MAKALAH DASAR TEKNIK ELEKTRO SCR, DIAC, TRIAC DAN DIODA VARAKTOR NAMA : NIM : JURUSAN : PENDIDIKAN TEKNOLOGI DAN KEJURUAN PRODI : TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN UNIVERSITAS NUSA CENDANA KUPANG 2014 1 KATA PENGANTAR Puji dan syukur penulis panjatkan ke hadirat Tuhan Yang Maha Esa,karena atas karunianya penulis dapat menyelesaikan makalah ini yang berjudul ”SCR, TRIAC, DIAC dan DIODA VARAKTOR” penulis menyadari bahwa dalam penyusunan makalah ini masih banyak kekurangan,baik dari sisi penulisan yang di gunakan dalam pembuatn makalah ini. Penulis menyadari bahwa makalah ini masih banyak kelemahan baik dari segi tata tulis maupun sistematikanya oleh karena itu penulis sangat mengharapkan kritik dan saran yang bersifat membangun demi penyempurnaan makalah penulis untuk selanjutnya. Kupang, Penulis i Januari 2014 DAFTAR ISI Lembar Judul .................................................................................................................... Kata Pengantar .................................................................................................................. i Daftar Isi ........................................................................................................................... ii BAB I PENDAHULUAN ................................................................................................ 1 1.1. Latar Belakang......................................................................................................... 1 1.2. Tujuan ...................................................................................................................... 1 1.3. Manfaat .................................................................................................................... 1 BAB II PEMBAHASAN ................................................................................................ 2 2.1. SCR A. Pengertian dan Fungsi SCR ................................................................................ 2 B. Karakteristik SCR ............................................................................................... 3 C. Struktur Thyristor ............................................................................................... 5 D. Struktur SCR....................................................................................................... 7 2.2. TRIAC A. Istilah Triac ......................................................................................................... 10 B. Simbol Triac ....................................................................................................... 10 C. Karakteristik Triac .............................................................................................. 10 2.3. DIAC A. Arti Diac ............................................................................................................. 11 B. Simbol Diac ........................................................................................................ 11 C. Sifat Dasar Diac .................................................................................................. 11 D. Karakteristik Diac ............................................................................................... 12 E. Sifat Listrik Diac................................................................................................. 13 2.4. DIODA VARACTOR ............................................................................................. 14 BAB III PENUTUP ......................................................................................................... 15 3.1. Kesimpulan .............................................................................................................. 15 DAFTAR PUSTAKA ...................................................................................................... 