BAB V PENUTUP 5.1 Kesimpulan Setelah dilakukan

BAB V
PENUTUP
5.1 Kesimpulan
Setelah dilakukan proses perencanaan, pembuatan, pengujian
alat, analisa, serta membandingkannya dengan teori-teori penunjang,
maka dapat disimpulkan beberapa hal, yaitu:
1. Semakin besar arus pengisian pada batrei maka semakin cepat
batrei akan penuh dimana tegangan pengisian diatur sekitar 20%
dari tegangan rating batrei.
2. Apabila tegangan input dinaikkan bertahap dengan frekuensi dan
duty cycle sesuai dengan desain, maka mosfet cepat panas. Hal
ini disebabkan adanya spike yang ditimbulkan sangat besar
karena subber tidak mampu lagi meredam spike. Sehingga
frekuensi switching dan duty cycle diatur tidak sesuai dengan
perhitungan baik boost maupun flyback converter agar output
yang dikehendaki tercapai.
3. Leakage inductansi sangat mempengaruhi tegangan spike pada
MOSFET pada rangkaian flyback converter untuk itu diperlukan
rangkaian snubber untuk meredam.
4. Besar nilai tegangan keluaran dari flyback converter ketika
dibebani mengalami drop tegangan sekitar 40% kali ketika
sebelum dikasih beban.
5.2 Saran
Selama pengerjaan Proyek Akhir ini tentunya tidak lepas dari
berbagai macam kekurangan dan kelemahan, secara khusus pada
peralatan yang telah dibuat. Namun pada kenyataan yang ada, setelah
tepat masa waktu Proyek Akhir ini habis, penulis belum sempat
memperbaiki kekurangan-kekurangan tersebut. Untuk itu demi
kesempurnaan alat ini, penulis dapat memberikan beberapa catatan
penting sebagai berikut:
1. Untuk mendapatkan hasil pengisian yang sebenarnya, seharusnya
batrei yang digunakan adalah batrei laptop.
2. Agar charger laptop bentuknya lebih minimize maka seharusnya
flyback converter cukup butuh satu ferrit core berukuran besar
agar sisi sekunder dari trafo dapat keluar tiga keluaran sekaligus
sehingga trafo tidak terpisah-pisah yang menyebabkan alat
menjadi agak besar..
3. Penggulungan trafo harus dilakukan secara sabar, dengan tingkat
kekencangan yang kuat dan rapat agar nilai Lp atau leakage
induktansi yang dihasilkan dapat kurang dari 7,4 uh, karena nilai
leakage induktance akan sangat berpengaruh pada tegangan Vd-s
yaitu spike tegangan dan arus yang ditimbulkan.
4. Untuk meredamkan tegangan spike pada MOSFET dapat dilakukan
dengan cara mengkonfigurasi rangkaian snubber dengan
perhitungan yang tepat, tetapi jika hasilnya masih kurang baik
maka harus dilakukan proses tunning nilai dari komponen snubber.
5. MOSFET yang digunakan harus mempunyai nilai rating tegangan
dan arus yang tinggi, apabila MOSFET masih dalam kondisi
panas, maka kemungkinan yang terjadi adalah arus yang mengalir
pada MOSFET diatas rating dari MOSFET, untuk mengatasi hal
tersebut biasanya MOSFET diparalel, sehingga arus yang mengalir
dapat terbagi pada masing-masing MOSFET, selain itu pada
MOSFET perlu dipasang kipas agar panas yang diakibatkan oleh
arus yang besar dapat diredam.