ne ) 
 2 k 2,n
𝑧𝓁𝑛
2 me*
; k 2n 
2
 2 z  ,n
2 me* R02
j ( kn r ) Fungsi Bessel bola
z  ,n Akar-akar fungsi
n=1
n=2
n=3
n=4
𝓁=0
3,142
6,283
9.425
12.566
𝓁=1
4.493
7.725
10.904
14.066
𝓁=2
5.763
9.095
12.323
15.515
Sebagai contoh, untuk R0=2,5 nm, lima energi eigen terendah adalah:
E01=0,055 eV, E11=0,113 eV, E21=0,186 eV, E02=0,221 eVdi atas 𝐸𝐶2 .
Tingkat energi berbanding terbalik dengan jari-jari kuadrat.
33
E
(e)
EC 2  E 21
(e)
EC 2  E11
(e)
EC 2  E01
EC 2
EV 2
(h)
EV 2  E01
 (E )
(h)
EV 2  E11
(h)
EV 2  E 21
Kerapatan keadaan quantum dot
34
4. APLIKASI
4.1 Quantum Well
4.1.1 Laser
Film GaAs disisipkan di antara n-doped AlGaAs dan p-doped AlGaAs

  EC 2   n( e )  EV 2   n( h )

 E g  n( e )   n( h )
Lapisan n-doped AlGaAs memberikan elektron sedangkan p-doped AlGaAs
memberikan hole ke film GaAs.
Lalu terjadi inversi populasi di dalam film GaAs, lebih banyak elektron di pita
konduksi. Jika ada foton yang mengenai elektron, elektron itu akan terangsang
untuk turun dan berekombinasi dengan hole sambil mengemisikan foton yang
sama. Inilah operasi laser.
35
4.1.2 Detektor cahaya IR
Detektor cahaya IR bisa dibangun menggunakan quantum well. Transisi
elektronik antar-subband di dalam quantum well berlangsung karena menyerap
foton IR.
Beberapa buah quantum well disusun berderet; barrier antara dua quantum
well dibuat agak tebal agar tidak terjadi tunneling elektron.
Quantum well didesain hanya memiliki satu tingkat energi dan kalau elektron
menyerap cahaya ia tereksitasi tepat ke puncak barrier.
Quantum well dibuat dari n-doped semikonduktor sehingga keadaan dasarnya
berisi elektron. Ketika diberikan tegangan bias, seluruh pita konduksi menyadi
miring.
Bila disinari dengan cahaya yang fotonnya sama dengan beda energi antarsubband atau lebih maka elektron tereksitasi.
36
foton IR
Medan listrik
elektron
barrier
Pita konduksi
emitter
Quantum well
collector
 (μm ) 
1,24
;  E  0,3 eV    41 μm (IR)
E ( eV )
Begitu elektron tereksitas karena menyerap foton, elektron melepaskan diri
masuk ke daerah kontinum dan tercatat sebagai arusfoto.
37
4.2 Quantum Wire
4.2.1 Bio-Chem-FET
Bio-Chem-FET adalah field-effect transistor yang gate-nya bisa dipengaruhi
oleh perubahan potensial permukaan yang terinduksi oleh molekul dipermukaan
itu. Ketika molekul-molekul bermuatan seperti biomolekul terikat di gate,
molekul-molekul itu bisa mengubah distribusi muatan di bahan gate sehingga
menyebabkan perubahan konduktans kanal FET (nanowire).
Gate
Quantum wire
Lin et al., Control and Detection of Organosilane Polarization on Nanowire Field-Effect
Transistors, Nano Lett., 2007, 7 (12), pp 3656–3661
38
4.2.2 Devais elektronik
Quantum wire bisa dipakai untuk transistor. Suatu tantangan bagi
pembuatan transistor di masa depan adalah bagaimana memastikan gate
sebagai pengontrol yang baik terhadap kanal. Karena aspect ratio yang
tinggi sekali, jika dieletrik gate dibuat membungkus kanal quantum wire,
kontrol elektrostatis kanal dapat berlangsung lebih sempurna. Dengan
demikian proses on dan off menjadi sangat efisien.
Drain
Source
Gate
Beberapa nm
Quantum wire
39
4.3 Quantum Dot
elektron
4.3.1 Laser
p-GaAs
QD InAs
p-GaAs
InGaAs
n-GaAs
• Arus ambang sangat kecil karena
kerapatan keadaan yang kecil
• Diferensial gain besar karena modulasi
arus sangat cepat
• Kontrol panjang gelombang emisi
lewat quantum size effect.
n-GaAs
laser
hole
40
4.3.2 Single-elektron Transistor (SET)
SET adalah transistor yang on dan off setiap kali sebuah elektron ditambahkan
padanya. Devais ini sepenuhnya bersifat kuantum. Antara source dan drain
ditempatkan QD yang satu sama lain terisolasi dieletrik. Dekat QD ditempatkan
elektroda gate. Elektron bisa tunneling dari source ke QD ke drain dengan
pengontrolan melalui gate .
dielektrik
Kapasitas antara gate dan QD:
 
