JFET - UIGM | Login Student
advertisement
Suatu transistor adalah perangkat elektronik 3 terminal yang terbuat dari bahan semikonduktor. Transistor memiliki banyak kegunaan, termasuk amplifikasi, switching, pengaturan tegangan, dan modulasi sinyal. Sebelum transistor diciptakan, sirkuit yang digunakan tabung vakum: Fragile, besar dalam ukuran, berat, menghasilkan sejumlah besar panas, memerlukan sejumlah besar tenaga Transistor pertama diciptakan di Bell Telephone Laboratories pada tahun 1947 William Shockley, John Bardeen, dan Walter Brattain menciptakan transistor dalam dan usaha untuk mengembangkan teknologi yang akan mengatasi masalah tabung Paten pertama untuk prinsip transistor efek medan yang terdaftar pada tahun 1928 oleh Julius Lillenfield. Shockley, Bardeen, dan Brattain telah direferensikan bahan ini dalam pekerjaan mereka Kata "transistor" adalah kombinasi dari "transkonduktansi" istilah dan "resistor variabel" Hari ini sebuah microprossesor canggih dapat memiliki sebanyak 1,7 miliar transistor. Bipolar Junction Transistor NPN Transistor Konfigurasi Paling Umum Basis, Kolektor, dan Emitter Base adalah kawasan yang sangat tipis dengan dopan kurang Basis jusntion kolektor terbalik bias Basis emitor bias maju Aliran fluida analogi: Jika cairan mengalir ke dasar, cairan jauh lebih besar dapat mengalir dari kolektor ke emitor Jika sinyal yang akan diperkuat diterapkan sebagai arus ke dasar, katup antara kolektor dan emitor membuka dan menutup dalam menanggapi fluktuasi sinyal PNP Transistor pada dasarnya sama kecuali untuk directionality BJT (Bipolar Junction Transistor) npn Base energi untuk memungkinkan arus pnp Basis terhubung ke potensi yang lebih rendah untuk memungkinkan arus 3 parameter kepentingan Saat gain (β) Tegangan drop dari basis ke emitor ketika VBE = VFB Tegangan minimum penurunan di seluruh kolektor dan emitor saat transistor jenuh Tinggi potensial pada kolektor Rendah potensial pada emitor Memungkinkan aliran arus ketika basis diberi potensi tinggi Tinggi potensial pada emitor Rendah potensial pada kolektor Memungkinkan aliran arus ketika basis terhubung ke potensi rendah Cut-off Wilayah: VBE <VFB, iB = 0 Transistor bertindak seperti saklar off Aktif Linear Region: VBE = VFB, iB ≠ 0, Ic = βiB Transistor bertindak seperti penguat arus Saturasi Daerah: VBE = VFB, iB> Ic, max / β Dalam mode ini transistor bertindak seperti saklar on Listrik di BJT PBJT = VCE * iCE Harus di bawah kekuasaan transistor dinilai Harus diingat ketika mempertimbangkan pembuangan panas Mengurangi efisiensi daya meningkat Memungkinkan untuk keuntungan yang jauh lebih besar di sirkuit β = β1 * β2 Analog dengan Transistor BJT Transistor FET beralih dengan tegangan daripada dengan saat ini BJT FET Collector Drain Base Gate Emitter Source N/A Body D G S FET (Field Effect Transistors) ◦ MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ◦ JFET (Junction Field-Effect Transistor) ◦ MESFET ◦ HEMT ◦ MODFET Paling umum adalah MOSFET tipe-n atau JFET Dalam prakteknya mengarah tubuh dan sumber hampir selalu terhubung Kebanyakan paket memiliki ini mengarah sudah terhubung MOSFET D D B G G S B S JFET D G S "Pengaruh Lapangan" Bidang yang dihasilkan di piring menyebabkan elektron untuk mengumpulkan Sebagai jembatan elektron membentuk saat ini dibiarkan mengalir Plate Semiconducto r JFET MOSFET gate gate drain P drain N source N N P source Tambahan bahan untuk penanganan saat ini dan disipasi panas Dapat menangani tinggi arus dan tegangan Fungsional sama dengan transistor biasa Switching Amplification Variable Resistor