16 ii iii 1.1. Latar Belakang Untuk mempermudah pengendalian arus yang tinggi, maka dibuatlah TRIAC atau Triode Alternating Current. TRIAC juga dibuat untuk mengurangi penggunaan SCR, karena TRIAC ekuivalen dengan dua buah SCR yang disambungkan antiparalel dan kaki gerbangnya disambungkan bersama. TRIAC dapat digambarkan seperti SCR yang disusun bolak-balik. Untuk penyaklaran tegangan yang tinggi juga dapat menggunakan TRIAC sehingga TRIAC sangat berguna dalam dunia elektronika. 1.2. Tujuan Tujuan dari penulisan Makalah ini agar Pembaca dapat memahami Pengertian dan Fungsi SCR, Arti Diac dan Istilah Triac Memenuhi salah satu tugas Mata Kuliah Dasar Teknik Elekto 1.3. Manfaat Menjadi salah satu referensi bagi pembaca agar mendalami makalah tentang SCR, DIAC, TRIAC dan Dioda Varaktor. 1 BAB II PEMBAHASAN 2.1. SCR A. Pengertian Dan Fungsi SCR SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda. Simbol pada skema elektronik untuk SCR: Fungsi SCR: Sebagai rangkaian Saklar (switch control) Sebagai rangkaian pengendali (remote control) Diagram dan skema SCR: Ada tiga kelompok besar untuk semikonduktor ini yang sama-sama dapat berfungsi sebagai Saklar (Switching) pada tegangan 120 volt sampai 240 volt. Ketiga kelompok tersebut adalah SCR ini sendiri, DIAC dan TRIAC. 2 B. Karakteristik SCR (Silicon Controlled Rectifier) Sebuah SCR terdiri dari tiga terminal yaitu anoda, katoda, dan gate. SCR berbeda dengan dioda rectifier biasanya. SCR dibuat dari empat buah lapis dioda. SCR banyak digunakan pada suatu sirkuit elekronika karena lebih efisien dibandingkan komponen lainnya terutama pada pemakaian saklar elektronik. SCR biasanya digunakan untuk mengontrol khususnya pada tegangan tinggi karena SCR dapat dilewatkan tegangan dari 0 sampai 220 Volt tergantung pada spesifik dan tipe dari SCR tersebut. SCR tidak akan menghantar atau on, meskipun diberikan tegangan maju sampai pada tegangan breakovernya SCR tersebut dicapai (VBRF). SCR akan menghantar jika pada terminal gate diberi pemicuan yang berupa arus dengan tegangan positip dan SCR akan tetap on bila arus yang mengalir pada SCR lebih besar dari arus yang penahan (IH). Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) SCR adalah dengan mengurangi arus Triger (IT) dibawah arus penahan (IH). SCR adalah thyristor yang uni directional,karena ketika terkonduksi hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda menuju katoda. Artinya, SCR aktif ketika gate-nya diberi polaritas positif dan antara anoda dan katodanya dibias maju. Dan ketika sumber yang masuk pada SCR adalah sumber AC, proses penyearahan akan berhenti saat siklus negatif terjadi. Sebuah SCR terdiri dari empat lapis bolak P dan bahan tipe semikonduktor N. Silikon digunakan sebagai semikonduktor intrinsik, dimana dopan yang tepat ditambahkan. Persimpangan baik menyebar atau paduan. Pembangunan planar digunakan untuk SCRs daya rendah (dan semua sambungan yang tersebar). Jenis Pembangunan mesa digunakan untuk SCRs daya tinggi. Dalam hal ini, sambungan J2 diperoleh dengan metode difusi dan kemudian dua luar lapisan paduan untuk itu, karena pelet PNPN diperlukan untuk menangani arus besar. Hal ini benar bersiap dengan piring tungsten atau molybdenum untuk memberikan kekuatan mekanik yang lebih besar. Salah satu pelat sulit disolder ke pejantan tembaga, yang berulir untuk lampiran heat sink. Doping dari PNPN akan tergantung pada penerapan SCR, karena karakteristik yang mirip dengan mereka yang thyratron tersebut. Saat ini, istilah thyristor berlaku untuk keluarga besar perangkat multilayer yang menunjukkan bistable negara-perubahan perilaku, yaitu, switching baik ON atau OFF. Dalam keadaan normal "off", perangkat membatasi saat ini ke kebocoran arus. Ketika tegangan gerbang-untuk-katoda melebihi ambang batas tertentu, perangkat ternyata "on " 3 dan melakukan saat ini. Perangkat akan tetap dalam "pada" negara bahkan setelah gerbang saat ini dihapus sehingga selama arus melalui perangkat ini masih tetap diatas saat ini memegang. Setelah saat ini jatuh di bawah memegang saat ini untuk jangka waktu