PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP NILAI RESISTANSI

PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP NILAI RESISTANSI BAHAN
KONDUKTOR Al, Cu dan SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS
Pb(Se,Te), CdTe HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI
TERMAL
Oleh :
Nur Hidayat
11306141007
ABSTRAK
Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur terhadap
nilai resistansi dari alumunium, tembaga dan bahan semikonduktor PbSe, PbTe,
CdTe. Lapisan tipis dibuat dengan menggunakan teknik evaporasi termal yang
bekerja pada tekanan ~ 10-5 mbar.
Penelitian ini menggunakan metode eksperimen, dimana data yang
diperoleh merupakan hubungan antara suhu terhadap nilai resistansi sampel.
Adapun proses pengambilan data dimulai dengan memanaskan sampel uji dari
suhu 30oC-63oC, kemudian mengukur nilai resistansi untuk tiap kenaikan
temperatur. Data yang telah didapatkan kemudian dianalisis dengan menggunakan
software origin 6.1 guna mendapatkan formulasi dan bentuk grafik hubungan
temperatur terhadap nilai resistansi untuk tiap-tiap sampel uji.
Hasil penelitian menunjukkan adanya penurunan nilai resistansi pada
bahan semikonduktor yang diformulasikan menurut persamaan berikut, untuk
PbSe
176,34 ohm, A = 8418,54 ohm, dan t = 7,35
celcius. Untuk PbTe
dengan
9,61 ohm, A = 75,43 ohm,
dan t = 13,92 celcius. Untuk CdTe
dengan
0,61 ohm, A
= 6,84 ohm, dan t = 34,68 celcius. Untuk bahan konduktor terdapat kenaikan
nilai resistansi yang diformulasikan sebagai berikut, untuk alumunium
A = -2,21 ohm dan B= 0,09 ohm/celcius. Untuk tembaga
A = -0,74 ohm dan B= 0,03 ohm/celcius, dimana faktor x sebagai
temperatur dalam satuan celcius dan y sebagai resistansi dalam satuan ohm.
Kata Kunci : Resistansi, Semikonduktor, Konduktor.
i
THE EFFECT OF THE TEMPERATURE HEATING TO THE
RESISTANCE VALUE ON THE Al, Cu and SEMICONDUCTOR MATERIAL
Pb (Se,Te), CdTe THIN LAYER PREPARED BY THERMAL EVAPORATION
TECHNIQUE
By :
Nur Hidayat
11306141007
ABSTRACT
This research aims to observe the temperature effect of the resistance
value of the thin layer PbSe, PbTe, CdTe semiconductors, alumunium and copper
metal. The thin layer PbSe, PbTe, CdTe semiconductors were made by using
thermal evaporation technique which worked at pressure of ~ 10-5 mbar. The
measurement of the resistance used digital multimeter,and the measurement of the
temperature used termocouple.
This research using experiment method, where the data results is relations
of the temperature against to the trial sample resistance. For the first, we
beginning with heating the trial sample with temperature between 30oC-63oC,
then measure the sample resistance for each increasing temperature. For the next
we analysis the data results of the experiment using origin 6.1 for getting the
formulatons and the shape of the relations chart for each trial sample. The chart
shows the relation of the temperature against to the each trial sample resistance.
The result of this research shows that there was a decrease of the
resistance value that affected by the increase of the temperature on the surface of
the thin layer semiconductor which formulated into following equations, for PbSe
where
176.34 ohm, A = 8418.54 ohm, and t = 7.35 celcius.
For PbTe
which
9.61 ohm, A = 75.43 ohm, and t =
13.92 celcius, for CdTe
where
0.61 ohm, A = 6.84
ohm, and t = 34.68 celcius. And in the others side there was increase of the
resistance value on the Al, Cu conductors, which formulated into following
equations,
where A = -2.21 ohm and B = 0.09
ohm/celcius, for copper
where A = -0.74 ohm and B = 0.03
ohm/celcius, where x factor as temperature in celcius unit and y as resistant in
ohm unit.
Keywords : Resistance, Semiconductor, Conductor.
ii