C g  4 0   r
 0 
GaAs:
𝜀
𝜀0
-
= 12,4 sehingga 𝐶𝑔 = 1,4710−9 𝑟
Source
F
.
m
QD
+
Drain
Gate
Jari-jari QD r=2 nm, 𝐶𝑔 = 0,2810−17 𝐹.
+
Tegangan 𝑉𝑔 = 𝑒/𝐶𝑔 =0,06 volt diperlukan untuk melewatkan satu elektron di QD
41
𝐸𝐶
E
source
QD
𝐸𝐹
E
source
drain
𝐸𝐹
𝑉𝐺 = 0
QD
𝐸𝐹
drain
𝐸𝐹
𝑉𝐺 > 0
𝐸𝐶 =𝑒 2 /2𝐶𝑔 =0,029eV adalah energi pengisian muatan satu elektron; 𝐸𝐶 >kT
Tegangan bias 𝑉𝑆𝐷 antara source dan drain memberikan energi pada elektron e𝑉𝑆𝐷
untuk tunneling dari soursc ke drain. Jika 𝑒𝑉𝑆𝐷 < 𝐸𝐶 elektron tidak dapat tunneling
ke QD (a). Ini disebut blokade Coulomb. Kecuali kalau Vg>0, elektron dapat
tunneling (b).
Dalam rangkaian digital berbasis single-electron transistor, satu bit informasi (1 atau 0)
bisa dipresentasikan oleh lewat atau tidak elektron tunggal dalam QD. Keseluruhan
blok memory dengan kapasitas 1011 bit (100 kali lebih tinggi daripada yang dimiliki
chip modern) bisa ditempatkan pada satu kristal dengan luas permukaan 1 𝑐𝑚2 .
Realisasi praktis devais seperti itu adalah tujuan peneliti diseluruh muka bumi ini.
42
4.3.3 Pendeteksi kanker
Sel-sel kanker cenderung memiliki protein tertentu di permukaannya; ini
tidak ditemukan pada sel yang sehat.
QD dikonjugasikan dengan antibody tertentu sehingga akan mencantel pada
sel-sel kanker. Jika disinari, QD itu akan berfluoresensi, menandakan di sana
ada sel kanker.
Molekul antibody
foton1
foton2
Jaringan
fluoresensi
Sel kanker
QD
CdSe-ZnS
43
Bahan Bacaan
Vladimir V. Mitin, Dmitry I. Sementsov, Nizami Z. Vagidov, Quantum
Mechanics for Nanostructures, Cambridge University Press 2010.
Rustam E. Siregar, Fisika Kuantum , Teori dan Aplikasi,2010.
Paul Harrison, Quantum Wells,Wires and Dots, Wiley 2005
Manijeh Razeghi, Fundamentals of Solid State Engineering, Kluwer 2002
44
Terimakasih
semoga bermanfaat
[email protected]
45