yang tepat, perangkat akan beralih "off". Jika pintu yang berdenyut dan arus melalui perangkat ini di bawah saat memegang, perangkat akan tetap dalam keadaan "off". Asimetris SCR dapat dibuat dengan dioda melakukan reverse dalam paket yang sama. Ini dikenal sebagai RCT, untuk melakukan reverse thyristor. SCR kontrol daya AC Menjadi perangkat (satu arah) unidirectional, paling banyak kita hanya bisa memberikan daya setengah gelombang untuk memuat, dalam siklus-setengah dari AC dimana polaritas tegangan suplai positif pada bagian atas dan negatif di bagian bawah. Namun, untuk menunjukkan konsep dasar kontrol waktu-proporsional, rangkaian sederhana ini lebih baik dari satu mengendalikan penuh tenaga ombak (yang akan membutuhkan dua SCRs). Dengan tidak memicu ke pintu gerbang, dan sumber tegangan AC jauh di bawah rating tegangan SCR's breakover, maka SCR tidak akan pernah menyala. Menghubungkan SCR gerbang menuju anoda melalui sebuah dioda perbaikan standar (untuk mencegah membalikkan arus melalui pintu gerbang dalam hal ini SCR berisi built-in resistor gerbang-katoda), akan memungkinkan SCR yang akan dipicu segera pada awal setiap setengah siklus-positif: Kita bisa menunda pemicu SCR, namun, dengan memasukkan beberapa perlawanan ke gerbang sirkuit, sehingga meningkatkan jumlah drop tegangan diperlukan sebelum pintu gerbang cukup saat ini memicu SCR tersebut. Dengan kata lain, jika kita membuat lebih sulit bagi elektron untuk mengalir melalui gerbang dengan menambahkan resistensi, tegangan AC harus mencapai titik yang lebih tinggi dalam siklus sebelum akan ada gerbang cukup saat ini untuk menghidupkan SCR pada. Hasilnya adalah dalam Gambar 4 C. Struktur Thyristor Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan semiconductor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N junction yang dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor lebih digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan seperti halnya transistor. Gambar-1 : Struktur Thyristor Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN seperti yang ditunjukkan pada gambar-1a. Jika dipilah, struktur ini dapat dilihat sebagai dua buah struktur junction PNP dan NPN yang tersambung di tengah seperti pada gambar-1b. Ini tidak lain adalah dua buah transistor PNP dan NPN yang tersambung pada masing-masing kolektor dan base. 5 Jika divisualisasikan sebagai transistor Q1 dan Q2, maka struktur thyristor ini dapat diperlihatkan seperti pada gambar-2 yang berikut ini. Gambar-2 : visualisasi dengan transistor Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada base transistor Q2 dan sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada base transistor Q1. Rangkaian transistor yang demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di bagian tengah. Dimana diketahui bahwa Ic b, yaitu arus kolektor adalah penguatan dari arus base. Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang mengalir pada base transistor Q2, maka akan ada arus Ic yang mengalir pada kolektor Q2. Arus kolektor ini merupakan arus base Ib pada transistor Q1, sehingga akan muncul penguatan pada pada arus kolektor transistor Q1. Arus kolektor transistor Q1 tdak lain adalah arus base bagi transistor Q2. Demikian seterusnya sehingga makin lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian tengah akan mengecil dan hilang. Tertinggal hanyalah lapisan P dan N dibagian luar. Jika keadaan ini tercapai, maka struktur yang demikian todak lain adalah struktur dioda PN (anoda-katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang demikian, disebut bahwa thyristor dalam keadaan ON dan dapat mengalirkan arus dari anoda menuju katoda seperti layaknya sebuah dioda. Gambar-3 : Thyristor diberi tegangan 6 Bagaimana kalau pada thyristor ini kita beri beban lampu dc dan diberi suplai tegangan dari nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar 3. Apa yang terjadi pada lampu ketika tegangan dinaikkan dari nol. Ya betul, tentu saja