Zat Padat-SP

EVALUASI BAB 17
1.
2.
3.
4.
5.
Perbedaan antara kristal dan amorf
dibawah ini yang benar adalah ….
A. Amorf memiliki ukuran besar
sedangkan kristal ukurannya kecil.
B. Amorf memiliki titik lebur yang jelas
sedangkan pada kristal tidak jelas.
C. Amorf mengkilap sedangkan kristal
tidak mengkilap.
D. Amorf memiliki susunan partikel
tidak teratur sedangkan pada kristal
teratur.
E. Amorf terjadi pada intan sedangkan
kristal terjadi pada es.
Kristal memiliki titik lebur yang jelas
karena ….
A. Kristal cukup keras.
B. Ukuran kristal kecil.
C. Terdapat dislokasi pada kristal.
D. Gaya ikat antar partikel merata.
E. Struktur kristal berbentuk kubus.
Arang dan intan memiliki sifat yang
berbeda karena hal – hal berikut :
1) Atom
–
atom
penyusunnya
berbeda.
2) Susunan kristalnya berbeda.
3) Warnanya berbeda.
Yang benar adalah ….
A. 1) dan 2).
B. 1) dan 3).
C. 1) saja.
D. 2) saja.
E. 3) saja.
Atom Li dan atom F membentuk
molekul LiF akibat pengaruh gaya
elektrostik. Ikatan yang terjadi pada
molekul LiF adalah ….
A. Ikatan ionik .
B. Ikatan kovalen.
C. Ikatan logam.
D. Ikatan van der Waals.
E. Ikatan hidrogen.
Molekul CH4 terbentuk dengan ikatan
….
A. Ionik.
B. Kovalen.
C. Logam.
D. Van der Waals.
E. Hidrogen.
6.
Ikatan yang terjadi antara ion positif
dan awan elektron yang dapat
menimbulkan gaya yang kuat dalam
struktur zat padat adalah ….
A. Ikatan ionik.
B. Ikatan kovalen.
C. Ikatan logam.
D. Ikatan van der Waals.
E. Ikatan hidrogen.
7. Perkiraan urutan titik lebur kristal
berikut dari yang paling rendah adalah
….
A. Ar, NaCI, es, Na, intan.
B. Ar, es, Na, NaCI, intan.
C. NaCI, Ar, intan, es, Na.
D. NaCI, intan, Na, Ar, es.
E. Es, Na, NaCI, intan, Ar.
8. Pita energi paling atas yang berisi
penuh elektron disebut ….
A. Pita konduksi.
B. Pita valensi.
C. Pita terlarang.
D. Pita kosong.
E. Celah energi.
9. Apabila celah energi antara pita valensi
dan pita konduksipada bahan – bahan
isolator,
semokonduktor,
dan
konduktor berturut - turut adalah k, l,
m, maka …..
A. k > l > m.
B. l > m > k.
C. m > k > l.
D. k > m > l.
E. m > l > k.
10. Dalam semikonduktor jenis –p yang
bertindak sebagai pembawa muatan
mayoritas adalah ….
A. Elektron.
B. Proton.
C. Lubang.
D. Elektron dan lubang.
E. Elektron dan proton.
11. Zat padat dengan tingkat donor yang
ditempati elektron berada di bawah
pita energi kosong adalah ….
A. Semikonduktor intrinsik.
B. Semikonduktor jenis-n.
C. Semikonduktor jenis-p.
D. Diode.
E. Transistor.
12. Semikonduktor intrinsik pada suhu 0 K
bersifat sebagai isolator karena hal – hal
berikut, kecuali….
A. Celah energi terlalu besar.
B. Tidak ada tingkat energi akseptor.
C. Tidak ada tingkat energi donor.
D. Elektron tidak memiliki cukup
energi untuk pindah ke pita konduksi.
E. Tidak ada pembawa muatan dari
luar.
13. Pada bahan semikonduktor ekstrinsik
jenis-n
yang
bertindak
sebagai
pembawa muatan mayoritas adalah ….
A. Elektron.
B. Proton.
C. Lubang.
D. Elektron dan lubang.
E. Proton dan ubang.
14. Lapisan pengosongan pada sambungan
antara semikonduktor jenis-p dan
semikonduktor jenis-n terjadi karena….
A. Elektron pada semikonduktor jenisn tidak bergerak.
B. Lubang pada semikonduktor jenis-p
tidak bergerak.
C. Difusi elektron dan lubang pada
daerah sambungan sehingga timbul
medan listrik.
D. Elektron pada semikonduktor jenisn.
E.Lubang pada semikonduktor jenis-p
bergerak menjauhi sambungan.
15. Lapisan penosongan disebut juga
lapisan perintang karena ….
A. Tidak ada pembawa muatan
mayoritas.
B. Terdapat banyak lubang.
C. Merupakan daerah paling positif.
D. Merintangi aliran arus listrik.
E. Tegangannya lebih tinggi daripada
kedua ujung sambungan.
16. Beda potensial diantara ujung-ujung
lapisan pengosongan yang bersifat
merintangi difusi elektron atau lubang
disebut ….
A. Tegangan maju.
B. Tegangan mundur.
C. Tegangan perintang.
D. Panjar maju
E. Panjar mundur.
17. Pada rangkaian berikut terdapat lampu
L1 dan L2 yang memiliki spesifikasi
sama 6 V, 60 mA. Pernyataan dibawah
ini yang benar adalah ….
A. L1 menyala.
B. L2 menyala.
C. L1 dan L2 menyala.
D. L1 dan L2 padam.
E. L1 dan L2 menyala dan padam secara
bergantian.
18. Rangkaian
penyearah
gelombang
penuh berikut yang benar adalah ….
A.
B.
C.
D.
E.
19. Gambar rangkaian berikut merupakan
rangkaian transistor ….
A. Basis-bersama jenis PNP.
B. Basis-bersama jenis NPN.
C. Emitor-bersama jenis PNP.
20.
21.
22.
23.
D. Emitor-bersama jenis NPN.
E. Kolektor-bersama jenis PNP.
Karakteristik transistor NPN pada
rangkaianemitor adalah ….
A. VE > VB.
B. VE > VC.
C. VC > VB.
D. IC > IB.
E. IC = IE + IB.
Apabila arus kolektor pada rangkaian
transistor adalah 5 mA dan arus basis
sebesar 0,05 mA, maka penguatan
transistor adalah ….
A. 10 kali.
B. 50 kali.
C. 80 kali.
D. 100 kali.
E. 200 kali.
Rangkaian
emitor-bersama
menggunakan transistor jenis NPN,
maka akan berlaku hubungan …..
A. VE > VB dan VC > VB.
B. VE > VB dan VC > VB.
C. VE = VB dan VC > VB.
D. VE < VB dan VC < VB.
E. VE < VB dan VC > VB.
Agar transistor pada rangkaian berikut
dapat berfungsi, maka harus berlaku
hubungan …..
A. V2 > V1 dan IC < IB.
B. V2 = V1 dan IC = IB.
C. V2 < V1 dan IC < IB.
D. V2 > V1 dan IC > IB.
E. V2 < V1 dan IC > IB.
24. Karakteristik
suatu
transistor
ditunjukkan seperti pada gambar
berikut ini. Besar penguatan transistor
adalah ….
A. 16 kali.
B. 20 kali.
C. 30 kali.
D. 40 kali.
E. 60 kali.
25. Berdasarkan soal nomor 24, maka besar
arus emitor adalah …..
A. 1960 A.
B. 2000 A.
C. 2040 A.
D. 2080 A.
E. 2010 A.