lampu akan tetap padam karena lapisan N-P yang ada ditengah akan mendapatkan reverse-bias (teori dioda). Pada saat ini disebut thyristor dalam keadaan OFF karena tidak ada arus yang bisa mengalir atau sangat kecil sekali. Arus tidak dapat mengalir sampai pada suatu tegangan reverse-bias tertentu yang menyebabkan sambungan NP ini jenuh dan hilang. Tegangan ini disebut tegangan breakdown dan pada saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor sebagaimana dioda umumnya. Pada thyristor tegangan ini disebut tegangan breakover Vbo. D. Struktur SCR Telah dibahas, bahwa untuk membuat thyristor menjadi ON adalah dengan memberi arus trigger lapisan P yang dekat dengan katoda. Yaitu dengan membuat kaki gate pada thyristor PNPN seperti pada gambar-4a. Karena letaknya yang dekat dengan katoda, bisa juga pin gate ini disebut pin gate katoda (cathode gate). Beginilah SCR dibuat dan simbol SCR digambarkan seperti gambar-4b. SCR dalam banyak literatur disebut Thyristor saja. Gambar-4 : Struktur SCR Melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini di trigger menjadi ON, yaitu dengan memberi arus gate. Ternyata dengan memberi arus gate Ig yang semakin besar dapat menurunkan tegangan breakover (Vbo) sebuah SCR. Dimana tegangan ini adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR untuk menjadi ON. Sampai pada suatu besar arus gate tertentu, ternyata akan sangat mudah membuat SCR menjadi ON. Bahkan dengan tegangan forward yang kecil sekalipun. Misalnya 1 volt saja atau lebih kecil lagi. 7 Kurva tegangan dan arus dari sebuah SCR adalah seperti yang ada pada gambar-5 yang berikut ini. Gambar-5 : Karakteristik kurva I-V SCR Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika tegangan forward SCR mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi adalah arus Ig yang dapat menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan breakover. Pada datasheet SCR, arus trigger gate ini sering ditulis dengan notasi IGT (gate trigger current). Pada gambar ada ditunjukkan juga arus Ih yaitu arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON. Jadi agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda harus berada di atas parameter ini. Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR menjadi ON. Pada kenyataannya, sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya akan ON, walaupun tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Satu-satunya cara untuk membuat SCR menjadi OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda turun dibawah arus Ih (holding current). Pada gambar-5 kurva I-V SCR, jika arus forward berada dibawah titik Ih, maka SCR kembali pada keadaan OFF. Berapa besar arus holding ini, umumnya ada di dalam datasheet SCR. Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja dengan menurunkan tegangan anoda-katoda ke titik nol. Karena inilah SCR atau thyristor pada umumnya tidak cocok digunakan untuk aplikasi DC. Komponen ini lebih banyak digunakan untuk aplikasi-aplikasi tegangan AC, dimana SCR bisa OFF pada saat gelombang tegangan AC berada di titik nol. 8 Ada satu parameter penting lain dari SCR, yaitu VGT. Parameter ini adalah tegangan trigger pada gate yang menyebabkab SCR ON. Kalau dilihat dari model thyristor pada gambar-2, tegangan ini adalah tegangan Vbe pada transistor Q2. VGT seperti halnya Vbe, besarnya kira-kira 0.7 volt. Seperti contoh rangkaian gambar-8 berikut ini sebuah SCR diketahui memiliki IGT = 10 mA dan VGT = 0.7 volt. Maka dapat dihitung tegangan Vin yang diperlukan agar SCR ini ON adalah sebesar : Vin = Vr + VGT Vin = IGT(R) + VGT = 4.9 volt Gambar-8 : Rangkaian SCR 9 2.2. TRIAC A. Istilah Triac Nama resmi untuk TRIAC adalah Bidirectional Triode Thyristor.. TRIAC dapat digambarkan seperti SCR yang disusun bolak-balik. TRIAC dapat melewatkan arus bolakbalik. Dalam pemakaiannya TRIAC digunakan sebagai saklar AC tegangan tinggi (diatas 100Volt). Untuk memberi trigger pada TRIAC dibutuhkan DIAC sebagai pengatur level tegangan yang masuk. Ini menunjukkan sakelar dwiarah yang dapat mengalirkan arus listrik ke kedua arah ketika dipicu (dihidupkan). Ini dapat disulut baik dengan tegangan positif ataupun negatif pada elektroda gerbang. Sekali disulut, komponen ini akan terus menghantar hingga arus yang mengalir lebih rendah dari arus genggamnya, misal pada akhir paruh siklus dari arus bolak-balik. Hal tersebut membuat TRIAC sangat cocok untuk mengendalikan kalang AC, memungkinkan pengendalian arus yang sangat tinggi dengan arus kendali yang sangat rendah. Sebagai tambahan, memberikan pulsa sulut pada titik tertentu dalam siklus AC memungkinkan pengendalian persentase arus yang mengalir melalui TRIAC (pengendalian fasa). B. Simbol Triac Triac disimbolkan seperti gambar di bawah ini : Gambar : symbol Triac C. Karakteristik TRIAC TRIAC tersusun dari lima buah lapis semikonduktor yang banyak digunakan pada pensaklaran elektronik. TRIAC biasa juga disebut thyristor bi directional. TRIAC merupakan dua buah SCR yang dihubungkan secara paralel berkebalikan dengan terminal gate bersama. 10 Berbeda dengan SCR yang hanya melewatkan tegangan dengan polaritas positif saja, tetapi TRIAC dapat dipicu dengan tegangan polaritas positif dan negatif, serta dapat dihidupkan dengan menggunakan tegangan bolak-balik pada Gate. TRIAC banyak digunakan pada rangkaian pengedali dan pensaklaran. TRIAC hanya akan aktif ketika polaritas pada Anoda lebih positif dibandingkan Katodanya dan gate-nya diberi polaritas positif, begitu juga sebaliknya. Setelah terkonduksi, sebuah TRIAC akan tetap bekerja selama arus yang mengalir pada TRIAC (IT) lebih besar dari arus penahan (IH) walaupun arus gate dihilangkan. Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) TRIAC adalah dengan mengurangi arus IT di bawah arus IH. 2.3. DIAC A. Arti Diac DIAC kepanjangan dari DIode Alternating Current. DIAC tersusun dari dua buah dioda PN dan NP yang disusun berlawanan arah. DIAC memerlukan tegangan breakdown yang relatif tinggi untuk dapat menembusnya. Karena karakteristik inilah DIAC umumnya dipakai untuk memberi trigger pada TRIAC. B. Symbol Diac Diac disimbolkan seperti gambar dibawah ini : Gambar 2.3.1 : symbol Diac C. Sifat Dasar Diac DIAC yang tersusun dari 2 buah dioda empat lapis dengan bahan silicon memungkinkan bekerja pada tegangan tinggi dan arus yang sebatas kemampuannya Namun DIAC perlu mendapat perhatian khusus karena setelah mencapai tegangan UBRF tertentu, kemudian tegangan dengan sendirinya turun tapi arus IF tiba-tiba naik secara tajam. Untuk itu rangkaian DIAC memerlukan R seri sebagai pembatas arus. 11 Dan karena konstruksinya yang kalau kita lihat dari simbol terdiri dari 2 dioda yang tersambung secara anti paralel,maka DIAC dapat dipergunakan pada rangkaian AC D. Karakteristik DIAC Seperti halnya dioda dan Transistor , DIAC-pun mempunyai daerah -daerah yaitu daerah tertutup dan daerah kerja Daerah kerja pun ada dua yaitu daerah kerja arah maju dan daerah kerja arah mundur. Kalau dioda dan transistor daerah tertutupnya antara 0,2V 0,3 V dan 0,6 V - 0,7 V . Daerah tersebut orang mengatakan daerah tegangan “Junction“ jadi apabila tegangan ini belum terlampaui dioda / transistor tidak akan bekerja. Begitu pula DIAC mempunyai daerah tertutup dan daerah kerja Uf = 0 Volt sampai Ubr = 32 Volt merupakan daerah tertutup, yaitu arus tidak mengalir . Setelah ini terlewati , secara tiba-tiba Uf turun pada tegangan tertentu , arus mengalir naik dengan cepat sehingga dalam praktek pemasangan DIAC perlu diberikan tahanan depan sebagai pembatas arus . Perlu diketahui pula bahwa : U ( BR ) F : Tegangan patah pada arah maju U ( BR ) R : Tegangan patah pada arah mundur I ( BR ) F : Arus patah pada arah maju I ( BR ) R : Arus patah pada arah mundur ∆U : Beda tegangan kerja dan tegangan patah Id : Arus daerah tertutup / diom Dari kurva diatas dapat kita baca bahwa : Daerah linier yang terdapat pada daerah kerja DIAC dimulai pada IF = IR = 10 mA, hanya ini berbeda -beda untuk setiap no seri DIAC 12 E. Sifat Listrik DIAC Seperti halnya dioda dan Transistor , DIAC-pun mempunyai daerah -daerah yaitu daerah tertutup dan daerah kerja Daerah kerja pun ada dua yaitu daerah kerja arah maju dan daerah kerja arah mundur . Kalau dioda dan transistor daerah tertutupnya antara 0,2V 0,3 V dan 0,6 V - 0,7 V Daerah tersebut orang mengatakan daerah tegangan “ Junction “ jadi apabila tegangan ini belum terlampaui dioda / transistor tidak akan bekerja. Begitu pula DIAC mempunyai daerah tertutup dan daerah kerja Uf = 0 Volt sampai Ubr = 32 Volt merupakan daerah tertutup, yaitu arus tidak mengalir. Setelah ini terlewati, secara tiba-tiba Uf turun pada tegangan tertentu, arus mengalir naik dengan cepat sehingga dalam praktek pemasangan DIAC perlu diberikan tahanan depan sebagai pembatas arus. 13 2.4. Dioda Varactor Seperti kebanyakan komponen dengan kawat penghubung, dioda mempunyai kapasitansi bocor yang mempengaruhi kerja pada frekuensi tinggi, kapasitansi luar ini biasanya lebih kecil dari 1 pF. Yang lebih penting dari kapasitansi luar ini adalah kapasitansi dalam junction dioda. Kapasitansi dalam ini kita sebut juga kapasitansi peralihan CT. Kata peralihan disini menyatakan peralihan dari bahan type-p ke typr-n. Kapasitansi peralihan dikenal juga sebagai kapasitansi lapisan pengosongan , kapasitansi barier dan kapasitansi junction. Apakah kapasitansi peralihan itu?. Perhatikan gambar 2.4.1 dibawah ini. lapisan pengosongan RR p n C Gambar 2.4.1 Dida dibias reverse Lapisan pengosongan melebar hingga perbedaan potensial sama dengan tegangan riverse yang diberikan.Makin besar tegangan riverse makin lebar lapisan pengosongan. Karena lapisan pengosongan hamper tak ada pembawa muatan ia berlaku seperti isolator atau dielektrik. Dengan demikian kita dapat membayangkan daerah p dan n dipisahkan oleh lapisan pengosongan seperti kapasitor keeping sejajar dan kapasitor sejajar ini sama dengan kapasitansi peralihan. Jika dinaikkan teganag riverse membuat lapisan pengosongan menjadi lebar, sehingga seperti memisahkan keeping sejajar terpisah lebih jauh. Dan sebagai akibatnya kapasitansi peralihan dari dioda berkurang bila tegangan riverse bertambah. Dioda silicon yang memanfaatkan efek kapasitansi yang berubah-ubah ini disebut varactor. Dalam banyak aplikasi menggantikan kapasitor yang ditala secara mekanik, dengan perkataan lain varaktor yang dipasang parallel dengan inductor merupakan rangkaian tangki resonansi. Dengan mengubah-ubah tegangan riverse pada varactor kita dapat mengubah frekuensi resonansi. Pengontrolan secara elektronik pada frekuensi resonansi sangat bermanfaat dalam penalaan dari jauh. 14 BAB III PENUTUP SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda. Nama resmi untuk TRIAC adalah Bidirectional Triode Thyristor.. TRIAC dapat digambarkan seperti SCR yang disusun bolak-balik. TRIAC dapat melewatkan arus bolakbalik. Dalam pemakaiannya TRIAC digunakan sebagai saklar AC tegangan tinggi (diatas 100Volt). DIAC kepanjangan dari DIode Alternating Current. DIAC tersusun dari dua buah dioda PN dan NP yang disusun berlawanan arah. DIAC memerlukan tegangan breakdown yang relatif tinggi untuk dapat menembusnya. Karena karakteristik inilah DIAC umumnya dipakai untuk memberi trigger pada TRIAC. Seperti kebanyakan komponen dengan kawat penghubung, dioda mempunyai kapasitansi bocor yang mempengaruhi kerja pada frekuensi tinggi, kapasitansi luar ini biasanya lebih kecil dari 1 pF. Yang lebih penting dari kapasitansi luar ini adalah kapasitansi dalam junction dioda. Kapasitansi dalam ini kita sebut juga kapasitansi peralihan CT. 15 DAFTAR PUSTAKA Unkown. 2010. TRIAC (Online). (http://id.wikipedia.org/wiki/TRIAC). Unkonwn. 2010. Thyristor (Online). (http://trensains.com/thyristor.htm) Sabrina. 2010. TRIAC (Online). (https://abisabrina.wordpress.com/tag/triac/). Fahmi. 2010. Karakteristik TRIAC (Online). (http://fahmizaleeits.wordpress.com/2010/09/14/karakteristik-triac/). 16